电子注入材料

OLED电子注入材料汇报人：学号：Logo

背景

OLED电子注入材料1

2

机理3

实例4

Q&A

OLED结构示意图Logo背景

获得高效的OLED器件性能：(1)努力提高器件空穴与电子的注入并使之平衡;(2)采用可以产生磷光发射的材料；(3)通过分子设计合成高量子产率的材料用作器件的发光层；(4)在器件结构中加入增透膜等光学结构。背景空穴易注入空穴迁移速度快空穴多于电子加入介电层抑制空穴注入，减小空穴浓度提高了器件工作电压降低阴极界面势垒提高电子注入。？机理金属阴极与有机半导体薄膜接触前后的能级变化机理电子越过界面处肖特基势垒注入器件内部的两种途径:（a）热发射注入；（b）隧穿注入阴极/电子注入材料单层金属阴极:金属Ag、Al、Ca、Ba合金阴极：Mg:Ag合金(掺杂比例10:1）Li:AI合金(Li浓度为0.1%)化合物-金属复合阴极：LiF/Al复合阴极CsF/A1复合阴极Li2O/Al复合阴极A1203/Al复合阴极Mg0/Al复合阴极LiF/Al复合阴极机理一：（1）真空蒸镀热活化的Al蒸气，（2）界面处超薄的LiF层发生化学反应，（3）生成极其微量的金属Li。LiF/Al复合阴极机理二：（1）LiF与Al的界面化学反应属于热力学禁阻，（2）处于LiF层之下的某种特定的有机半导体接受一个电子形成负离子并释放一定能量，（3）能量释放将协同LiF与Al的反应发生，生成Li

极其微量的金属Li在生成瞬间，即将一个电子传递给下层有机半导体材料，形成有利于电子注入的n型掺杂结构。低功函阴极材料LiF类：Li02、LiCo02、NaCl、MgF2、CsF、CaF2、BaF2、NaF、RbF、CsCl、Ru2C03、YbF3等。比Al更活泼的金属：LiF/Mg:Ag、LiF/Ca/Al、CsF/Ca/Ag、CsF/Yb/Ag、CsF/Ba/Ag、CsF/Mg:Ag、NaCI/Ca/Al等。低功函阴极材料含有低功函金属离子的有机材料：（1）一类是有机部分只作为平衡电荷的阴离子或配体，不具备额外的电子传输功能，戊间二酮锂、二叔丁基戊酞甲烷锂、戊间二酮钙等;低功函阴极材料（2）有机部分含有缺电子的含氮芳环结构，可以形成稳定的负离子，所以具备一定的电子注入和传输能力，8_羟基喹啉锂（Liq)、2一甲基一8_羟基喹啉锂(LiMeq）、四(8-羟基喹啉)硼锂(LiBq4)、8-羟基喹啉钠(Naq）、4-羟基菲啶锂(LiPh）、2-(5一苯基一1,3,4-噁二唑基)苯酚锂(LiOXD）、2-(2-吡啶)苯酚锂LiPP）、8-羟基喹啉铯（Csq)、三(8_羟基喹啉)铒(Erq3）等。高功函金属阴极材料插入绝缘层前(a)后(b>隧穿长度变化的机理示意图高功函金属阴极材料聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的L-B/Al复合阴极，用于聚合物的LiF/Al复合阴极，基于小分子OLED的A1203/Al复合阴极，硬脂酸钠(NaSt）Al(或Mg,Ag)复合阴极，聚苯乙烯磺酸钠/Al复合阴极,LiF/Ag，Mg0/Al，Si02/A1，Mn0/A1，

高功函金属阴极材料Ag阴极键合SH-C2H4-CONH-(CH2CH20)45-CH3自组装单分子层复合阴极，Ag阴极键合SH-Si(OCH3)2-(OCH2CH2)nOH自组装单分子层复合阴极，Au阴极键合自组装