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文档简介

GPP

ProcessIntroduction(Pt&SIPOS)

GPP制程简介StdGPPProcessFlowWafer

CleanBoronDiffusionGridEtchingPRStripSIPOS&MTO2ndPhoto1stNiPlatingNiSintering2ndNiPlatingAuPlatingPGBurnoffGlassFiringLTO3rdPhotoPGCoatingRCACleanPRStripContactEtchNonSIPOSPhos.Pre-DepHFSoakSandBlastingPtDiffusionSandBlasting1stPhotoWaferClean(晶片清洗)NPhos.Pre-Deposition(磷預沉積)N晶片N+磷SandBlasting(吹砂)N晶片N+磷在此面吹砂BoronDiffusion(硼擴散

)N晶片N+P+磷硼SandBlasting(吹砂)N晶片N+P+磷硼单面吹砂PtDiffusion(铂擴)N晶片N+P+磷硼Pt铂SandBlasting(吹砂)N晶片N+P+磷硼雙面吹砂1stPhoto(一次黃光双面光刻)晶片NN+P+光阻光阻开槽去背面标记线SB-402BG-403/SGridPre-Etching(溝槽标记预蝕刻)晶片NN+P+光阻Pr-Coating(背面涂胶)晶片NN+P+光阻补光阻保护GridEtching(溝槽蝕刻)晶片NN+P+光阻PRStrip(光阻去除)NN+P+RCAClean(RCA清洗)晶片NN+P+SIPOS&MTO(SIPOS沉積)晶片NN+P+SIPOSSIPOS2ndPhoto(2次黃光)NN+P+SIPOSSIPOSPGBG-401A(高光强型)或BG-401ABG-403或BG-401ABG-401A(高光强型)或BG-401ABG-403BG-401A(高光强型)或BG-401APGDevelopment(PG显影)NN+P+SIPOSSIPOSPGGlassFiring(玻璃燒結)NN+P+SIPOSSIPOSGlassLTO(低溫氧化層沉積)NN+P+SIPOSSIPOSGlassSiO23rdPhoto(三次黃光)NN+P+SIPOSSIPOSGlassSiO2PRBG-403或BG-401ABG-401A(高光强型)ContactEtch(接觸面蝕刻)NN+P+SIPOSGlassSiO2PRPRStrip(光阻去除)NN+P+SIPOSGlassSiO21stNiPlating(一次鍍鎳)NN+P+SIPOSGlassSiO2NiNiSintering(鎳燒結)NN+P+SIPOSGlassSiO2Ni2ndNiPlating(二次鍍鎳)NN+P+SIPOSGlassSiO2NiGoldPlating(鍍金)N

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