• 现行
  • 正在执行有效
  • 1985-11-27 颁布
  • 1986-12-01 实施
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GB/T 5594.5-1985电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法体积电阻率测试方法_第1页
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UDC621.315.612：621.382/.387：620.1中华人民共和国国家标准GB5594.5-85电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法体积电阻率测试方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodforvolumeresistivity1985-11-27发布1986-12-01实施：标淮国同家批准

中华人民共和国国家标准电子元器件结构陶瓷材料UDC621.315.612：621.382性能测试方法1.387:620.1GB5594.5-85体积电阻率测试方法TestmethodsforpropertiesofstructureceramicusedinelectroniccomponentsTestmethodforvolumeresistivity本标准适用于电子元器件结构陶瓷在室温至500℃范围体积电阻率的测定。测试原理陶瓷材料的体积电阻率是表征其绝缘性能的参数，其值为试样体积电流方向的直流电场强度与该处电流密度之比。当试样面积为4，试样厚度为，其体积电阻值为R，，则体积电阻率“为：·····…···…···（1）陶瓷材料一般具有负的电阻温度系数，其电阻率随温度的升高而下降。2试样制备2.11按GB5593一85《电子元器件结构陶瓷材料》的要求选取试样。2.2将试样进行清洗、下燥处理。2.3在试样的两平面上按GB5593一85表2和本标准图1所示烧渗层银电极。4-525±0.5一620±0.5635±1图1测试样品示意图一测电极；2一绝缘间距

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