• 现行
  • 正在执行有效
  • 2014-12-31 颁布
  • 2015-09-01 实施
©正版授权
GB/T 30654-2014Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法_第1页
GB/T 30654-2014Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法_第2页
GB/T 30654-2014Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法_第3页
免费预览已结束，剩余9页可下载查看

下载本文档

文档简介

ICS7704020

H21..

中华人民共和国国家标准

GB/T30654—2014

Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法

TestmethodforlatticeconstantofⅢ-nitrideepitaxiallayers

2014-12-31发布2015-09-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T30654—2014

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会和全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位中国科学院半导体研究所

:。

本标准主要起草人孙宝娟赵丽霞王军喜曾一平李晋闽

:、、、、。

Ⅰ

GB/T30654—2014

Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法

1范围

本标准规定了利用高分辨射线衍射测试族氮化物外延片晶格常数的方法

XⅢ。

本标准适用于在氧化物衬底等或半导体衬底等上外延生长的

(Al2O3、ZnO)(GaN、Si、GaAs、SiC)

氮化物单层或多层异质外延片晶格常数的测量其他异质外延片晶格常数的测量也可

(Ga,In,Al)N。

参考本标准

。

2符号

下列符号适用于本文件

。

FWHM半高宽衍射峰高一半处衍射峰的全宽

:,。

ω入射光和样品表面之间的角度

:。

θ探测器与入射光之间的角度

2:。

χ轴倾斜样品的轴由样品表面和衍射平面相交而成

:,。

χ角样品表面和衍射平面相交的角度

:。

ω-θ扫描或θ-ω扫描联动扫描探测器以两倍于样品的速度扫描

22:,。

θ射线产生衍射时入射光线与反射面之间的角度

B:X。

3方法原理

31总则

.

族氮化物半导体外延片相对结晶完整性较好利用高分辨射线衍射方法测量样品的晶格常数

Ⅲ,X

不但很方便而且具有精度高无损伤和无污染的特点外延片晶格常数的测量方法有两大类相对测

,、。:

量方法和绝对测量方法

。

32相对测量方法

.

根据外延峰相对于衬底峰的位置来确定外延膜的晶格常数在此测量方法中认为衬底不发生形

。,

变处于完全弛豫状态然后利用双晶衍射或者三轴晶衍射进行ω-θ扫描从而得到外延膜衍射峰与衬

,,2,

底峰的峰间距ω若外延峰在衬底峰的左侧外延膜处于压应变状态ω为负若外延峰在衬底峰的

Δ。,,Δ;

右侧外延膜处于张应变状态ω为正根据布拉格方程dθnλ得到对应的晶面间的距离即

,,Δ。2sinB=,,

式

(1):

θs

de=sinds

θs+ω……(1)

sin(Δ)

式中

:

de外延膜晶面的面间距

———

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。
  • 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本（可阅读打印），因数字商品的特殊性，一经售出，不提供退换货服务。
  • 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致，所以下载的文档中可能包含空白页，非文档质量问题。

最新文档

评论

0/150

提交评论