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文档简介

Chapter6.5:TheMOSFieldEffectTransistorPresentedby:LeiWang6.5TheMOSFieldEffectTransistorAluminum 铝Amorphous 无定形的Tungsten 钨Oxynitride 氧氮化物Ferroelectrics 铁电体tantalum(Ta) 钽barium(Ba) 钡Strontium 锶Titanate 钛酸盐boron(B) 硼phosphorus(P) 磷Incorporated 合成一体的Zirconium 锆Layout 版图Intercept 截距26.5.1OutputcharacteristicsThevoltagedropbetweenthesource(ordrain)electrodeandtheendofchannelnearthesource(ordrain)isneglected.Themobilityintheinversionlayerisassumedtobeconstant.Gradualchannelapproximation:Theelectricfieldperpendiculartothechannelyisindependentofthatparalleltothechannelx,andyxSomeassumptions36.5.1OutputcharacteristicsIfweneglectthevariationofQd(x)withbiasVx,Qn(x)canbesimplifiedto56.5.1Outputcharacteristics66.5.1OutputcharacteristicsWhenpinch-off7ToobtaintheexactID9ToobtaintheexactID106.5.2TransferCharacteristicsOutputcharacteristics:ID~VDTransferCharacteristics:ID~VG116.5.2TransferCharacteristicsgmdependingonVD136.5.3MobilityModelAdditionalscatteringmechanismsforcarriersinthechannel:CoulombicinteractionwithfixedchargescatteredbysurfaceroughnessAhighergatebiasdrawsthecarriersclosertotheinterface,resultinginlargerdegradationofmobility.146.5.3MobilityModel15Effectoflongitudinalelectricfield:TheMaximumElectricfieldnearthedrainend

Pinchoffregion176.5.4ShortchannelMOSFETI-VcharacteristicsForshortchanneldevices,veryhighlongitudinalelectricfieldsinthepinched-offregioncausethecarri

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