电工电子实践二极管11级课件

电工电子实践二极管半导体的特性

自然界中的各种物质,按导电能力划分为:导体、绝缘体、半导体。半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强

电子与空穴的移动

PN结的单向导电特性N型半导体；P型半导体；PN结的形成；在PN结两端外加电压,称为给PN结以偏置电压。1)PN结正向偏置：给PN结加正向偏置电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,此时称PN结为正向偏置(简称正偏)。

2)PN结反向偏置给PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏),如图所示。导体二极管

1．结构符号二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图所示,在图(b)所示电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向。类型（1）按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。（2）按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型、平面型二极管。阴极引线阳极引线二氧化硅保护层P型硅N型硅(

c

)平面型金属触丝阳极引线N型锗片阴极引线外壳(

a)点接触型铝合金小球N型硅阳极引线PN结金锑合金底座阴极引线(

b)面接触型类型

(3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。(4）按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。(5）按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。半导体二极管的主要参数1.最大整流电流

IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向工作峰值电压URWM是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。3.反向峰值电流IRM指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。特殊二极管

前面主要讨论了普通二极管,另外还有一些特殊用途的二极管,如稳压二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管等,现介绍如下。

1．稳压二极管

稳压二极管简称稳压管,稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。稳压管正常工作时加反向电压，稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。当稳压二极管工作在反向击穿状态下,当工作电流IZ在Izmax和Izmin之间时,其两端电压近似为常数。1）稳压二极管的工作特性曲线和符号如图所示。IZmaxUIUZIZ稳压二极管特性曲线IZmin正向同二极管稳定电流稳定电压使用时要加限流电阻1.符号

_+型号：2CWXX、2DWXX特点：反向击穿特性曲线相当陡且反向击穿可逆，一旦去掉反向电压，稳压管又恢复正常。但反向击穿电压不能超过允许范围，否则将发生热击穿而损坏。

2．发光二极管发光二极管与普通二极管一样,也是由PN结构成的,同样具有单向导电性,但在正向导通时能发光,所以它是一种把电能转换成光能的半导体器件。发光二极管工作在正偏状态。电路符号如图所示。发光二极管电路符号V1）普通发光二极管2）红外线发光二极管3）激光二极管

3．光电二极管

光电二极管工作在反偏状态,它的管壳上有一个玻璃窗口，以便接受光照。光电二极管的检测方法和普通二极管的一样,通常正向电阻为几千欧,反向电阻为无穷大。否则光电二极管质量变差或损坏。当受到光线照射时,反向电阻显著变化,正向电阻不变。V4.整流二极管

1）单相半波整流电路电路的组成及工作原理由于流过负载的电流和加在负载两端的电压只有半个周期的正弦波,故称半波整流。

p2p3p4pwt22Uu2wt22UuO00单相半波整流电路及波形图5．变容二极管变容二极管是利用PN结电容可变原理制成的半导体器件,它仍工作在反向偏置状态。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。V二极管的测量及使用注意事项

二极管使用时，应注意以下事项：(1)使用二极管时,正、负极不可接反。通过二极管的电流,承受的反向电压及环境温度等都不应超过手册中所规定的极限值。另外二极管和电容一样是有耐压值的，所以只有耐压值高于实际电压的二极管才能放心使用。(2)更换二极管时,应用同类型或高一级的代替。(3)二极管的引线弯曲处距离外壳端面应不小于2mm,以免造成引线折断或外壳破裂。

电工电子实践三极管三极管的外形结构常见三极管的外形结构半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。晶体三极管基本结构NNP基极发射极集电极NPN型BECBECPNP型PPN基极发射极集电极符号：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三极管PNP型三极管三极管的主要参数

三极管的参数是用来表征其性能和适用范围的,也是评价三极管质量以及选择三极管的依据。常用的主要参数有:1）电流放大系数2）反向饱和电流ICBO

3）穿透电流ICEO基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件BECNNPEBRBECRC发射结正偏、集电结反偏PNP发射结正偏VB<VE集电结反偏VC<VB从电位的角度看：

NPN

发射结正偏VB>VE集电结反偏VC>VB

2.各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05结论:1）三电极电流关系IE=IB+IC2）IC

IB

，

IC

IE

3）IC

IB

把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。

实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O饱和区截止区放大区

要准确地了解一只三极管类型、性能与参数,可用专门的测量仪器进行测试,但一般粗略判别三极管的类型和管脚,可直接通过三极管的型号简单判断,也可利用万用表测量方法判断，下面具体介绍其型号的意义。1．三极管型号的意义三极管的型号一般由五大部分组成,如3AX31A、3DG12B、3CG14G等。下面以3DG110B为例说明各部分的命名含义。三极管的判别及手册的查阅方法(1)第一部分由数字组成，表示电极数。“3”代表三极管。(2)第二部分由字母组成，表示三极管的材料与类型。如A表示PNP型锗管，B表示NPN型锗管，C表示PNP型硅管，D表示NPN型硅管。(3)第三部分由字母组成，表示管子的类型，即表明管子的功能。(4)第四部分由数字组成,表示三极管的序号。(5)第五部分由字母组成,表示三极管的规格号。三极管的判别一、三颠倒，找基极

测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。指针式万用表红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。三极管的判别二、PN结，定管型

找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。

三极管的判别三、顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。(1)对于NPN型三极管，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。三极管的判别(2)对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。

通过上述方法的判断,如果发现电路中的三极管已损坏,更换时一般应遵循下列原则:（1）更换时,尽量更换相同型号的三极管。（2）无相同型号更换时,新换三极管的极限参数应等于或大于原三极管的极限参数,如参数ICM、PCM、U（BR）CEO等。（3）性能好的三极管可代替性能差的三极管。如穿透电流ICEO小的三极管可代换ICEO大的,电流放大系数β高的可代替β低的。（4）在集电极耗散功率允许的情况下,可用高频管代替低频管，如3DG型可代替3DX型。（5）开关三极管可代替普通三极管,如3DK型代替3DG型,3AK型代替3AG型管。三极管的代换方法特殊三极管

1．光电三极管：光电三极管也称光敏三极管，其等效电路和电路符号如图所示。

光电三极管的等效电路与电路符号(a)等效电路;(b)电路符号

2．光电耦合器光电耦合器是将发光二极管和光敏元件（光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光电池等）组装在一起而形成的二端口器件,其电路符号如图所示。它的工作原理是以光信号作为媒体将输入的电信号传送给外加负载,实现了电—光—电的传递与转换。光电耦合器主要用作高压开关、信号隔离器、电平匹配等电路中,起信号的传输和隔离作用。光电耦合器电路符号(a)LED+光敏电阻；(b)LED+光电二极管(c)LED+光电三极管;(d)LED+光电池3.场效应管

场效应管按结构分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类。（一）结型场效应管1.结型场效应管的基本结构及符号如图a所示,在一块N型硅半导体两侧制作两个P型区域,形成两个PN结,把两个P型区相连后引出一个电极,称为栅极,用字母G(或g)表示。结构;(b)N沟道结型场效应管符号;(c)P沟道结型场效应

图3.2N沟道结型场效应管工作原理

（二）绝缘栅型场效应管

1.增强型绝缘栅场效应管的结构增强型MOS管结构及符号图(a)N沟道结构图;(b)N沟道符号;(c)P沟道符号

2.耗尽型绝缘栅场效应管的结构下图为N沟道耗尽型场效应管的结构图。其结构与增强型场效应管的结构相似,不同的是这种管子在制造时,就在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子。耗尽型MOS管结构及符号图(a)N沟道结构图;（b）N沟道符号;（c）P沟道符号

场效应管使用注意事项

（1）MOS管栅、源极之间的电阻很高,使得栅极的感应电荷不易泄放,因极间电容很小,故会造成电压过高使绝缘层击穿。（2）有些场效应晶体管将衬底引出,故有4个管脚,这种管子漏极与源极可互换使用。（3）使用场效应管时各极必须加正确的工作电压。（4）在使用场效应管时,要注意漏源电压、漏源电流及耗散功率等,不要超过规定的最大允许值。

晶闸管的外形及其符号(a)螺栓式；(b)平板式；(c)塑封式；(d)符号4.晶闸管1．外形及其符号

2)类型可控硅按其容量有大、中、小功率管之分,一般认为电流容量大于50A为大功率管,5A以下则为小功率管,小功率可控硅触发电压为1V左右,触发电流为零点几到几毫安,中功率以上的触发电压为几伏到几十伏,电流几十到几百毫安。按其控制特性,有单向可控硅和双向可控硅之分。3)演示电路及操作过程

(1)演示电路电路的连接,如图所示。晶闸管连接图(1)阳极与阴极之间通过灯泡接电源UAA。(2)控制极与阴极之间通过电阻R及开关S接控制电源(触发信号)UGG。2）操作过程及现象(1)S断开,UGK=0,UAA为正向,灯泡不亮,称之为正向阻断，如图11.3(a)所示。(2)S断开,UGK=0,UAA为反向,灯泡不亮,如图(b)所示。

(3)S合上,UGK为正向,UAA为反向,灯泡不亮,称之为反向阻断,如图(c)所示。

晶闸管工作示意图

(4)S合上,UGK为正向,UAA为正向,灯泡亮,称之为触发导通,如图(d)所示。(5)在(4)基础上,断开S,灯泡仍亮,称之为维持导通,如图(e)所示。(6)在(5)基础上,逐渐减小UAA,灯泡亮度变暗,直到熄灭,如图(f)所示。(7)UGG反向,UAA正向,灯泡不亮,称之为反向触发,如图(g)所示。(8)UGG反向,UAA反向,灯泡仍不亮,如图(h)所示。3）现象分析及结论(1)由图(c)、(d)得出,晶闸管具有单向导电性。(2)由图(a)、(b)、(d)、(g)、(h)得出,只有在控制极加上正向电压的前提下,晶闸管的单向导电性才得以实现。(3)由图(e)得出,导通的晶闸管即使去掉控制极电压,仍维持导通状态。(4)由图(f)得出,要使导通的晶闸管关断,必须把正向阳极电压降低到一定值才能关断。晶闸管的内部结构

1．内部结构晶闸管的内部结构如图(a)所示。由图可知，晶闸管由PNPN四层半导体构成,中间形成三个PN结:J1,J2,J3,由最外层的P1、N2分别引出两个电极称为阳极a和阴极k,由中间的P2引出控制极g。

2．工作原理为了说明晶闸管的工作原理,可把四层PNPN半导体分成两部分,如图(b)所示。P1,N1,P2组成PNP型管,N2,P2,N1