计算机组成原理-第七讲

计算机组成原理舒燕君计算机科学与技术学院第七讲二、半导体存储芯片简介1.半导体存储芯片的基本结构译码驱动存储矩阵读写电路片选线读/写控制线地址线…数据线…片选线读/写控制线（低电平写高电平读）（允许读）4.2CSCEWE（允许写）WEOE存储芯片片选线的作用用16K×1位的存储芯片组成64K×8位的存储器

32片当地址为65535时，此8片的片选有效8片16K×1位8片16K×1位8片16K×1位8片16K×1位4.2三、随机存取存储器(RAM)1.静态RAM(SRAM)(1)静态RAM基本电路A´触发器非端1T4T~触发器5TT6、行开关7TT8、列开关7TT8、一列共用A

触发器原端T1~T4T5T6T7T8A´A写放大器写放大器DIN写选择读选择DOUT读放位线A位线A´列地址选择行地址选择4.2T1~T4A´T1

~T4T5T6T7T8A写放大器写放大器DIN写选择读选择读放位线A位线A´列地址选择行地址选择DOUT

①静态RAM基本电路的读

操作行选

T5、T6开4.2T7、T8开列选读放DOUTVAT6T8DOUT读选择有效(2)静态RAM芯片举例①Intel2114外特性4.2I/O1I/O2I/O3I/O4A0A8A9WECSVCCGNDIntel2114…存储容量1K×4

位

②Intel2114RAM矩阵(64×64)A3A4A5A6A7A8A0A1A2A915…031…1647…3263…48150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路……………………0163015……行地址译码列地址译码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一组第二组第三组第四组4.2DD预充电信号读选择线写数据线写选择线读数据线VCgT4T3T2T11(1)动态RAM基本单元电路2.动态RAM(DRAM)读出与原存信息相反读出时数据线有电流为“1”数据线CsT字线DDV010110写入与输入信息相同写入时CS充电为“1”放电为“0”4.2T3T2T1T无电流有电流单元电路读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D行地址译码器001131311A9A8A7A6A531A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0…(2)动态RAM芯片举例①三管动态RAM芯片(Intel1103)读00000000000D…004.2单元电路读写控制电路…A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0…②三管动态RAM芯片(Intel1103)写4.2111114.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0…A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0…11111…4.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0……01000111114.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0……11111101000114.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写…A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0……D111110100014.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写…A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0……D111110100014.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写读写控制电路…A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0……D111110100014.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写读写控制电路…A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0……D111110100014.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写读写控制电路…时序与控制行时钟列时钟写时钟

WERASCAS

A'6A'0存储单元阵列基准单元行译码列译码器再生放大器列译码器读出放大基准单元存储单元阵列行译码

I/O缓存器数据输出驱动数据输入寄存器

DINDOUT~行地址缓存器列地址缓存器③单管动态RAM4116(16K×

1位)外特性4.2DINDOUTA'6A'0~

读放大器

读放大器

读放大器………………………06364127128根行线Cs01271128列选择读/写线数据输入I/O缓冲输出驱动DOUTDINCs④4116(16K×1位)芯片读

原理

读放大器

读放大器

读放大器……4.263000I/O缓冲输出驱动OUTD

读放大器

读放大器

读放大器………………………06364127128根行线Cs01271128列选择读/写线数据输入I/O缓冲输出驱动DOUTDINCs…⑤4116(16K×1位)芯片写

原理数据输入I/O缓冲I/O缓冲DIN读出放大器

读放大器4.2630(3)动态RAM时序

行、列地址分开传送写时序行地址RAS有效写允许WE有效(高)数据

DOUT

有效数据

DIN

有效读时序4.2行地址RAS有效写允许WE有效(低)列地址CAS有效列地址CAS有效(4)动态RAM刷新

刷新与行地址有关4.2A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0…②三管动态RAM芯片(Intel1103)4.2(4)动态RAM刷新

刷新与行地址有关①集中刷新（存取周期为0.5s

）“死时间率”为128/4000×100%=3.2%“死区”为0.5s

×128=64s

周期序号地址序号tc0123871387201tctctctc3999VW01127读/写或维持刷新读/写或维持3872个周期（1936s）

128个周期（64s）

刷新时间间隔（2ms）刷新序号••••••tcXtcY••••••4.2以128×128矩阵为例tC=tM

+tR读写刷新无“死区”②

分散刷新（存取周期为1

s

）(存取周期为0.5s

+0.5s

)4.2以128

×128矩阵为例W/RREF0W/RtRtMtCREF126REF127REFW/RW/RW/RW/R刷新间隔128个存取周期…③分散刷新与集中刷新相结合（异步刷新）对于128×128的存储芯片（存取周期为0.5s

）将刷新安排在指令译码阶段，不会出现“死区”“死区”为0.5s

若每隔15.6s

刷新一行每行每隔2ms

刷新一次4.23.动态RAM和静态RAM的比较DRAMSRAM存储原理集成度芯片引脚功耗价格速度刷新电容触发器高低少多小大低高慢快有无主存缓存4.2四、只读存储器（ROM）1.掩模ROM(MROM)行列选择线交叉处有MOS管为“1”行列选择线交叉处无MOS管为“0”2.PROM(一次性编程)VCC行线列线熔丝熔丝断为“0”为“1”熔丝未断4.23.EPROM(多次性编程)(1)N型沟道浮动栅MOS电路G栅极S源D漏紫外线全部擦洗D端加正电压形成浮动栅S与D不导通为“0”D端不加正电压不形成浮动栅S与D导通为“1”SGDN+N+P基片GDS浮动栅

SiO2+++++___

4.23.EPROM(多次性编程)(2)2716EPROM和紫外线擦除器

…控制逻辑Y译码X译码数据缓冲区Y控制128×128存储矩阵……PD/ProgrCSA10A7…A6A0……DO0…DO7112…A7A1A0VSSDO2DO0DO1…27162413…VCCA8A9VPPCSA10PD/ProgrDO3DO7…(2)2716EPROM的逻辑图和引脚4.2PD/ProgrPD/Progr功率下降/编程输入端

读出时为低电平

②Intel2114RAM矩阵(64×64)A3A4A5A6A7A8A0A1A2A915…031…1647…3263…48150311647326348读写电路读写电路读写电路读写电路……………………0163015……行地址译码列地址译码I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一组第二组第三组第四组4.2…控制逻辑Y译码X译码数据缓冲区Y控制128×128存储矩阵……PD/ProgrCSA10A7…A6A0……DO0…DO7112…A7A1A0VSSDO2DO0DO1…27162413…VCCA8A9VPPCSA10PD/ProgrDO3DO7…(2)2716EPROM的逻辑图和引脚4.2PD/ProgrPD/Progr功率下降/编程输入端

读出时为低电平4.EEPROM(多次性编程)电可擦写局部擦写全部擦写5.