从IIVI和Lumentum看光芯片国产化

东吴证券研究所东吴证券研究所原理：三五族化合物主导，实现光电信号转换光芯片为激光器、测核心组成激光应用广泛其工赖于激光器与探测器益于向好单性能量密度，光仅光通信工制等统域应广，在D感、载激光雷等型域益及激的出赖光据益质同激器可分气激激光与态光半导激器固激器的型形态；光接则赖探测，又称光二极。激光器探测器的核心成部分为光芯片光芯核心功能光电信转光片主包激器片探测芯激器应用半体光实现信号向光号转将号蕴的息过光出探器片在器中可或缺，现信向信的转。图1：激光器芯片、探测器芯片在半导体中所处范畴半导体分立器O集成）（DS)光电件（）（Senors)数字电路（Digtal)模拟电路（Anaog)（A/DD/A)二级管发光二管微元件电源管芯片三级管激光器片存储器运算放器探测片稳压器光电耦器其他通模拟芯数据来源：长光华芯招股说明书、源杰科技招股说明书、激光器芯片工作原理：电励为浦源，半导体为增介，输出激光激光的发出有赖于浦增益介质谐振腔三部件激的出要界提供能量泵（称源负向益质的粒提能见泵浦式有电泵学浦泵浦益质来供向能跃的子常用料有氖气有染料红半体纤等谐腔指光在中回射从提供光能馈空其是使内光具一的频相和行激具有良的向相性同时能大激射强度。激光器芯片将电激作泵浦源以半体材料为益介质通过振选模大，进而输出激光，完光转。5/42东东吴证券研究所图2：激光器芯片工作原理光学谐光学谐腔L部分反镜激光输出全反射镜工作半导体电激励数据来源：长光华芯招股说明书、整理激光器芯片分：谐腔制造工艺差异，用同场景按照谐振腔制造工差激光器光芯片可分为发射激光器芯（与面发射激光器芯（两类EL在片侧光学形谐腔经谐腔选模放大后，将沿平于底表面的方向形成光VL在片上下两镀光学膜形成谐于振与底垂光经模大将垂于片面成光E与CL具优EL的出率电转效率高而CEL有阈电流低单长作定可效调易维成无面阈损制成等优。图3：激光器芯片分类光光学镀膜光学镀膜光镀增益介质光镀5µm数据来源：面包板社区、光芯片工艺技术、整理EL进一步分为P/BEL三类应用场景相FB为独立器件通过控制流有来制息输激被为接调激器DL在D中P光诞较主要于速短离输DB在FP激器础上展而来，用光滤光器实现单模输，主要于高速长距传输DL通调制注电来现号制然注电的会改激器源的射成波长啁而生色制传距同DL宽有调制流大时激器易和难实现高消比。电吸收调制激光器（较好地缓解了啁啾散问题它由AM电收调6/42东吴证券研究所制器与B激光器集成而来，号输量易实高率距的输，过价格与东吴证券研究所图4：FP、DF、ML激光器芯片结构示意图数据来源：易飞扬通信、讯石光通讯网《高速电吸收调制激光器研究进展、整理VLF、F、L光芯的性主应场景下：表1：VE/FP/DF/EML激光器芯片特性及主要应用场景激光器芯片类别工作波长激光器芯片特性主要应用场景VL80090nm线宽功制高，耦合率，输离短500m内距传数据心部传输、费子域如D感部别）FP1310150nm成本，合率低中低速无线接入短距离市场。由于存在损耗大传距短问题部分用景步被DB光芯取代D1270110nm调制率高波稳定合效率低中长离传如FTx接入输网、无线站数中内互联等E1270110nm调制率，长定好，传输离，本高长距传高率距离电骨干网、域和据心联数据来源：源杰科技招股说明书、激光器芯片材：三族化合为主流，学较硅更优三五族化合物泛指由元素周期表的三族与五族元素构成的合金化合物，种类丰富如砷（A磷nP化（nG据含素类又可为二元合如P元合物如𝐴𝑙𝑥𝑥𝑠四及物等硅目工中最主的导材泛用集电但电器领三族物却具有更好光特而为要。三五族化合物具有接隙进而电子高低能间跃迁时效率更进使芯片输出激光的效率更隙是子低（迁能导需吸的最小能应是带部与带部能差直带是在量矢图元7/42东吴证券研究所素电子的价带底与导带顶对应的波矢相同，反之，若二者波矢有异东吴证券研究所对于接隙在价与带的迁需满能守对接带隙结构，由于价带顶与导带底的波矢不同，需在水平方向施加动量方可使电子完成跃迁也子迁程声子吸与射—方低高级迁必要有声子导跃生的率接结构生子迁概约为接间隙结的100一面跃释的部量会换声而光此二因素决定了直接间隙结中子在高低能级间的迁率更高。如前述对激器而言输激的键“半体的子收，由低级高级迁电子不定高级落至能在一中以子形式释放能量可见，电子跃迁的效率是激光输出效率的本源，故直接带隙结构的半导体更适用于制作激器片三族合大为接间半体如AG、nP部三族物如GP及Si则于间带结是GAP等三族合在光芯片备应普的础。图5：直接带隙、间接带隙的能量-波矢图能能量-波矢图：能量输入能量输入 直接带隙 间接带隙 价带低能价带导带底、能带顶对的K值（波矢）不同电子跃升时需吸收子，回落时需发射子，跃迁概率大幅导带底、能带顶对电子回释放光导带高能高能右图间接带直接带数据来源：维基百科、ipac、整理三五族化合物可形三及以上化合物作为延料通过调整各组分元比例,可获得期望的激光出长满足多样化场景光芯输的光源从导带层落价层释的光故光波要由放子波决光的波长光的率而子的量反输出激光的波长将主要“子由导带底回落至价带顶释放能大小”决定，即半体料的带隙对于SGe而言除电子跃效较外它为单材隙定故只发单波的对五族化合而单化的带同固但可按不比进混成同的三及上合物由可得种隙需指出光芯片的衬底通常还二化合物，三元及以上化合物般为从衬底上生长出外材料。8/42图6：材料的带隙-波长-晶格常数图及典型应用场景所需激光波长典型应用场典型应用场所需激光波连线代表线段两端的化合物可按不同比例混合，由此激发的光子可横跨多个波长工业造连线代表线段两端的化合物可按不同比例混合，由此激发的光子可横跨多个波长带隙（单位：）730880nm带隙（单位：）波长 850nm（ 905nm单 940nm位mev： 1330mev） 1550

数据中心激光雷达3D传感光纤通激光雷东吴证券研究所200+东吴证券研究所气体监测 晶格常数（单位：A） 数据来源《基于Inb的新型红外探测器材料（特邀《半导体激光器研究进展，整理三五族化合物中，P与aAs两类材料在激光光芯片衬底中居于流GAs是目研得成产量大化物导材有子移带度大等点适于造频、速器与路；nP则有电转效与高子迁移抗射品者各优前述CL面发激器片以GAs材料为底而FPFEL类发激器片主以P料衬。探测器芯片工作原理：依光电应将光信号转为电号探测器芯片又称光二管PD通过光电应别光信号转为电信效应是指在光照下，材料中的电子吸收光子的能量，若吸收的能量超过材料的逸出功电子逸材形光子同产一带的空光二管时在双极加反电—无照射由二高电路存在小的反向光射由光效产的穴前往接压负电子往外接电的极从增二极中反电，此实对信的测。阳极阴极单位：lux反电反向电流阳极阴极单位：lux反电反向电流（反向电压电源正极与二管阴极相接）光强越，电大，由将光转化为信号未光时流光强光强为00lx时的电流反向电流（）外接反向电压光电二极管μAμA数据来源：维基百科、立创商城、μA9/42东吴证券研究所典型探测器芯：P、P、S东吴证券研究所PN光电二极PNPA（雪崩光电二极管S（单光子雪崩二管）的使用最为广泛，者敏度逐次提升传的PD二管基部是N，P层由P型料成空居多带电N由N型料成电居（带电，当N结到光时产生电应PND是在P与N间了I层—I层为杂极量P型料或N材的净半导构。较统的PN，当施反电时，I层为PND供宽尽区从提光转的效。光照 P层 N层电触点图8：光照 P层 N层电触点电触点电触点光照 P层 I层 N层PN光电二极管 PIN光电二极管数据来源：维基百科、Enlitech、整理PN光二管工理如所：图9：PN光电二极管工作原理②②无照时，层电阻率高，I层中电子空穴的移使电以穿过PI-N结IIII反向电无光照P层富空穴施加反向压时穴向电负极③由一来，反向光流形由于P-I毗邻处电子更多，N-I毗邻处空穴更多，故I内部电场方向如上N层富电子施加反向压时子电正反向电有光照①光效层激发出子-对，在部电用下电子、分别朝、P层动施加光照后反向电流形成施加光照后反向电流形成数据来源：维基百科、华强电子网、整理AD在PN基础上增添高掺杂的与N层，该结构容易发生雪崩增应。AD在高反电工收光形自由子空能加而获得更能晶碰产生对的子穴连反光流——雪崩增而电流高光极管响度信主要用在长距或功受他制而小光通系。10/42东吴证券研究所D在高于击穿电压反向电压下工作这一态高度不稳定单个光即可发大量的电子空穴对雪崩进而产生电流，理论上可实现单光子探测东吴证券研究所给D施高击穿的置压极管处亚放大用很大，至探到光也会起崩应而现电脉。图10：APD与D光电探测器结构图 图11：D工作电压高于击穿电压，可对单光子计数击穿电压击穿电压盖革模式 电压反偏置 电压高于击穿电压数据来源：维基百科、 数据来源：维基百科、esearchgate、探测器芯片衬：naAs占主流探测器光芯片材料选以材料光谱响应特为础SnAs占据主流谱响特是保入光强不的况同波的照材产的光流与入射波之的可以响度画种芯片料对种长射光的工作效—响度材料该波的测越灵当激器工作长以800n100nm居多SGGAs料探中占主由三料的谱响应线，Si料用于0100nm长探G、GAs用对10-1600nm波的探中。图12：主流探测器芯片衬底的光谱响应曲线主要光电探测器芯片材料响应度波长数据来源：Thorlabs、产业链：衬底价值量大，外延为核心光芯片制造：工艺杂外延为核心，DM模式主流相较逻辑芯片，光片产各工艺综合性更，头厂商多采用M经营模式。1/42东吴证券研究所对于辑片商新入的业用bes模式以减大模本投，从而将多源中入路优版设等环于芯行厂商采用DM式主因光子器遵特工，件价提不全靠寸的小，而有于能增特色需力加合括艺品务台等多个度。DM模使环节互合综提芯片能更敏东吴证券研究所光芯片制造工艺流繁晶体外延环节最关键光芯的艺程分外延结构设晶制晶外延构栅导刻金化程片工和测（理膜自化芯测、片频试、靠测验）大部。膜处理 晶圆制造 芯片加工和测试通过创波导计与膜处理 晶圆制造 芯片加工和测试通过创波导计与度波加工可光/小发角，反射能3.波导光刻基MOCD工，外生长高质晶体料，多量子有源层1.有源区外延4.金属化制程把个件到材料、工、连过程属化工，保器件与高频热特性2.光栅结构工艺利用电束直系统纳米级精度工，定波输出5.端面镀膜7.芯片高频测试为提升芯片使用及可靠借助专高频试系检验性，需芯片后腔镀 片的高特性通过改端面层特还可实现降低提升率等的6.自动化芯片测试 8.可靠性测试检验借助全动光测试完成全的光指标试通过严的老测试产品的可靠性数据来源：源杰科技招股书、整理外延为光芯片生产主和技术门槛最高环节源自工艺壁垒及时投壁垒。外延工艺上言过CD进精的体材精堆控时尤其在有源区，要多堆的结每厚在10米以级，到这厚度平的均匀准制一壁基础性时间投入延发厂投量时调试机台件数国企在这领大仍于本工累段。外延工艺海外公司为熟国内外差距较大产加速追赶海领芯片公司可行成片计晶圆延关工量产G以速率片内厂商普遍具有除晶圆外延环节外的后端加工能力，而在外延这一核心技术领域并不成熟需向际商购端延片我国2G光片仅部厂实批供货G以上率光芯大分厂尚研或规试产段。光芯片上游：衬底核原材料，海外厂商为导衬底为光芯片核心材成本占比最高对芯品质影响力最大芯所需原材料括底金与殊气等成本看据源科招书衬在光片原材料本的比往于30其需在程度响芯制厂的生成。对芯片品质影响力衬材料方决激光芯发光波另方面12/42东吴证券研究所决定测芯对射的响核工—外生将衬材上完故衬底料品将很程度影光片东吴证券研究所图14：光芯片各原材料成本占比数据来源：源杰科技招股书、整理衬底供应以海外厂为国内厂商替代逐步升于底光片质影响较大光片商向向海厂采衬住友工与同时外领的衬底公也供延长业而到内青近国衬商逐提升衬底化底技借性比受到来多内芯制造业的青睐根源科招书21220其购底的从78569元片续下至2020年的54.7元一大要因是大国内商衬采中占比。光芯片下游：光模应广泛光芯片经加工封装得光器件光模块集成程提升单位价值量升高芯片经加后成光测器品同可其电子件无器结封形成光发组（）接收件OA进加形成模。为光块后一光块备通而搭多芯此一光的信传递速率为芯信传速率若倍更合游客的求。上游：光芯片原材料中游：光芯片制造直接下游：光器/光模块 最终下游：广泛应用领域光芯上游：光芯片原材料中游：光芯片制造直接下游：光器/光模块 最终下游：广泛应用领域光芯制造光器件光模块衬底Si Ge IP Gs Ias芯片设计外延工艺晶圆制造 封装测试金靶体铟无源器件制造电芯片 PCB 结构件及套光开关等光分路器光隔离器无源组件激光器探测器光发射光接收组件光设备应用于不同领域//17109855533332电信与据中础设施消费电，如汽车电，如雷达工业制造医学医疗数据来源：Omida、ole、源杰科技招股书、长光华芯招股书、中际旭创2021年报、整理得益于优良特性芯片游应用广泛由信传速率耗且定，光纤信电与据心基设的设已可或而基正芯此同时，得益于激光波长集中、能量高的特点，光芯片被广泛地应用于工业制造、医疗13/42消费汽电等域当前光信消电是光片要应下而着智能驾的及以光达为要品汽电将迎需的猛长。产业趋势：光子替代电子大势所趋光通信领域光进退”趋势延续“光进铜退主要是现“窄带铜缆为主络向“宽带光纤的转变的模式，本质是光纤宽带设备端口不断下移、不断靠近用户的建设思想。对比铜缆光纤具有明显的优势宽息载更大最传输远原（英,SO）资源富光纤直比铜更耗低继距远光为金材料不受电磁频干；输密性更光铜成为络级的势。图16：FH/O渗透率不断提升 图17：我国宽带接入发展历史复盘109080706050403020100

2092xD

数据来源：工信部，

数据来源：工信部，中国政府网，，赛立信信研究，东东吴证券研究所随着内络础施不断级“进退为重的略展向：（100210年来国内网铜为AL当主的网在该时还暂现过DL技，速经达到1提基网覆率是一时期重到209我国民数有384，宽普达98.。（2）0205，H开渗，203年8，国院布“带”战略及施案次家层明宽网的略性共础施受益“宽带中国战该时期“光进铜退发展最快阶段光纤光缆透率这一时期到明显提升。215年底国内TH用达1.2亿户HO渗率达9.3。（3）016以光铜退趋依在断进，纤入步成阶，THO对DL的已基完。221底我国联宽接端达10.2亿个，THO户达5.06亿户渗为94.。光传感领域：光芯+FCW技术路线赋能规市场硅光高集性超兼容非契激雷的制需硅料格优势和集工有于低光雷成球围Aeveye以及Ao（收购14/42东吴证券研究所Backo）三硅+W术线光雷代企，beye在021年宣将主发光W术线Aea于今年发首汽级D激光雷达感而在国场洛科已经入品化验阶221初洛科技发了二代WoC片为现硅光CWD光达品了核技术随相技的成光片望赋能车动激光达产品的能升东吴证券研究所此外光够射组和血上监测量化物记因光学还能够赋无医监解方案用小寸疗备和费子场可戴设。光计算领域：好硅计算长期替代在计领据OpeAI计自212年每34个月工能力求会翻倍电芯的展趋逼摩定极以满高能算断长的据吞吐需硅芯用子替电进传以承更信输远距同时光彼间扰够提相于子片两个量的算度低两数量级的够为传统电计极的决方因从趋势看以硅光芯片为基础的光计有持续取代电子芯片部计算场景中的应用。电子计算机光子计算机逐步升级优势不易被扰动运算速度高，并处理能力强传输速率快图18：硅光计算愿景电子计算机光子计算机逐步升级优势不易被扰动运算速度高，并处理能力强传输速率快应用市场算力和能耗不断提升应用市场算力和能耗不断提升突破算力极限，成为超越“摩尔律”的新技术路径技术尚未成熟，看好长期替代未来高速、大数据量的最有前景技术尚未成熟，看好长期替代未来高速、大数据量的最有前景方案之一，优势将逐步彰显超大规模的信息储容量散发热量低，能量消耗小数据来源：光电读书，超大规模的信息储容量散发热量低，能量消耗小目前，光计算的相关研究仍然处于初期阶段，解决方案和系统架构仍然在探索中如何光算合现的通计且地将计芯化是来的研方现熟光计技和业仍时日当neM等巨以及TCB等构积极发规光集芯片国也现曦科技光子算数行领企。着硅光学术不成熟光算优将步彰。市场空间：数通领域复苏，激光雷达支撑远期成长概览：激光雷达市场接力数据中心需求电信数据中心消费子车载激光雷达是光片最主要的应用领域信领域15/42东吴证券研究所技术较成内相关品盖较增量间要自率级需；数据心场兴艾计算商大资步未场中期维快增；消费子域前场与者要苹，卓商用D感有；车激光雷达域力智能驶术雷达本光装车有望大幅升远东吴证券研究所图19：光芯片各下游领域市场规模及增速（亿美元）2025年$2025年$13.7CAGR=14$14.0CAGR=2022年$10.5$2022年$10.5$9.2消费电子车载数据来源：ole，Lightcounung，源杰科技，ID，汽车之心，整理测算电信领域：光纤入户、5G基站建设、现有基站升级三大驱动力电信领域光芯片发的要作用为光电信号换激光芯将信调为光信号，探测器芯片的功能则相反，通过光电转换，信息可经由光纤实现高速稳定的传递光纤通信在不同层通网络中均不可或缺为芯片创造广阔应用求由于输距较长骨干网域中汇层般光纤信有线接网其分为铜接光同合接光接由纤具信损高的性，“光铜已为线接网发趋无线接入网基内有源线单元A）分单U的接样要光纤这连被为传网。无线接入，光纤在前传中得以应用4G5GPON：无源光纤接入网络无线接入，光纤通过PON得以应用骨干网汇聚层接入层数据来源：华为培训、 数据来源：无线深海、整理16/42下游趋势：国内光入、5G基站高渗透，球具发展潜力光纤入户国内普及已高位存量市场速率升。纤入分为FT光纤到楼T光到T光入统为FT中纤户H是用接光的直方用衡光入的熟国入户及率已处位—至02年9国纤（FH口所带接端口中的比达95.5，根据Oda发的发展数告中已续两排行全球四光纤入户安保持着10的同比增速但随着普及率逐步高需求的增量空间较小从量级，我正施双兆发展略至202年9月，千兆光宽用为763万所固宽用中比13.存大展空。光纤入户速率升级是期内的需求推动力。图22：我国FH/O端口数量及占比 图23：我国千兆光网宽带用户数及占比100010008006004002000

21年 21年 21年 21年 22年 22年 22

1091.394.391.394.384.488.026.018.67.35.29.17.98007006005004003002001000401.1千兆宽带用户占比千兆以上宽带用户数（万户）22年月用户数环比增速2.4速2631.98364412813190609101280106840 642020 0东吴证券研究所FT/端口占比 FT/端口数量（万个）东吴证券研究所数据来源：工业和信息化部、整理 数据来源：工业和信息化部、整理全球市场光纤入户比对不高，光纤网络展间较。至201年9底，德有95的定带户仍用缆入法英的纤入户有线入的比例为3456美国纤入户比为14纤户大提升信速率与全定性有线入必发趋各政府企也定时表完善光入布，如盟计在200使光纤络盖有庭美国计在2027年光入覆庭数当的400万长至200万由此来欧洲及美国两大主要市场光网络还具有较大扩空。图24：我国5G基站建设数目及占比2025202020年G基数净超60万台2021年净新2025202020年G基数净超60万台2021年净新超652月新7.2.71.9201.5101.3151.01.18810837510475023500数据来源：工业和信息化部、整理17/425G基站建设领域，国体渗透率已处较高平但各个城市内的覆率存提升空间小基站建设动市内覆盖率提升也使G基站新增数目维持速长020年我增G站超60万站21净超65站222前季已新增9.5万站基数的速长为芯创了阔求。2020年国宣所级以城现G盖201时现G盖超过98县城与80乡镇基站建设正宏基站向小基站过现区域内部更深度的5G覆盖。表2：我国三大运营商5G小基站建设布局情况运营商 5G小站设局况21年4，购G型小站营试设，主用广、江江苏天、川中国

22年1，布022年G展小站技术试告》22年4，动研G扩展小站采用全国1中国通 暂未布中国动 22年8，布223扩展皮站备采中标选，次估购规为2数据来源：人民日报海外版、C14通信网、各公司官网、应用种类：光纤入户.5G占主流，移动通信02G占主流以工艺划分信领域光器主要采用EFL三种光芯片CEL主要于00以的距离DB要中长离如FTx接入无线基EL主用长距传如速远离的干与域前E激光芯大模用最高率到10FBCEL激器片规模用的最速为5G以率划分，光纤接入要用2.5G光芯片，移动通领域主要应用10、25G光芯片从市规看2021年球移通领光块应用况为：1G及下率块比333，G上速光块比6.7，这占比与移通域1G2G光芯的布体致。2021年国内G建设为1G光芯片创造的需最，但展望未来，5G光芯片创造的需求或将回暖200年G站设始对5G光片需提升由于信运营基建目的整，221年G站所需光渐以2G高率为主以1G为主对25G光片采减。表3：202-221运营商关于5G建设的集采情况（万）2020.3中国动频段（万）2020.3中国动频段2GH，宽60H用2G芯片23.212020.4中国信中联通频段3GH，宽00H用2G芯片25.292021.7中国动中广电频段0H，宽30，用1G光片48.042021.8中国信中联通频段2GH，宽5H，用1G光片24.2

集采基站数东东吴证券研究所数据来源《源杰科技：8-1发行人及保荐机构第二轮回复意见、18/42东吴证券研究所各运营商逐步在小基站领域展开建设布局。小基站旨在东吴证券研究所从而医店商场场提信辅其覆范要较对需带宽则出高准25G光芯片或与小基站设需求更为契合。电信领域光芯片市规模基于Lghcounng对T（纤入移通模块场模计及源杰科中旭等披露成资电域光片场模算下我预计205电领光市场模达3.96亿元2222R达81%。表4：202-225年电信领域光芯片市场规模测算2021202E202E202E202E光模全市规（美元）光纤入域模市规模亿元）5.235.245.405.926.31光纤入域模市规模yy10.6%0.2%3.1%9.6%6.6%移动信域模市规模亿元）24.7325.5828.5931.2233.55移动信域模市规模yy14.2%3.4%1.8%9.2%7.5%电信域模全市规模亿元）29.9630.8233.9937.1439.86其中：10G及下率模场规模10.2610.3610.951.7612.3225G及上率模场规模19.7020.4623.0425.3827.55对应芯及件中低率模毛率25%25%25%23%23%高速光块利率30%30%30%28%28%直接料光块本例80%80%80%80%80%光芯及件光块接材比例85%85%85%85%85%对应芯片光芯占芯及件例70%70%70%70%70%光芯片全球市场规（美元）10.2310.521.5913.0113.96光芯全市规yoy2.9%10%12%7%数据来源：Lightcounting源杰科技：发行人及保荐机构回复意见，测算数据中心：光模块速率持续提升，资本开支驱动增长数据心一拥许存储处大信的算机设基数心云计算商为户供服如用无购拥有维数中及务器可获得计算能力、存储、数据库等技术服务。云计算厂商会努力在全球各地布置基础设施例如全各设可区于中置缘与区性存户可在位于当的据心运服而得快应速同确运据能留在国在这一领域光主要用于实现数据大数据中心内部数据中心的传输，这与光芯片在电信域现的功能十分相近。19/42东吴证券研究所下游趋势：云计算商收与东吴证券研究所受益于经济回暖字化势更多产业逐渐计算巨头营收规模长猛。2016221年，AazonGogecoso/阿里云的营收规模R分别为38.547521.26.7一面数化成越来多产的展势可以使各公轻调已技快进创还能据际求置源将司原本用于数据中心和物理服务器等设备的固定支出转变为按实际用量付费的可变支出优化司成另面各司求后时代大模提灵度故紧行动比来积地用云础施云务品。图25：201-221全球云计算巨头营收规模（百万美元）16-21年16-21年116-2年116-21年2021yoy=7.62021yoy=47.1年2021yoy=25.970,00050,00040,00030,00010,0000Amazon Google Microsoft Oracle 阿里云201620172018201920202021数据来源：各公司官网、整理云计算巨头EX维较高增速且厂商大投资数据中心的态坚这将为光芯片创造出大需。20152021年AaonGogecoso阿里云AX的CR为52.19.20439.4数中领域光片长驱主要：第一新可区基站来数中数增量第二数中级改服务器交机率升造的各头认为前计尚产早示会继加投，而为光片来定需增量。图26：201-221全球云计算巨头CPX变化（百万美元）15-21年15-21年2021yoy=58.315-21年CAGR=19.3120211-21年2021yoy=32.915-21年CAGR=12.92021yoy=52.350403020100Amazon Google Microsoft Oracle 阿里云2015201620172018201920202021数据来源：各公司官网、整理20/42应用种类：L与EL互补，速率需达到50G及以上从衬底与工艺看，nP底用制作PD、L边射光芯片和PN、AD测芯，适用于中长距离的数中间传输GAs用制作CEL芯片主要用于数据中心内的传输。从速率看数据中心对芯片的要求在通信域名最高当数中需光芯片以500G速率着据流量速高光模的市场需将断显而技术要过通方实现0G上模度的升，而若据心入0G及更速的台每通道需激器片率也随之提至10G传的DB光芯短内同时足带良的要故需考用EL光片，而现长10G高传。当前国内云计算公与外公司使用的光模速尚存差距进而影响该国内外下游市场对光芯的求海互网司主要用0G光块2020年起开始规向20G40G光模过内联司目主用4G1G光模，并从022年始进2G40G光块量署。数通领域光芯片市规模受益于数据中心增量需求与存量升级改造的需求，我们预测光模块总销售额在2021227间或实现AR=1光块求较快长驱厂商务地域扩可据数目是据升级代更率光块。图27：202-227年全球云计算公司光模块总销售额（亿美元）

两大驱动力：1201006040

厂商服地域大，区、数中心目增数据中升级造，厂商服地域大，区、数中心目增数据中升级造，为更高率的模块47.759.671.582.3107.3

2027E东东吴证券研究所数据来源：Lightcounting整理我们预测202027年云算公司为光芯片创的求将稳步增长R1，2027年市场规模达2.2亿美元。一算含假设①着25G及高速光模块产率升其格下利有下②接料光块本比光芯片组占模材成本例光片光片及件成比变较小。21/42东吴证券研究所图28：数据中心领域光芯片市场规模测算（亿美元）东吴证券研究所20212022E2023E2024E2025E2026E2027E光模块总销售额高速率光模块毛利率直接材料占光模块成本比例光芯片及组件占光模块材料成本比例光芯片占光芯片及组件材料比例光芯片市场规模（亿美元）9.311.714.016.618.420.122.2数据来源：Lightcounting各公司官网，整理消费电子：苹果主导，940nmEL为主流相较普通摄像头，D传感（包含双目立体测、构光）可探测环的深度特征，广泛应用于消电子领域。D传通由多摄头深传器组，通过投特波的动光算线射射时差方获体的度信息D传摄头实人脸别手识建模多功适于移设备、器、防控多种端人识为前D感像最的功。图29：结构光方案工作原理 图30：OF方案工作原理 光 光谱条纹 目标像素点待测物体 衍射栅 矩阵机激光斑投影仪成像素点三角测量底座 发射器VEL激发信号传出Snlt传感器SD单光子二级管数据来源：laserfocusorld， 数据来源：欧司朗，图31：光芯片在结构光方案中的应用 图32：光芯片在OF方案中的应用接收器镜头VCSEL发射器基板SPAD接收和控制IC发射镜头数据来源：奥比中光招股书， 数据来源：欧司朗，整理光芯片用于发射激作测距基础在结构方案F方案中均不可或缺对于22/42东吴证券研究所结构光传感器其要激光影学模像理片中光投影组于待物投射斑包激发器镜射学等部光芯片用构激发器对于F方案光器片要于射光脉，同时SD等测光东吴证券研究所下游趋势：苹果主，卓阵营中渗透率有提升苹果产品为D传感消费电子市场增长主要动21207前果与安卓阵的为联入3D传摄头后同安卓商作尝，只有果坚持代展今苹在手前均用D像头并旗产具超高度D面部别功。221，苹销大，推动D传消电领的售达36亿元3.26亿，卓未明显进。图33：安卓与苹果产品应用3D传感摄像头的历程20162016-2022年3D传感器在移动设备上的应用 TOF方案 结构光方案数据来源：ole，当前3D传感器在安卓品中渗透率不高但者习将逐渐养成率将逐渐提升根据oe分卓当未泛用D感的因是特的功，如生识，下比3D传对的脸别价比高2后摄上的3D传感暂足优的与匹前有量R游和能常的P未来随消者同增，安营D感升空。们计苹销量及3D传渗率升动消费子D传市模将步长。图34：202-227消费电子3D传感市场规模预测 图35：201021年消费电子领域光芯片厂商竞争格局 2年 3641364152586266eams5其Broadcom 2年 Finisar11Lumentum41Vertilitemams4其他7Trumpf12II-VITrupf6Lumntm42II-3765555045402021A 2022E 2023E 2024E 2025E 2026E 2027E数据来源：ole，整理 数据来源：ole，整理23/42东吴证券研究所应用种类：94m东吴证券研究所从工艺看结构光方案多用ECEL光片EL产一体大用于较测范的用景VL积，较小量围用景OF方案也多以CL片激光D片测器从波长看，用消费电子领域光芯片以940nm的L光芯片为主流；来若多动备商展屏摄像头13xx4xxnm将成主，一的VL片以P衬底。图36：光芯片应用领域发展与各领域所需光芯片波长850nm，这一波长主要用于数据中905n，大部分激光雷达制造商使用这一波长下EE芯片，少部分VCSEL片也用此波长940nm，消费电子中VCSEL芯片常用此波用于制作屏下显示设备数据来源：ole，Oweek，消费电子光芯片市规模基于安、果品来D感透率分及22222苹的数据，对消电领光片市场模做测。们计225年费领域芯片将有3.70亿元市规模20212025年C=146。表5：202-225年移动消费领域光芯片市场规模测算2021A2022E2023E2024E2025E移动消费3D摄像头出货量（百万颗）326.00368.38416.27468.30526.84移动消费3D摄像头单价（美元）11.0411.0411.0411.0410.93移动消费3D摄像头市场规模（亿美元）36.0040.6845.9751.7157.60VCSEL光芯片占3D摄像头成本比例22.122.522.923.423.8VCSEL光芯片市场规模（亿美元）7.969.1610.5412.0813.70数据来源：Lightcounting源杰科技：发行人及保荐机构回复意见，测算车载激光雷达：光芯片的新蓝海光芯片为激光雷达供光脉冲发射与接收雷达一综的探与测量系统——激光器激励源驱动激光器向目标发射激光脉冲，扫描系统以稳定的转速旋转实现平的电探器收标射的激接信经系统大处理换算得标物表形理性等征激雷主包括光发射描统光和信处四系辅相中光射统主包括半导激器激器励源激调器光雷的心统而导体光器作为光射统核器件为个光达供激脉。24/42东吴证券研究所激光接收器激光发射器基座驱动部件图37东吴证券研究所激光接收器激光发射器基座驱动部件数据来源：vonhog， 数据来源：Yyonhong，下游趋势：车载雷为芯片最快增速支点受益于高级辅助驾驶自动驾驶技术逐渐成熟激雷前景广阔大势所趋高级辅助驶自驾的方案，前在纯觉”“传器合两种案，其中特斯拉采用前者,其余车企大都采用后者。首先，随着高级辅助驾驶自动驾驶技术逐渐成熟，搭载自动驾驶功能的汽车将不断放量，从总量上为激光雷达创造大量需求其视方需强的据算积除特拉其车难选这一方加多感合方将汽增安冗余—许感的障能互补传感弥“多传器方案或将成为未企主流前于本搭载精度激光达产不随着激光雷达成本下降质激光雷达渗透率进步提。图39：202-225年乘用车激光雷达市场规模测算2022E2023E2024E2025E全球乘用车市场全球乘用车销量（万辆）5700587160476229全球乘用车销量yoy333全球新能源乘用车渗透率18.424.731.440.1全球新能源乘用车销量（万辆）1049145018992498中国乘用车市场中国乘用车销量（万辆）2150221522812349中国乘用车销量yoy333中国新能源车渗透率25.631.643.855.3中国新能源乘用车销量（万辆）5507009991299车载激光雷达市场规模全球乘用车激光雷达渗透率271318中国乘用车激光雷达渗透率3101620全球-搭载激光雷达乘用车数量（万辆）21102247450中国-搭载激光雷达乘用车数量（万辆）1770160260全球-平均每车激光雷达搭载量（颗）1.61.722.3中国-平均每车激光雷达搭载量（颗）1.622.32.5全球-乘用车激光雷达出货量（万颗）341734941034中国-乘用车激光雷达出货量（万颗）26140368649全球-激光雷达平均价格（美元）1000700600550中国-激光雷达平均价格（美元）900600550450全球乘用车激光雷达市场规模（亿美元）3.412.129.656.9全球乘用车激光雷达市场规模-yoy259.9145.292.0中国乘用车激光雷达市场规模（亿美元）2.48.420.229.2中国乘用车激光雷达市场规模-yoy253.2140.844.5数据来源：中汽协，沙利文，测算应用种类：LCL应用广泛，905550或共存按工艺划分，、CL激光雷达光芯片中应最为广泛EL采纳堆叠25/42东吴证券研究所技术PN结互叠主要点在区小寸内供功激输，这其成为程光达首技术从应商看司的EL光片汽电子获主流用Lumnum的EL片主用消级别CL片具激光达所需优性时造工与EL兼规模造成较欧掌握着L光芯片的重要专利技术，其余光芯片厂商主要从VL芯片寻求突破，Lumnun、V、长华等内巨在这领东吴证券研究所按波长划分90m为激光雷达光芯片首选长05nm光可配基电探测器来接收激光，因为根据前述光谱响应曲线，硅能在05nm波长处吸收光子；而1550nm激器需GAs测，者成较低成更。外由于前VL光片游域消费子主，其造厂的以90nm多。车载激雷尚放之为约本分也将40nm的VL光器于激光雷，可短雷中发效。在半导体激光器之10nm光纤激光器亦得到注述ECL芯片均属半体光半导材为浦纤激器是一固激光以光作泵源换之导体光除直发外可为泵源于150nm远离眼收可光长较于05n同功的150nm使眼的全性提升40可更功率提穿能1550nm配调连FW）技术仅检距可利多勒移测物体相于的90nm激光雷，150nm的器与测的本高体积大供链熟较低这些为其泛用添成我预计550nm未与90nm光共存主要于以安性核卖位和牌位为档车是于卡特殊位的车辆据oe统，221年05n150nm所市场额为6914。激光雷达光芯片市规模图40：202-225年车载激光雷达领域光芯片市场规模测算全球乘用车激光雷达市场规模（亿美元）全球乘用车激光雷达市场规模（亿美元）中国乘用车激光雷达市场规模（亿美元）机械式激光雷达所占比例MEMS激光雷达所占比例Flash激光雷达所占比转镜式、棱镜式激光雷达所占比例机械式激光雷达中激光器、探测器光芯片所占比例MEMS激光雷达中激光器、探测器光芯片所占比例Flash激光雷达中激光器、探测器光芯片所占转镜式、棱镜式激光雷达中激光、探全球乘用车激光雷达光芯片全球乘用车激光雷中国乘用车中国2022E3.42.46617102023E12.18.457212024E29.620.22025E数据来源：ole，汽车之心，elodyne官网，法雷奥官网，Livox官网，整理测算基于乘车光达场规的同方式光达场不同激光雷中芯探器芯片本比据搜2022225车激雷领域光26/42东吴证券研究所芯片市规得测，我计225年激光达场造东吴证券研究所为1231亿元包光器探器。一包含个设①描式的进：机械激雷的额逐渐小半态式态式额升②光射测单元在光达的本比变幅较。II-、letum复盘：光芯片和器件龙头的成长之路Luntum：消费电子EL龙头，车规彰显实力Lm是一家专业激光器厂商拥有全球先的CL技术L技术和光通信激光器技术。展历可至179年立的传产供商Unphae。1999年Unphae另家成于981年光络产供商DSelnc.合为为球网域的导015Lenum从DU分来成为一家立上公继承业学务Lm主要分为光通信和光器两大业务部门主产类包芯器模块商激器品应领域涵盖信数通消和业等块客包苹果CoAazn国龙企业。图41：em主要产品及客户情况数据来源：Lumentum222年报，Lumentum官网，图42：em营业收入逐年增长 图43：etm归母净利润稳中向好数据来源：loombeg， 数据来源：loombeg，27/42Lm营业收入近来整体呈现增长趋势F22营收R为1.。Y022公营同比00为171美中收比较的通业同比6.%至152美要信产材和件缺致光信务收降也致公司Y22营的降光器务+59.至19亿美，要复产后户对千瓦光激器需恢复。图44：em毛利率连续4年增长 图45：em研发费用率较高毛利率净利率Y毛利率净利率Y14Y565 425 05515

Y14Y15Y16Y17Y18Y19Y20Y21Y22数据来源：loombeg， 数据来源：loombeg，除Y219收购cao来净利润的短期承外公司利润水平近年呈出稳中向好的发展趋势。222，司现母润4.2美。利处高水，并已现续4年长2022达到6.05利则由研费的长在Y022出现定滑公司注技术创新研发费用率期维持在较高水平Y02公研发费为15.同3.2pc。公司前瞻布局L产品及3D传感，在L产品市场形成领先优。005年和007年DU分收了gyCouncaon,nc和cogh,nc公司来了面企数中和D感域CL产的重技也展了Lnum光通和光业的度和度在200Lenum开布局D感市，截至020年已计超过85颗D激器片，中EEL500颗VL超8亿颗201701年，Lm在L市场的份额均在0以CEL产品也为公司带来量收。根据oe提的计算2018年CEL品的入增速过00，要系uenum始苹提供VL芯所；201年，司的CL品场模到5.2亿元。图46：em长期占据EL市场40%份额 图47：emSL产品收入持续增长000

unm II 其他 65

10VCSL收入（VCSL收入（亿美元）同比（右轴）04 8000 3 6000 2 4000 1 20007

08

09

00

01

0217

218

219

220

0221东东吴证券研究所数据来源：ole， 数据来源：ole，28/42智能手机人脸识别能写D传感行业格局为m的CL产品带来广阔市场。207之3D传主应用工感、光印光鼠等。217年1月苹果司的eX产放了式指解uch开创地采用D人识（eD并过载VL实现脸别能hoeX此成为全首大模用D感能消电端。此后整产生态速成熟D感在脸拟现R防控机器等场域续到应，VL外用长的特也使成动3D传的门择。图48：自208年起，苹果就成为eum第一大客户CienaCiscoHuaweiAlphabetApple**********************数据来源：Lumentum215-202年报，（注：*表示占总收入百分比小于10%）自208年向e提供CEL芯片以来，苹成为Lenm的第一大客户来自于苹果的收入额稳定在2以上200年苹发的款d和e首次载于oF激光达其可址L列由uenum供计算Y18Y2Lumnum来苹的入为3.7334.45.349元。Lm常采用合作方式拓展L市场与其他领域的头部企共开发具有市场前景的产从用场景看侧于D传感和汽车激光雷达此外en也长期采用并购和品发提高在光芯片市的心竞争力。表6：em通过合作、并购和产品开发提升核心竞争力时间时间 事件类型 事件简介28年2月 并购20年2月 合作

完成对cao收购，为公来业界领先的磷化(n)激光、光子集成电(I)和相干模块研发制造实力与Ifna宣布合作将基于R光学的网络解决方推向市，以应对运营商在供新的5、增强型宽带和基于云网络商业服务面所面临的传输网挑战20年1月 并购 宣布收购riua部分专其他知识产权在内部分技术产首发五结和六结L阵列实现单个发射器的功率超过，从而使一平方米L阵列的峰21年3月 产品开发21年5月 合作21年2月 合作22年1月 合作

值功率超过80W与I视觉片公司brelaS图像传感器解决方案供商Neinutr合作，以baela的I觉oC为，通过结合uetm高性能L阵列和Neicdcor的图像传感器，提供用于物识别D电子锁和其他智传感应用系统解决方案与tnly作，开发应于车应用的高功率外L产品，成为世界首款用红外L的车载传感设备22年4月 产品开发 陆续推出高性能M系列结L阵列产品5-0、20、31022年4月 产品开发 陆续推出高性能M系列结L阵列产品5-0、20、310，值功率分为0W、东东吴证券研究所29/42110W40W在3D感、器人技术、汽车和业激光雷等领域得到应用22年6月 合作

与化合物半导体晶产品供商IE签署战略协议IE为untm的L等激光产品提支持3D传感、车激光雷达及络应用的外延片，此拓展在车和生物识别领域应用222年7月 合作 与高精度贴片机供商I激光雷达领域展开作，提供车激光雷达的创新解决方案22年8月 并购

完成与ootns的合并，高公司在光器件领的市场竞力，抓住在云计算电信基础络设施等领域的发展机会为高速光络客户提供差异化光子学技产品组合东吴证券研究所数据来源：Lumentum官网，obeNee，mbarella官网，nley官网，ohotonics，iometricpdate，Electro东吴证券研究所Lm股价整体呈升趋势，游场气、收信的布及品供应形的是Lumnm股价影的主素。图49：em股价复盘（美元）数据来源：Lumentum官网，Lumentum216年报，ptica，NC，enzinga，MEM，hotonicsMedia，arketatch，III：光芯片碳化硅，持续收购注入增长动能VI公成于171，于197在纳达上市是程料光元件的全领者022年7VI完成对Coeent的购并的司名为oheen，并重划了料网络门激部们将点析购Cohet前的务情况。VI产品体系健，下游市场广阔。09年VI购nr，将激光解决案光子和能品重整形成光子学解决方案和化合物半体大部门。图50：-VI产品体系健全，下游市场广阔数据来源：II-I2020报，30/42东吴证券研究所主要产包收发、D、程料、进学设备激设备系，等等公生的工材电件器件通业汽导本设生命科航航及费子领得泛应各业均了大的优质客资至022VI在球4国的130个区址东吴证券研究所超过8000名。持续增长的营收规是VI的一大亮点从VI长期收据从195年至今的8以，除202和Y009外公营规续加Y201破1亿美元2018突破10亿元Y022实现3.2美元收1995008收GR为20.5，Y209202GR为0.6。VI能近30年间续定，重要原因在于长期外延并购，并以此获取关键产品和技术，抓住市场机遇，实现竞争优势图51：-VI成长的关键阶段始终伴随收购数据来源：II-VI官网，II-I2017、201年报《II-IIvestoreentation,2017《II-IInvestoreentationpt,202》,VI公司成长的重要阶始终伴随关键并购发自195起司始了“外并”历，将并视实公长发展重战：（VI在0世纪末完成两项收（rgocLghtngca助公司拓了型学件场项购帮助VI在1997年现570元的入，几是3前入额三倍；（001年VI收购了一家生产用于工和事二氧化碳激光器公司LasrPwe公近半售额来与方合过对Laserwer收VI顺利开了防事域场，公在001财收入了66；（）2004年12月，I签署了对arow公司收购协巩了司光学和光元方的先位，带未数营的持增；（）2009年12月，I收购了中国激光机光产品生产商Phoo（高意，该公司光产与统块消电等务上有全领地此次购开了-VI军通市的帮公走全性金融机在Y010速扭营收31/42东吴证券研究所颓势并动Y01入加46，举开了公在东吴证券研究所（）2014年，VI收购了asrrpre和Newokons公司，之受益于球通市的求扩，Y014公营实现速长；（）209年9月，VI收购了全球光通信域头Fin有拓了合物半导和子解方平台nr拥有用于3D感激雷的先GAs平台在购已备2G10G0G据心模94nmDB光VL阵列产的产力在完对nr购VI营曲陡，体量到显著大Y200收模达3.8亿元增为75开历新；（022年7月VI完成对oheent的收购VI在料面技识与Cohent在光统的规形互增公司务型多很程度拓展公的营模进而现司材、络和光域全领地位。收购信号的释是VI公司的股价变动的个要因素。从VI长股价表现来宣进收时常够来司价短的升此外游行（如数通市、D感等的市场气度会对股价产较为著的。近年公司完了项型购股价动为显。图52：-VI股价复盘（美元）数据来源：II-VI官网，obeNee，ptics，II-I2017、2021年报，VI公司的毛利率、率长期保持稳定。利率期持在35的较高水除2020由购nr生购用成净润负司利率期保在7右Y02公毛净率别为3.17.1从研发费用曲线的走势来看公司对产品术开发的重视程度不提高Y200公司了对G技术D传化光雷等兴场品开发度研费达4.3历史高平Y202发费为14根公司告截至202年7月VI工程技员过440名，利量过00032/42东吴证券研究所图53：-VI公司毛利率、净利率长期稳定 图54：-VI对研发的重视东吴证券研究所 数据来源：loombeg， 数据来源：loombeg，商业模式探讨：需求变化快、盈利不稳定，把握上行周期光通信行业的需求存明显“脉冲特征段光芯片的需求重不致，相关企业的盈利情受场刚性需求的影响大以源科为200我国G基站大建并极用2G芯片公抓了机遇020营同增达187，而当221年G基调为1G芯方后年公收出下。27年苹果用CL片现脸识功后苹占uenum营份迅飙至30，也能一程上现芯片业需脉性。在G站规建设G站规建中心规建三明的阶段中，V、uenum价也市需重变呈现“冲”征在三阶段的初票格会来上期随市成竞加剧股价出现定程度的动下。图55：-V、Lem股价随市场需求变化呈现“脉冲式”特征数据来源：loombeg，绘制；注：股价单位为美元另一前游块的场动已骨网络纤户为数据中心建需体看数据中心市场也存需求迭代目前正处求升级的键时期。内互网司对模的率求从100G升至20G40相应，数通域光片率从2G向5G代G及以高率芯正于上期，33/42东吴证券研究所相关品求计东吴证券研究所图56：200G/00G光模块迎来上行期，带动25G以上光芯片需求增长（百万美元）数据来源：源杰科技-发行人及保荐机构第二轮回复意见，Lightounting，整理光芯片和光通信器毛率通常呈现出先升后低的趋势在产刚完成时于艺平不熟之品率低毛利也对高随技术平的提升产的率迎增后产品市竞日饱利将出现落因此为实长期良好的利润水平芯片公司需要持续发合市场需的产品，把握利润平上行期。产品发要入定本市开和户的确也要费定间若在市释新需信后再发产可错过行即产终投市场时产的润平已处回阶因具备定金力企会选通过并购方快获技品客资赶上行由光芯片厂商欲实现长期成长，可通过持续的并购和技术研发开启良性的成长循环，注重“战略适配性以更好地迎合市场求VI和Lumnum均用该发逻通持战略购和产开应光信业的脉性特，现了业领的长力。图57：光通信厂商利润水平波动周期 图58：光芯片厂商良性成长循环路径数据来源：绘制 数据来源：绘制产品体系健全度和业整合能力也是影响通企业增长稳定性的要素。Vm以及国内领先光芯片厂商杰技纷纷采用DM设计生模，在该式片计制造封到试由造商责进可现整个业链34/42的覆们为片厂用M式1有发核材供应运营联弱供商料供对产营约时据应多位也弱了“牛鞭效应”对公司产能规划和库存管理的影响，保障公司增长的稳健性（2）设计制装环协化保产从计造环的体降品良下滑对公业的响3DM厂产速更快增强企抵市波和需变化的能，障业长稳定。VI和m都拥有丰富的产品体系广的下游市场方上两家公司都采用了收购来拓宽产品体系。VI近期收购了ohe，Lumnum则收购了Neoncs尽在完成后VI的务构加分而Lumnum加集，但收购行为无疑都拓宽了公司的产品和市场。我们认为，提升产品体系丰富度，能够（1过样的品类布满客差化求展公的游场元化的收来平了通行业“冲的收及润公司运营稳健2丰的结构提了司客提供统决案能和对户需求变的应力为司带潜的展增机遇。图59：-VI收购Coent丰富产品结构 图60：em收购oPotos丰富产品结构数据来源《II-IInvestmentresentationptember2022，

数据来源《Lumentumtoquireohoonics，东吴证券研究所国产化东吴证券研究所政策扶持，光芯片国产化稳步推进国内芯企正速发进芯国化势保乐光芯片的国产呈现出“从下游向游导，从低端向高端渡政策手段有效扶持的征。从下游向上传导：在光通信产业链中，下游国内头部光模块厂商已具备较强实力和较大规模。据Lighcoung计00年全十光块商国内商有1家，01年有5家国内模厂跻身O0，中创技与VI并列一。国模龙头业的全市竞力飞进海厂商渐于地模块本完。35/42东吴证券研究所2021年跻身全球十大光块厂商的5家国内企业着力布局光芯片，业纵向布局①际创资司苏创201开激光芯技发括东吴证券研究所EMVL片术50GA5技等②为在203便过比利硅光子司Caopa进芯片场③信带下芯事部备内先的外延生长激器片个条的造艺力201年芯的品括G2GDB、25GND/D/CDMBChps6budA4EL1G2Gunabe、Hghoer激器；④易完对ApeOpoeeconcs的购并借深入硅子片术市竞争⑤迅技实现0G及下芯批供2G光芯片模货目正大研力，步升G芯产工。我们认为随国内光块厂商全球份额持提光芯片技术断成熟光模应用领域拓宽，国光片产业链有望进一优整合，随之迎来国产机遇。图61：201-221全球光模块厂商份额变化数据来源：Lightounting，从低端向高过渡：图62：全球25G及以下F/FP激光器芯片市场份额 图63：全球1GFB激光器芯片市场份额 数据来源：IC， 数据来源：IC，中低速率光芯片（0G及以下：国内厂商占较市场份额，由于成竞等因素相关市场基本被国光芯片产品厂商代国内光芯片厂商具较竞争力根据《通用芯市调查告020，1G以下率芯已本现替，用于接网N模的1G以速的芯实现乎00自供1GDB36/42激光芯、ND器芯VL片实现全产替。杰科公司公中指国芯片业基握2.1G芯核技术除少技术门槛高产型对口存一依本实国内现出杰科技科芯佳武敏芯云光企业在分低率芯片品的市场占了高额。高速率光芯片（5G及以上：国产化率仍处较水平，国内头部厂已后开展研发生产，市场与有待进一步提高。据C统220年2G片国化率约为025G以芯片产率低至5随着通场持繁，目国内厂正速G及光芯的发奏近来内部商高率芯进展态势观源科技迅科佳子光电武敏等企具备G及以上分芯产生能力。表7：不同速率光芯片主要竞争格局产品速率主要应用领域海外头部光芯片厂商国内光芯片厂商专业光芯片厂商 综合光芯片模块厂商2.5G光纤接入☆★★☆★★10G

光纤接入 ★ ★★☆ ★☆移动通信网络移动通信网络 ★☆ ★☆ ★★数据中心 ★★ ★★ ★25G及以上移动通信网络★★★☆★☆数据中心★★★☆★☆数据来源：源杰科技-发行人及保荐机构第二轮回复意见，（注：★代表市场参与度）政策手段有扶持：国家对光电子技术业予了高度重视政策措续聚焦光芯片及其游用领域的发展东西略的步地“G建的持投有推国内通和电市的业链游国光片场注了大芯片发的直接推动政策和相关要求也持续发布，我国光芯片厂商正逐步缩小与海外厂商的差距与此信于222年6启《国子器产技发路（02-2027年》编，未来家策持高重视电技产，芯片业生态圈望一拓。表8：近年国家扶持光芯片的部分重要政策汇总相关政策颁布机构颁布时间相关内容和规定加快构建算力算法数据应用资源协同的全国一体化大数据中心体系，“十四五数字经济发展规划》国务院202年1月加快实施“东数西算”工程，推进云网协同发展，提升数据中心跨网络、跨地域数据交互能力加快企业数字化转型升级全面深化重点产业数字化转型。“双千兆网络协发展行动计203年》

工信部 201年3月

加快产业短板突破，鼓励光纤光缆、芯片器件、网络设备等企业针对芯片、高速ON芯片、高速无线局域网芯片、高速光模块、高性能器等薄弱环节，加强技术攻关，提升制造能力和工艺水平。东东吴证券研究所37/42《基础电子元器件业发展行动计（2021203年》《中国光