电工试验19n课件

第19章电力电子技术19.1晶闸管19.2可控整流电路19.3晶闸管的保护19.4单结晶体管触发电路19.5下一页总目录返回本章要求1.了解晶闸管的基本结构、工作原理、特性和主要参数。2.理解可控整流电路的工作原理、掌握电压平均值与控制角的关系。3.了解单结晶体管及其触发电路的工作原理。第19章电力电子技术下一页总目录章目录返回上一页19.1.1晶闸管（Silicon

ControlledRectifier）

晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、调压及开关等方面。

体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。

优点：19.1电力电子器件下一页总目录章目录返回上一页P1P2N1N2K

GA晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合+KA

T2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKGPPNNNPAGK下一页总目录章目录返回上一页T1T22.工作原理A在极短时间内使两个三极管均饱和导通，此过程称触发导通。形成正反馈过程KGEA>0、EG>0EGEA+_R下一页总目录章目录返回上一页晶闸管导通后，去掉EG，依靠正反馈，仍可维持导通状态。2.工作原理GEA>0、EG>0KEA+_RT1T2EGA形成正反馈过程下一页总目录章目录返回上一页正向特性反向特性（IG=0）URRMUDRMIG2>IG1>IG0UBRIFUBO正向转折电压IHoUIIG0=0IG1IG2+_+_反向转折电压正向平均电流维持电流U3.伏安特性正向重复峰值电压反向重复峰值电压IG0=0时，增加U达到UBO，使晶闸管导通，这种导通很容易造成晶闸管不可恢复性击穿，下一页总目录章目录返回上一页4.主要参数UDRM:正向重复峰值电压（晶闸管耐压值）晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。一般取UDRM

=80%UBO

。普通晶闸管UFRM

为100V—3000V反向重复峰值电压控制极开路时,允许重复作用在晶闸管元件上的反向峰值电压。一般取URRM

=80%UBR

普通晶闸管URRM为100V—3000VURRM：下一页总目录章目录返回上一页正向平均电流环境温度为40C及标准散热条件下，晶闸管处于全导通时可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。

IF：IFt2如果正弦半波电流的最大值为Im,则普通晶闸管IF为1A—1000A。下一页总目录章目录返回上一页晶闸管型号及其含义导通时平均电压组别共九级,用字母A~I表示0.4~1.2V额定电压,用百位或千位数表示取UDRM或URRM较小者额定正向平均电流(IF)（晶闸管类型）P--普通晶闸管K--快速晶闸管S--双向晶闸管

晶闸管KP普通型如KP5-7表示额定正向平均电流为5A,额定电压为700V。下一页总目录章目录返回上一页19.1.2其它电力电子器件A2A1G一、双向晶闸管：双向可触发导通1.当UA2A1>0时，加正触发脉冲(UGA1>0),电流从A2流向A1；2.当UA2A1<0时，加负触发脉冲(UGA1<0),电流从A1流向A2；3.导通后，控制极便失去作用。

第二电极第一电极控制极(b)符号4.双向晶闸管关断的条件与晶闸管相同下一页总目录章目录返回上一页二、可关断晶闸管（GTO）KGA(b)符号可关断晶闸管导通的条件：1.可关断晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。2.可关断晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电压或正向脉冲(正向触发电压)。

可关断晶闸管导通后，撤去触发电压，

依靠正反馈，可关断晶闸管仍可维持导通状态。下一页总目录章目录返回上一页19.1.3电力电子器件的分类1.不控器件导通和关断均不可控：整流二极管2.半控器件通过控制信号可控制其导通，但不能控制其关断：普通晶闸管(SCR)、双向晶闸管3.全控器件通过控制信号既可控制其导通，又能控制其关断：可关断晶闸管(GTO)、功率晶体管(GTR)、功率场效应管(VDMOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)下一页总目录章目录返回上一页19.2可控整流电路19.2.1单相半波可控整流

1.电阻性负载(1)电路

u

>0时：若ug=0，晶闸管不导通，u

<0时:晶闸管承受反向电压不导通,

uo=0,uT=u，故称可控整流。控制极加触发信号，晶闸管承受正向电压导通，uuoRL+–+uT+––Tio下一页总目录章目录返回上一页所谓可控整流,就是将交流电能变换为可调的直流电能.(2)工作原理t12u

<

0时:

可控硅承受反向电压不导通即：晶闸管反向阻断加触发信号，晶闸管承受正向电压导通tOu

>0时:tO下一页总目录章目录返回上一页(4)整流输出电压及电流的平均值由公式可知：改变控制角(称为移相），可改变输出电压Uo。下一页总目录章目录返回上一页2.电感性负载与续流二极管(1)电路

当电压u过零后，尽管电源电压已经反向，由于电感反电动势的存在，使得仍维持u-uO＞0(这时eL下正上负,uO＜0)，晶闸管在一段时间内仍维持导通，直至u-uO

=0为止，失去单向导电作用。uuoR+–+uT+––T⃝LeL⃝在电感性负载中,当晶闸管刚触发导通时，电感元件上产生阻碍电流变化的感应电势(极性如图)，电流不能跃变，将由零逐渐上升(见波形)。io下一页总目录章目录返回上一页tOtOtOt1tOt22

2)工作波形(未加续流二极管)uoioio,接电感性负载时(未加续流二极管)>π-下一页总目录章目录返回上一页(3)工作波形(加续流二极管)iLttOtO2tO接电感性负载时(加续流二极管)=π-uO波形与接电阻负载时相同下一页总目录章目录返回上一页19.2.2单相半控桥式整流电路1.电路2.工作原理T1和D2承受正向电压。T1控制极加触发电压,则T1和D2导通，电流的通路为T1、T2晶闸管D1、D2晶体管aRLD2T1b(1)电压u为正半周时io+–+–T1T2RLuoD1D2au+–b此时，T2和D1均承受反向电压而截止。下一页总目录章目录返回上一页io+–+–T1T2RLuoD1D2au+–bT2和D1承受正向电压。T2控制极加触发电压,则T2和D1导通，电流的通路为(2)电压u为负半周时bRLD1T2a此时，T1和D2均承受反向电压而截止。下一页总目录章目录返回上一页4.输出电压及电流的平均值下一页总目录章目录返回上一页两种常用可控整流电路电路特点该电路只用一只晶闸管，且其上无反向电压。2.晶闸管和负载上的电流相同。(1)uTD2D1D4u0RLD3+-+-下一页总目录章目录返回上一页电路特点1.该电路接入电感性负载时，D1、D2

便起续流二极管作用。(2)19.2.3三相半波可控整流电路动画2.由于T1的阳极和T2的阴极相连，两管控制极必须加独立的触发信号。T1T2D1D2uuORL+-+-下一页总目录章目录返回上一页19.2.4三相桥式半控整流电路2.工作原理1.电路动画u2a2u2bu2ct1t2uoTT1RLuoD3T2T3D2D1iocbau++––下一页总目录章目录返回上一页19.3晶闸管的保护

晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。

晶闸管的热容量很小，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件内部短路或开路。例如一只100A的晶闸管过电流为400A时，仅允许持续0.02秒，否则将因过热而损坏；

晶闸管耐受过电压的能力极差，电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。下一页总目录章目录返回上一页19.3.1晶闸管的过流保护1.快速熔断器保护电路中加快速熔断器。当电路发生过流故障时，它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。与晶闸管串联接在输入端~接在输出端快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。下一页总目录章目录返回上一页2.过流继电器保护3.过流截止保护在输出端(直流侧)或输入端(交流侧)接入过电流继电器，当电路发生过流故障时，继电器动作，使电路自动切断。在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。当电路发生过流故障时，检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。下一页总目录章目录返回上一页2.硒堆保护19.3.2晶闸管的过压保护1.阻容保护CR

利用电容吸收过压。其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容中，然后释放到电阻中消耗掉。RCRC硒堆保护(硒整流片)CR~RL晶闸管元件的阻容保护下一页总目录章目录返回上一页19.4单结晶体管触发电路19.4.1单结晶体管结构及工作原理1.结构B2第二基极B1N欧姆接触接触电阻P发射极E第一基极PN结N型硅片(a)示意图单结晶体管结构示意图及其表示符号(b)符号B2EB1下一页总目录章目录返回上一页第一基极第二基极发射极2.工作原理

当UE<

UBB+UD=UP时PN结反偏，IE很小；PN结正向导通,IE迅速增加,RB1↓。当UE

UP时

–分压比(0.5~0.9)UP

–峰点电压UD–

PN结正向导通压降B2B1UBBEUE+_+_RP+_+_等效电路RB1RB2AUBBEUE+_RP+_+_B2B1测量单结晶体管的实验电路由图可求得上RB1的电压：下一页总目录章目录返回上一页IEIE3.单结晶体管的伏安特性UV、IV(谷点电压、电流):维持单结管导通的最小电压、电流。

UP(峰点电压)：

单结管由截止变导通

所需发射极电压。IpIVoIEUEUP峰点电压UV谷点电压V负阻区截止区饱和区负阻区：UE>UP后，大量空穴注入基区，致使IE增加、UE反而下降，出现负阻。P下一页总目录章目录返回上一页1.UE<UP时单结管截止；UE>UP时单结管导通，UE<UV时恢复截止。单结晶体管的特点B2EB12.单结晶体管的峰点电压UP与外加固定电压UBB及分压比

有关，外加电压UBB或分压比不同，则峰点电压UP不同。3.不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都不一样。谷点电压大约在2~5V之间。常选用

稍大一些，UV稍小的单结晶体管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。下一页总目录章目录返回上一页19.4.2单结晶体管触发电路1.振荡电路单结晶体管弛张振荡电路单结晶体管弛张振荡电路利用单结管的负阻特性及RC电路的充放电特性组成频率可调的振荡电路。ugR2R1RUucE+C+__+_50100k3000.47F下一页总目录章目录返回上一页ugR2R1RUuCE+C+__+_50100k3000.47F2.振荡过程分析设通电前uC=0。接通电源U,电容C经电阻R充电。电容电压uC逐渐升高。

当uC

UP时,单结管导通,电容C放电,R1上得到一脉冲电压。UpUvUp-UDuCtugt电容放电至uC

Uv时，单结管重新关断，使ug0。(a)(b)下一页总目录章目录返回上一页注意：R值不能选的太小，否则单结管不能关断，电路亦不能振荡。upuv(c)电压波形uCttugOOugR2R1RUucE+C+__+_50100k3000.47FIpIVoIEUEVPUVUP下一页总目录章目录返回上一页注意：R1C值不能选得太小，否则脉冲宽度太窄，不能使晶闸管触发。upuv(c)电压波形uCttugOOugR2R1RUucE+C+__+_50100k3000.47FRC

充电速度变慢R1C

放电速度变快脉冲宽度注意：分压比

和电源U决定脉冲幅度下一页总目录章目录返回上一页主电路触发电路u1+RLR1R2RPCRuZT1D1D2T2u2+–uC++–RuL+ug+u+19.4.3单结管触发的半控桥式整流电路1.电路下一页总目录章目录返回上一页2.工作原理(1)整流削波U2M削波UZRu2+–+–uo+–uZ整流U2MtO2tOtO下一页总目录章目录返回上一页问题讨论1.单结管触发的可控整流电路中，主电路和触发电路为什么接在同一个变压器上？

目的：保证主电路和触发电路的电源电压同时过零(即两者同步)，使电容在每半个周期均从零开始充电，从而保证每半个周期的第一个触发脉冲出现的时刻相同(即角一样)以使输出平均电压不变。2.触发电路中，整流后为什么加稳压管？

稳压管的作用：是将整流后的电压变成梯形(即削波)，使单结管两端电压稳定在稳压管的稳压值上，从而保证单结管产生的脉冲幅度和每半个周期产生第一个脉冲的时间，不受交流电源电压变化的影响。下一页总目录章目录返回上一页3.一系列触发脉冲中，为什么只有第一个起作用？如何改变控制角？根据晶闸管的特性，它一旦触发导通，在阳极电压足够大的条件下，即使去掉触发信号，仍能维持导通状态。因此，每半个周期中只有第一个触发脉冲起作用。改变充电时间常数即可改变控制角。控制角变化的范围称为移相范围。4.电压的调节R

电容充电速度变慢uL下一页总目录章目录返回上一页单结晶体管触发电路T1+U1RE1-CT2RC1RE2R2T3T4D1D2DZR输出脉冲可以直接从电阻R1引出(如前图)，也可通过脉冲变压器输出。由于晶闸管控制极与阴极间允许的反向电压很小，为了防止反向击穿，在脉冲变压器副边串联二极管D1,可将反向电压隔开，而并联D2，可将反向电压短路。下一页总目录章目录返回上一页使用脉冲变压器的触发电路下一页总目录章目录返回上一页19.5

应用举例1.电瓶充电机电路R1~AVR2R4R3RPDDZTC+_待充电瓶T1该电瓶充电机电路使用元件较少，线路简单，具有过充电保护、短路保护和电瓶短接保护。下一页总目录章目录返回上一页工作原理R2、RP、

C、T1、R3、R4

构成了单结晶体管触发电路。