模拟电路-课件第4章习题答案

4章习题解

1 nVDDRIref的表达式。4-9(a)电路如下：

2nOX

fRIfRII1 W

V 2nOX

IVDDVGS

若在图4-9(a)所示的基本电流镜电路中，要求IO＝1mA。已知场效应管T1的沟道宽长T25VTH＝0.75VVDD＝5V，T1的K2mA/V2。试求R

k

V)2VDD

k V)2 n2 ID1ID4-14(b)电路中，电流源的输出电阻为ROrce4(14RRIIO输出电阻可以近似为T4发射极接电阻的共发射极放大器的输出电阻的求解，这样图4-r+vgmvr+ 则： i

R

r//

b'

o

b'e

b'e

R

//rb'e2在

orvor(1oice ioIOIref之间有什么近似关系？在什么条件下此近似关系成立？fIfIVBE1IE1R1VBE2IE2

VBE

lnIE当

IrefIC1

IOIC

IE

1R

Tln E

1.5VT

这是个方程，可以用图解法或累试法求解得

1.46mA，如果VTlnIE1 IOIref之间近似关系为

R1I

E因此近似关系成立的条件为VTlnIE1比较小，即R

lnIE1 IE

IEVCC＝15VIref＝0.75mA，IO＝30ARR2的IVTln OR22.79K

VCCVBE，求得RR画出极型晶体管构成的有源负载共射放大器，并证明其电压增益vA VA1VA2Early电v1/VA1： 、++_T1_Ag

m

1/VA12n

W0.5mA/V2L制效应。T3rds＝80k，ISS＝1mA。RD1＝RD2＝5K。试求差模电压增益和vo1

Avod1vod2g

m

11 W2nOX

m

W WnOX AvdgmRD1

gm12gm

CMRR

gmgm 12gm

12gm

T1、T2的沟道长度调制效应，则差模电压增益和共模电压增益的绝

2VA

Avod1vod2g

//vi1viv

m

gmRD1//rds11CMRRgmRD//

12ggR//

mm 12gmVCC＝15VEE＝－5V，vovo1E0VEE0.7IEEREEIEEIC1IC2IEE/2

IC118.27mSgm1RC1

3CMRR试证明：上题电路的共模抑制比为：CMRR12ICQREEVEEVBE

CMRR

rb'e12(1)REE12ICQVEEVEEvo/vidvo/vi。0

0.7I

r0.7IR EE

2(1)

EE

1

RC1

r 2r b b bAvcr

b 7T1、T2RL（RLvo1、vo2之间，Avod1vod2g(R//RL

m

11 W2nOX

WnOX

gm1CMRRAvd/ISS以及各晶体管的参数

1 Wrds

2nOX

vi

gmrds1 W1 W2nOX WnOX

m

gm2 vI1vI2vBE1vBE1(iC1iC2因此vBE1vBE1vI1vI2iC1iC2

1

)/V 1

(i

)R)]/V

BE

C

1

)/V 1

(i

)R)]/V

BE

C i

Ith(vID(iC1iC2 C

R T7VCCVEEVBEIRIRIC1IC2IC3IC4

I

(1)

I

I

C

4.4.3节的结果比较。 R3 —解：a）T1、T2是差分输入级，T3是射极跟随器，属于中间缓冲级，T4、T5是两级共发射极放大器，属于中间放大级，T6、T7是互补输出级。Q

VCC0.65

//R]

R

RLR9RL幅度为：VCC