• 现行
  • 正在执行有效
  • 2017-10-14 颁布
  • 2018-07-01 实施
©正版授权
GB/T 34481-2017低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法_第1页
GB/T 34481-2017低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法_第2页
GB/T 34481-2017低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法_第3页
免费预览已结束，剩余5页可下载查看

下载本文档

免费下载试读页

文档简介

ICS77040

H25.

中华人民共和国国家标准

GB/T34481—2017

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度

EPD的测量方法

()

TestmethodformeasurinetchitdensitEPDinlowdislocationdensit

gpy()y

monocrystallinegermaniumslices

2017-10-14发布2018-07-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T34481—2017

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司中科院半导

:、、

体研究所

。

本标准主要起草人惠峰普世坤董汝昆

:、、。

Ⅰ

GB/T34481—2017

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度

EPD的测量方法

()

1范围

本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度的测量方法

(EPD)。

本标准适用于测试位错密度小于个2直径为的圆形锗单晶片的位错

1000/cm、75mm~150mm

腐蚀坑密度

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

GB/T5252

3方法提要

锗单晶片经化学腐蚀法显示位错腐蚀坑后用显微镜可观察视场面积内的腐蚀坑数目位错腐蚀

,。

坑密度等于穿过视场面积的腐蚀坑数目除以视场面积锗单晶片主要有偏和偏

。0°、(100)(111)6°(100)

三种其位错图像分别如图图图所示

(111)9°,1、2、3。

图10°200×图2100偏1116°200×

()()

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。
  • 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本（可阅读打印），因数字商品的特殊性，一经售出，不提供退换货服务。
  • 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致，所以下载的文档中可能包含空白页，非文档质量问题。

最新文档

评论

0/150

提交评论