某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为E(k)= -10-36k2(J),课件_第1页
某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为E(k)= -10-36k2(J),课件_第2页
某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为E(k)= -10-36k2(J),课件_第3页
某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为E(k)= -10-36k2(J),课件_第4页
某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为E(k)= -10-36k2(J),课件_第5页
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1.#1-12.#1-23.#补充题:

某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为E(k)=-10-36k2(J),其中能量零点取在价带顶.此时若k=1×108m-1处电子被激发到导带,而在该处产生一个空穴.试求此空穴的有效质量;准动量;共有化运动速度和能量.

Ⅰ习题Ⅱ1.#1-3#1-43.#2-74.#补充题:已知硅的电子有效质量为ml=0.98m0,mt=0.19m0.现掺入施主杂质,请利用类氢模型估计:⑴杂质电离能,⑵杂质的等效玻尔半径,⑶当相邻杂质原子的电子轨道发生交迭时的施主浓度

关于回旋共振实验结果的一些说明Si的导带回旋共振实验:B任意取向,可观察到三个吸收峰;[B在{110}面上,仍是二个吸收峰]

#1-4Ge的导带回旋共振实验:讨论B沿<100>方向,<111>方向,<110>方向;[B在{110}面上;]

B任意取向.#1-3导带的极值在<110>方向:讨论B沿<100>方向,<111>方向,<110>方向;B任意取向.

习题Ⅳ1.#3-72.#3-83.#3-104.#3-115.#3-12

要求：用语言将你的计算结果总结一下(本题涉及的对数方程,可用图解法;可借助计算机进行计算;也可作近似估算，数量级要正确)

习题Ⅴ#3-13#3-15#3-16#3-18（查图表时，至少要保证数量级正确）

习题Ⅵ

1.#4-22.#4-43.#4-74.#4-115.#4-15[必要时，须考虑温度和杂质浓度对载流子浓度和迁移率的影响]

习题Ⅷ1.#4-162.#4-19(应用图4-17)3.#12-14.#12-65.补充题:Si原子加到GaAs材料中,可取代Ga原子成为施主杂质或取代As原子成为受主杂质.假定Si原子浓度为2×1014cm-3,其中5%取代As原子,95%取代Ga原子,并在室温下全部电离.求:(1)样品的电导率.(2)样品的Hall系数.

习题Ⅸ1.#5-32.#5-43.#5-74.#5-85.补充题:一块p型半导体,画出下列情况下的能带简图,标出费米能级或准费米能级的位置.①无光照②有光照,Δn=Δp<ni③有光照,小注入,但Δn=Δp>ni④有光照,大注入

习题Ⅹ1.#5-92.#5-123.#5-154.#5-165.#5-17(考虑掺杂浓度对迁移率的影响)6.#5-18(Au饱和浓度可取

习题Ⅻ1.#6-6(求电容时:①,②求势垒电容,③求势垒电容和扩散电容)2.#6-73.#6-9(Si材料)4.#6-105.#6-121.施主浓度为7.0×1016cm-3的n型Si与Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.20eV，Si的电子亲和能为4.05eV，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。

2.某Sh

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