GB/T 4937.18-2018半导体器件机械和气候试验方法第18部分：电离辐射(总剂量)

ICS3108001

L40..

中华人民共和国国家标准

GB/T493718—2018/IEC60749-182002

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第18部分电离辐射总剂量

:()

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part18Ionizinradiationtotaldose

:g()

(IEC60749-18:2002,IDT)

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

半导体器件机械和气候试验方法

第18部分电离辐射总剂量

:()

GB/T4937.18—2018/IEC60749-18:2002

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100029)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

:400-168-0010

年月第一版

20189

*

书号

:155066·1-61111

版权专有侵权必究

GB/T493718—2018/IEC60749-182002

.:

前言

半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成

GB/T4937《》:

第部分总则

———1:;

第部分低气压

———2:;

第部分外部目检

———3:;

第部分强加速稳态湿热试验

———4:(HAST);

第部分稳态温湿度偏置寿命试验

———5:;

第部分高温贮存

———6:;

第部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分标志耐久性

———9:;

第部分机械冲击

———10:;

第部分快速温度变化双液槽法

———11:;

第部分扫频振动

———12:;

第部分盐雾

———13:;

第部分引出端强度引线牢固性

———14:();

第部分通孔安装器件的耐焊接热

———15:;

第部分粒子碰撞噪声检测

———16:(PIND);

第部分中子辐照

———17:;

第部分电离辐射总剂量

———18:();

第部分芯片剪切强度

———19:;

第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

———20:;

第部分对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分键合强度

———22:;

第部分高温工作寿命

———23:;

第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验

———24:(HSAT);

第部分温度循环

———25:;

第部分静电放电敏感度试验人体模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分静电放电敏感度试验机械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分静电放电敏感度试验带电器件模型器件级

———28:(ESD)(CDM);

第部分闩锁试验

———29:;

第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性内部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮

———33:;

第部分功率循环

———34:;

第部分塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493718—2018/IEC60749-182002

.:

第部分采用加速度计的板级跌落试验方法

———37:;

第部分半导体存储器件的软错误试验方法

———38:;

第部分半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量

———39:;

第部分采用张力仪的板级跌落试验方法

———40:;

第部分非易失性存储器件的可靠性试验方法

———41:;

第部分温度和湿度贮存

———42:;

第部分集成电路可靠性鉴定方案指南

———43:(IC);

第部分半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法

———44:。

本部分为的第部分

GB/T493718。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件机械和气候试验方法第部分

IEC60749-18:2002《18:

电离辐射总剂量

()》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所中国科学院新疆理化技术研究所西北核

:、、

技术研究所

。

本部分主要起草人席善斌彭浩郭旗陆妩陈伟林东生何宝平金晓明崔波陈海蓉

:、、、、、、、、、。

Ⅱ

GB/T493718—2018/IEC60749-182002

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第18部分电离辐射总剂量

:()

1范围

的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60射线源电离辐射

GB/T4937Coγ

总剂量试验提供了一种试验程序

。

本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法这种退火试验对低剂量率

。

辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的

。

本部分仅适用于稳态辐照并不适用于脉冲型辐照

,。

本部分主要针对军事或空间相关的应用

。

本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化因而被认为是破坏性试验

,。

2术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

21

.

电离辐射效应ionizingradiationeffects

由辐射感生电荷引起分立器件或集成电路电参数的变化

。

注也称为总剂量效应

:。

22

.

辐照中测试in-fluxtest

辐照期间对器件进行的电测试

。

23

.

非辐照中测试nonin-fluxt