标准解读

《GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法》是一项国家标准，该标准规定了使用化学腐蚀法测定低位错密度锗单晶片中位错密度的方法。它适用于评估和控制锗单晶材料的质量。

标准首先明确了术语定义，如“腐蚀坑”指的是在特定条件下通过化学或电化学腐蚀过程，在晶体表面形成的与位错相关的微小凹陷；“腐蚀坑密度”则表示单位面积上腐蚀坑的数量，通常用来间接反映材料内部位错线的数量。

接着，《GB/T 34481-2017》详细描述了测试所需设备、试剂及样品准备要求。例如，推荐使用氢氟酸作为主要腐蚀剂，并给出了具体的浓度配比建议；同时对实验环境条件也做了相应规定，以确保结果的一致性和准确性。

对于实际操作流程，标准提供了详细的步骤指导，包括如何正确处理样品、进行腐蚀处理以及后续观察分析等环节。此外，还特别强调了安全注意事项，比如操作时应佩戴适当的个人防护装备，避免直接接触有害化学品。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2017-10-14 颁布
  • 2018-07-01 实施
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GB/T 34481-2017低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法_第1页
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文档简介

ICS77040

H25.

中华人民共和国国家标准

GB/T34481—2017

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度

EPD的测量方法

()

TestmethodformeasurinetchitdensitEPDinlowdislocationdensit

gpy()y

monocrystallinegermaniumslices

2017-10-14发布2018-07-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T34481—2017

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位云南中科鑫圆晶体材料有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司中科院半导

:、、

体研究所

。

本标准主要起草人惠峰普世坤董汝昆

:、、。

Ⅰ

GB/T34481—2017

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度

EPD的测量方法

()

1范围

本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度的测量方法

(EPD)。

本标准适用于测试位错密度小于个2直径为的圆形锗单晶片的位错

1000/cm、75mm~150mm

腐蚀坑密度

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

GB/T5252

3方法提要

锗单晶片经化学腐蚀法显示位错腐蚀坑后用显微镜可观察视场面积内的腐蚀坑数目位错腐蚀

,。

坑密度等于穿过视场面积的腐蚀坑数目除以视场面积锗单晶片主要有偏和偏

。0°、(100)(111)6°(100)

三种其位错图像分别如图图图所示

(111)9°,1、2、3。

图10°200×图2100偏1116°200×

()()

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