第2章高频小信号放大器

第2章

高频小信号放大器复旦大学电子工程系陈光梦高频电路基础2023/2/4高频电路基础2研究对象：高频小信号放大器研究目的：1、了解高频小信号放大器的电路结构2、了解高频小信号放大器的各项指标3、能够设计基本的小信号放大器本章的目标2023/2/4高频电路基础3高频小信号放大器概述特点： 信号频率高（105~1010Hz） 相对带宽较窄（103~106Hz） 一般工作在线性状态 通常采用谐振回路（选频网络）作为负载 通常是低噪声放大器（LNA）用途：发送设备中的前置放大，

接收设备中的高频放大、中频放大等2023/2/4高频电路基础4要求：增益高、低噪声、工作稳定、

合适的动态范围、合适的选择性分类：1、分立元件放大器。采用晶体管及谐振回路构成放大电路，是高频放大电路的基础，也是本章主要讨论的对象2、集成高频放大器。采用高频宽带集成放大电路及集总参数滤波器构成放大电路，是目前高频小信号放大电路的发展方向，本章将简要介绍2023/2/4高频电路基础5高频小信号放大器的指标增益

Gv，Gp中心频率

f0通频带BW选择性BW0.1/BW稳定性信噪比S/N动态范围2023/2/4高频电路基础6晶体管高频小信号放大器的常见结构分窄带放大器和宽带放大器两种窄带放大器的匹配网络兼有选频作用和阻抗匹配作用，通常总是选频放大器，只对特定的频带放大宽带放大器的匹配网络通常只有阻抗匹配作用，在一个很宽的频带内保持较为平坦的幅频特性。2023/2/4高频电路基础7高频晶体管的材料与结构双极型晶体管Si材料或GaAs材料。金属半导体场效应管(MESFET)结构类似JFET，金属与半导体直接接触构成肖特基结，一般采用GaAs材料。异质结场效应管两层不同的半导体材料，例如GaAs和GaAlAs，或GaInAs和GaAlAs，构成陡峭的界面。由于能带结构的关系，电子被局限在界面附近一个极薄层（几个纳米）内运动，形成所谓二维电子气，具有极高的迁移率。2023/2/4高频电路基础8晶体管的高频混合p模型高频晶体管混合p模型，主要考虑了在高频情况下具有很大影响的两个结电容Cp和Cm（注：此模型忽略发射极电阻re和集电极电阻rc）2023/2/4高频电路基础9晶体管的网络形式参数晶体管←→四端网络←→形式参数以网络端口上的电压和电流表示

以网络端口上的入射波和反射波表示→y参数（导纳参数）z参数（阻抗参数）h参数（混合参数）A参数（级联参数）S参数（散射参数）2023/2/4高频电路基础10以网络端口上的电压电流表示的形式参数2023/2/4高频电路基础11晶体管的y

参数晶体管的y参数等效电路如下：y参数的特点：1、便于分析；2、可以用实验测量获得2023/2/4高频电路基础12y

参数的定义（共射组态）2023/2/4高频电路基础13混合p

参数与

y

参数的转换2023/2/4高频电路基础14晶体管的高频特性由于Cp和Cm的存在，晶体管在高频应用时，具有下列特点输入阻抗和输出阻抗除了电阻成分外，带有电抗成分输入阻抗和输出阻抗是频率的函数正向传递函数中带有相移，且随频率变化由于电容的双向传输特性，使得输出端的信号能够反向传输到输入端，形成晶体管的内反馈。频率越高，此内反馈越强烈晶体管参数在高频条件下的变化——

yie

,yoe注：此曲线根据转换关系得到，晶体管混合p参数为

rb=60W，rp=1kW，rm=2.6MW，rce=65kW，Cp=780pF，Cm=9pF，gm=38mS

2023/2/4高频电路基础15晶体管参数在高频条件下的变化——

yfe,yre

注：此曲线根据转换关系得到，晶体管混合p参数为

rb=60W，rp=1kW，rm=2.6MW，rce=65kW，Cp=780pF，Cm=9pF，gm=38mS

2023/2/4高频电路基础162023/2/4高频电路基础17晶体管高频小信号调谐放大器晶体管高频小信号调谐放大器一般采用LC谐振回路作为负载。根据LC谐振回路的不同，可分为单调谐回路放大器和双调谐回路放大器。高频调谐放大器的主要指标是增益（电压增益和功率增益）、频率特性（通频带以及矩形系数）等。其中频率特性与谐振回路的参数有关，增益不仅与谐振回路有关，还与晶体管参数及阻抗匹配情况有关。高频小信号放大器的另一个问题是它的稳定性。由于晶体管在高频工作时具有强烈的内反馈，所以如何保证放大器的稳定工作成为放大器设计的一个重要的内容。2023/2/4高频电路基础18由于晶体管在高频工作时，内反馈会影响电路的稳定性，所以一般都要采取某些措施将它消除。在下面的分析中，我们假定已经采取了一定的措施消除了内反馈（单向化），此时晶体管的y

模型可以近似为：晶体管的单向化近似2023/2/4高频电路基础19单调谐放大器常见电路及其交流等效电路2023/2/4高频电路基础20由于谐振放大器的增益与频率特性均与谐振回路的频率特性有关，所以分析谐振放大器时，首先要分析的就是谐振回路的频率特性。为了讨论谐振回路的频率特性，可以将连接在LC谐振回路上的所有负载（包括本级晶体管的输出参数和后级的负载）都等效到LC

谐振回路的两端。为此，将本级晶体管的交流等效电路用晶体管单向化近似模型代入。考虑抽头谐振回路中的阻抗变换关系后，可以将晶体管的输出参数ioe、yoe等效到LC

谐振回路的两端。再将负载阻抗等效到LC

谐振回路两端。谐振放大器的分析方法2023/2/4高频电路基础21谐振放大器的频率特性晶体管单向化近似后，假设晶体管在放大器工作频段内的频响是平坦的，则放大器的频率特性完全由谐振回路确定。对于单调谐回路，归一化幅频特性为：2023/2/4高频电路基础22将源与负载都等效到LC回路两端2023/2/4高频电路基础23将上述等效电路中有关LC谐振回路的所有电容合并，所有电导合并，就得到下面的等效电路：合并同类元件以后的等效电路2023/2/4高频电路基础24单调谐放大器的频率特性2023/2/4高频电路基础25谐振放大器的增益电压增益功率增益1、考虑理想情况（匹配网络无损耗）：2023/2/4高频电路基础26当输出端阻抗共轭匹配时，在负载上将得到最大功率共轭匹配条件：所以，共轭匹配时得到的最大功率增益为称之为额定功率增益代入2023/2/4高频电路基础27额定功率增益与晶体管参数的关系当工作频率f>>fb时，晶体管参数中的极间电容影响增大，此时有额定功率增益与晶体管特征频率fT成正比，与信号频率平方f2成反比2023/2/4高频电路基础28电压增益代入阻抗匹配条件代入阻抗变换关系2023/2/4高频电路基础29增益带宽积谐振放大器的增益带宽积在晶体管、谐振回路的参数确定之后是一个常数2023/2/4高频电路基础30回路损耗的影响有损耗无损耗两者比值注：考虑晶体管共射输出回路时，is

就是ic，gs就是goe2023/2/4高频电路基础31定义：插入损耗IL（insertionloss），表示谐振回路本身损耗引起的功率增益下降考虑插入损耗后，放大器的功率增益2023/2/4高频电路基础32例2023/2/4高频电路基础33解2023/2/4高频电路基础342023/2/4高频电路基础352023/2/4高频电路基础36阻抗失配的影响阻抗匹配阻抗不匹配失配损耗2023/2/4高频电路基础37几个重要概念额定功率增益：放大器可能的最大功率增益，仅与晶体管有关实际功率增益：放大器实际可能达到的功率增益，与放大器两端的匹配程度有关，还与选频网络的插入损耗有关放大器的频率特性：在晶体管的频响足够的条件下，仅由选频网络的频率特性决定2023/2/4高频电路基础38双调谐放大器电路的频率特性曲线由谐振回路确定在临界耦合状态有最大功率增益额定功率增益和谐振回路插入损耗的计算与单调谐放大器相同增益带宽积为一个常数2023/2/4高频电路基础39例同前例电路参数，调谐频率f0=465kHz，BW=10kHz。其中晶体管参数为：gie=400mS、Cie=120pF、|yfe|=40mS、goe=60mS、Coe=2.5pF。高频变压器电感L=576mH、Q0=150，匝数n13=117匝。后级放大器与本级相同。若采用双调谐回路且工作于临界耦合状态，试计算两个谐振回路的抽头匝数，以及电压增益和增益带宽积。2023/2/4高频电路基础40临界耦合:。Q值定义:所以后级放大器与本级相同假设两个谐振回路对称在前例中已经解得g0=3.96mS，所以2023/2/4高频电路基础41增益和增益带宽积计算如下：2023/2/4高频电路基础42多级调谐放大电路2023/2/4高频电路基础43多级单调谐放大电路的带宽2023/2/4高频电路基础44结论：随着

n

的增加，多级放大器的总带宽逐渐减小，同时矩形系数也逐渐减小。但是当

n>3以后，矩形系数的减小开始不明显，所以一般的多级调谐放大器只用

2～3级。另一方面，若要维持电路的总带宽不变，则要求每级的带宽

BW

加大。但是由于每级的

GBP

是一个常数，所以这样做的结果是每级的增益下降。对于采用双调谐回路的多级谐振放大器，也有类似结论。2023/2/4高频电路基础45多级单调谐回路放大器的带宽、矩形系数与级数的关系多级临界耦合双调谐回路放大器的带宽、矩形系数与级数的关系n12345BWS/BW10.640.510.430.39K0.19.954.663.743.383.19n12BWS/BW10.8K0.13.162.162023/2/4高频电路基础46其他形式的高频小信号放大器晶体管放大器，但采用LC并联谐振回路形式以外的选频网络，例如LC串并联结构的网络、微带线网络、固体谐振器等。这种放大器的设计过程与前面讨论的基本一致，只要考虑选频网络的阻抗匹配关系即可。集成放大器。这种放大器可分为专用与通用两类，一般都采用宽带放大电路，体积小，可靠性高，大量采用固体谐振器件，放大与选频相对独立，容易满足各自的要求，几乎无需调整，便于大批量生产。2023/2/4高频电路基础47介绍几种宽带放大器MAR-8SM+

表面贴装单片高频放大器。电压增益：32.5dB@100MHz，频率特性：DC~1GHz，噪声指数：3.3dB，1dB压缩输出电平：12.5dBm@1GHz，电源电压：+7.8VAD8334

超低噪声可变增益放大器。频率DC~100MHz，电压增益：－4.5dB~+55.5dB可控，噪声电压：0.74nV，噪声电流：2.5pA，电源电压：+5V，具有关断模式MAX2611

低电压、低噪声高频放大器。功率增益：18dB，频率特性：DC~1100MHz，噪声指数：3.5dB，电源电压：+5V2023/2/4高频电路基础48高频放大器的稳定性反馈项2023/2/4高频电路基础49所以自激的条件：稳定系数输出可改写为：通常要求稳定系数4～102023/2/4高频电路基础50为了指导设计，通常将稳定系数与晶体管参数相联系在放大器的前后选频网络都是LC谐振回路条件下：具体推导过程见教材第二章2.59式~2.62式。2023/2/4高频电路基础51功率增益与稳定系数的关系2023/2/4高频电路基础52例已知单调谐放大器参数与前例题相同：w0=2p×465kHz、gie=400mS、Cie=120pF、gm=|yfe|=40mS、goe=60mS、Cm

≈Coe=2.5pF，并估计。电感参数为n13=117、n12=31、n45=12。以稳定性设计重新计算增益，并与前例的设计结果进行比较。前面例题中得到的其他结果有：后级输入电导谐振回路损耗电导2023/2/4高频电路基础53前级放大器与本级阻抗匹配：gs=gie解：后级输入电导与谐振回路损耗电导的等效：所以：若要求稳定系数S＝5，则Gp

≈560=27.5dB

注意到前例的Gp

=39dB，S=1.33，显然稳定系数不够

2023/2/4高频电路基础54选用Cm小的晶体管——降低|

yre

|的值。降低放大器增益——降低|

yfe

|的值。采用共射-共基组合电路，共射电路的电压增益近似于1，共基电路的内反馈很小，使得组合后的电路总的内反馈减小，稳定性提高。早期还有一种中和法，在晶体管外部增加一个反馈电容，反馈信号的极性与晶体管内的分布电容反馈的相反，形成信号的抵消，现在基本已经不用。提高稳定性的方法y参数的局限——在很高频率下由于端口难以做到开路与短路，所以难以在很高频率下测量S参数的特点——用传输线连接待测元件，参数本身已经考虑了端口的阻抗匹配影响，容易测量，容易应用S参数的定义晶体管的S参数2023/2/4高频电路基础552023/2/4高频电路基础56S参数的意义输出端阻抗匹配条件下，输入端的反射系数由此参数可得到输入阻抗输入端阻抗匹配条件下，输出端的反射系数

由此参数可得到输出阻抗输出端阻抗匹配条件下的正向电压传递系数由此参数可得到正向功率增益输入端阻抗匹配条件下的反向电压传递系数由此参数可得到反向功率增益2023/2/4高频电路基础57用S参数表示的晶体管放大器增益放大器功率增益——放大器输出功率与输入功率之比放大器额定功率增益——放大器输入端与信号源阻抗匹配时，输出功率与信号源额定输出功率之比2023/2/4高频电路基础58放大器变换功率增益——放大器输出功率与信号源额定输出功率之比单向化近似条件下的放大器变换功率增益2023/2/4高频电路基础59用S参数表示的晶体管放大器稳定性条件绝对稳定条件：注意，绝对稳定条件与给定的频率范围和偏置条件有关。2023/2/4高频电路基础60高频小信号放大器中的自动增益控制（AGC电路）目的：解决无线传输中由于信道衰落、温度变化、接收环境变化等引起的输出不稳定问题手段：利用反馈控制原理，在电路中插入增益可变的放大器，随着输入信号的幅度大小自动调节增益，使输出达到基本稳定2023/2/4高频电路基础61AGC电路的结构2023/2/4高频电路基础62AGC电路的主要性能指标动态范围在给定输出信号幅值变化范围内电路容许输入信号振幅的变化范围。设Do是电路限定的输出动态范围，Di是电路容许的输入动态范围，自动增益控制电路的动态范围为Di/DoAGC电路的动态范围取决于放大器的增益变化范围2023/2/4高频电路基础63起控阈值自动增益控制开始起作用时对应的输入电平输入很小时，为了保证放大器的灵敏度，不希望自动增益控制起作用。只有当输入到达某个阈值后，AGC作用才开始，称为延迟AGC一般用调节参考电压的办法来实现延迟AGC2023/2/4高频电路基础64响应时间输入信号幅度发生突变时，输出信号恢复到容许变化范围之内的时间。由于电路通过对可控增益放大器的增益控制来实现对输出信号振幅变化的限制,而控制信号取决于输入信号振幅的变化，所以整个反馈环路的带宽决定了系统的响应时间，其中的主要因素是低通滤波器的时间常数。响应时间长度的要求取决于输入信号的类型和特点，

根据响应时间长短分别有慢速AGC和快速AGC之分。响应时间长，系统反映迟钝；响应时间短，系统反映灵敏但容易出现反调制现象。2023/2/4高频电路基础65AGC电路中各部分的原理与结构电平检测电路获得输出信号的振幅大小信息常用二极管检波电路实现2023/2/4高频电路基础66滤波器低通滤波器由于振幅控制仅要求对输出信号振幅的缓慢变化（信道慢衰落、温度变化、接收环境变化等引起）起作用，所以要求此低通滤波器的截止频率很低，一般要求低于10Hz2023/2/4高频电路基础67比较与控制信号形成电路获得误差信号，并将它放大到足够的电平以及正确的极性，以控制可控增益电路有时直接在可控增益电路中实现上述功能有时在二极管两端加上一定的负偏压，使得输出信号必须大于某个阈值后才能得到检测信号，用以实现延迟AGC2023/2/4高频电路基础68可控增益电路改变跨导进行控制改变负反馈强弱进行控制改变负载进行控制插入可变衰减器进行控制可变增益的集成放大电路2023/2/4高频电路基础69改变跨导进行控制的电路一般通过改变工作点电流进行控制反向AGC正向AGC通过此电阻实现反向AGC2023/2/4高频电路基础70改变负载进行控制的电路控制电压（负向）超过控制阈值时，二极管导通使得放大器的交流负载电阻降低，从而降低增益此电路在降低增益的同时降低LC回路Q值，使得带宽增加2023/2/4高频电路基础71插入可变衰减器进行控制的电路利用二极管或场效应管的导通电阻可以随着工作点的改变而改变的特点，将它们与其他器件（一般是电阻）构成分压式衰减器，然后进行控制2023/2/4高频电路基础72可变增益的集成电路放大器举例AD603结构框图2023/2/4高频电路基础73FEATURESLinear-in-dBgaincontrolPinprogrammablegainranges−11dBto+31dBwith90MHzbandwidth9dBto51dBwith9MHzbandwidth

Anyintermediaterange,forexample−1dBto+41dBwith30MHzbandwidthBandwidthindependentofvariablegain1.3nV/√Hzinputnoisespectraldensity±0.5dBtypicalgainaccuracyAPPLICATIONSRF/IFAGCamplifierVideogaincontrolA/DrangeextensionSignalmeasurement2023/2/4高频电路基础74应用电路LOWNOISEAGCAMPLIFIER2023/2/4高频电路基础75高频小信号放大器中的噪声噪声的来源外部噪声宇宙噪声、大气噪声等内部噪声粒子的热运动、半导体器件内载流子运动的不规则性等噪声的随机性由不可预测的窄脉冲构成幅度、相位都具有随机性具有极宽的频谱2023/2/4高频电路基础76噪声的功率谱密度由于噪声的随机性，其总体性质无法直接以电压相加或电流相加得到噪声功率可以叠加噪声的平均功率噪声的功率谱密度——W(f)，单位频带内的噪声功率2023/2/4高频电路基础77噪声的功率传递功率谱为Wi(f)的噪声，通过传递函数为H(f)的线性时不变系统，输出的噪声功率谱为其中称为系统的功率传递函数白噪声的功率传递2023/2/4高频电路基础78将整个频率范围内的噪声功率等效为一个高度为，宽度为Bn的矩形，则所以对于白噪声噪声的等效带宽Bn噪声功率2023/2/4高频电路基础79如果系统的传递函数H(f)为归一化函数H1(f)，则

例如，对于归一化的二阶传递函数

其系统噪声带宽为2023/2/4高频电路基础80常见的噪声及其模型热噪声导体中电子在绝对零度以上温度的无规则运动白噪声，具有极宽的频谱电阻的电压功率谱密度和电流功率谱密度：用电压均方值或电流均方值表示的电阻噪声功率：2023/2/4高频电路基础81电阻热噪声的等效电路噪声电压源等效噪声电流源等效多个电阻串联——

噪声电压源叠加多个电阻并联——

噪声电流源叠加2023/2/4高频电路基础82双极型晶体管的噪声在双极型晶体管中，主要的噪声有基区电阻rbbꞌ

的热噪声，两个PN结的散射噪声，以及由于基极电流和集电极电流之间的分配涨落引起的分配噪声。1/f噪声一般在高频电路中可忽略。基区电阻热噪声和PN结散射噪声都是白噪声，分配噪声与a有关，，当频率升高时，a下降，所以在高频区分配噪声增大。2023/2/4高频电路基础83综合上述噪声来源，可以用下图描述晶体管的噪声。其中基区电阻rbb‛的热噪声用基极串联的噪声电压源等效，而散射噪声和分配噪声用并联的噪声电流源等效。由于二极管只有一个PN结，其噪声主要是散射噪声。2023/2/4高频电路基础84场效应晶体管的噪声场效应管的噪声主要是沟道电阻热噪声，，l与沟道长度有关，短沟道l=2~3，长沟道l=2/3另外，场效应管的沟道噪声通过栅-源电容和栅-漏电容被感应到栅极然后放大，称为栅极感应噪声。此噪声随频率升高而增大与双极型晶体管一样，1/f

噪声通常可忽略忽略感应噪声后的场效应管噪声模型如右图所示2023/2/4高频电路基础85接收天线的噪声来源：周围介质辐射，宇宙辐射影响因素：周围介质温度、天线指向、频率表示方法：天线有效噪声温度TA其中RA为天线的辐射电阻2023/2/4高频电路基础86噪声系数信噪比噪声系数其中PS为信号功率，PN为噪声功率即输入端信噪比与输出端信噪比之比需要注意：1、此输入端信噪比是进入网络的信号与噪声（信号源的噪声）之比，不包含网络本身的噪声2、噪声系数一般只适用于线性网络2023/2/4高频电路基础87对于一个线性网络，它对于各种信号同等放大。若此线性网络的功率增益为GP，则其输出的信号功率和噪声功率分别为其中Pni是信号源的噪声功率，Pni(net)

是系统内部的噪声折合到系统输入端的功率，所以噪声系数＝—————————————————————————网络外部输入的噪声功率＋网络内部增加的噪声功率网络外部输入的噪声功率测量一个具体网络的噪声系数指标时必须规定输入噪声功率大小。2023/2/4高频电路基础88考虑一个放大器，要使它具有最高增益，放大器的输入电阻ri应该等于信号源内阻rs。此时信号源输出的额定信号功率（即放大器的额定输入信号功率）为信号源的额定噪声功率与信号源内阻无关信号源输出的噪声功率（输入放大器的额定噪声功率）为信号源的额定输出功率随信号源内阻减小而增加2023/2/4高频电路基础89通常规定在标准噪声温度T0=290K以及输入端阻抗匹配条件下测量一个放大器的噪声系数指标，此时输入的噪声功率为其中，Bn是该放大器的等效噪声带宽

所以：

其中Pni(amp)是放大器内部产生的噪声在其输入端的折合值2023/2/4高频电路基础90例

已知放大器的功率增益Gp=20dB，噪声系数NF=3dB，噪声带宽Bn=200kHz；若输入信号功率Psi=−100dBm，输入噪声功率Pni=−115dBm，试求输出信号功率以及输入信噪比、输出信噪比。解输出信号功率：输入信噪比：输出信噪比：2023/2/4高频电路基础91因为所以放大器输出端的噪声功率为

即所以2023/2/4高频电路基础92等效噪声温度噪声的另一种表示方法，是将网络内部产生的噪声等效为信号源内阻的温度的升高称Te

为此网络的噪声温度2023/2/4高频电路基础93显然其中T0

为室温，通常采用290K使用噪声温度的好处是在低噪声系数时比较容易分辨例如，噪声系数1.07和1.10，其噪声温度分别为20K和30K2023/2/4高频电路基础94多级放大器的噪声系数多级放大器的噪声系数主要决定于第一级2023/2/4高频电路基础95有噪网络与一个内阻为rs的信号源连接时，信号源的噪声噪声匹配：输入端短路时有噪网络的输出噪声功率等效到输入端：输入端开路时有噪网络的输出噪声功率等效到输入端2023/2/4高频电路基础96网络内部噪声功率为噪声系数网络外部噪声功率，即信号源噪声为令d(NF)/d(rs)=0，得到NF极小值的条件，即噪声匹配条件2023/2/4高频电路基础97在实际情况下，源内阻通常不等于噪声匹配的内阻。信号源与网络之间存在两种匹配：一种是按照最大传输功率的功率匹配，即源内阻与网络输入阻抗之间共轭匹配；另一种是按照噪声系数最小的噪声匹配。具体采用何种匹配以电路的要求确定。在噪声匹配条件下，系统可以达到最小噪声系数为2023/2/4高频电路基础98噪声系数与噪声匹配的关系2023/2/4高频电路基础99由于晶体管的等效输入噪声既有电压噪声，又有电流噪声，所以存在一个噪声匹配的源内阻。双极型晶体管的最佳源阻抗和最小噪声系数为场效应管的最佳源阻抗和最小噪声系数为晶体管的噪声匹配2023/2/4高频电路基础100例2N3904的噪声系数与信号源内阻的关系2023/2/4高频电路基础101降低噪声的措施选用低噪声元件通常场效应管的内部噪声小于双极型晶体管金属膜电阻的噪声小于碳膜、合成膜电阻工作点选择与噪声匹配减小噪声带宽减小馈线长度降低前端温度2023/2/4高频电路基础102噪声系数与接收灵敏度的关系灵敏度的定义：接收机输出端的信噪比(S/N)o保持为一定值时，接收机输入的最小功率（假定接收机具有足够大的增益）当(S/N)o

等于正常接收所需的值时，对应的灵敏度称实际灵敏度；当(S/N)o

=1时，对应的灵敏度称临界灵敏度灵敏度2023/2/4高频电路基础103例某接收机的总噪声系数为6dB，Bn=1MHz，求在标准噪声温度条件下该接收机的临界灵敏度。用dBm表示，为代入题目中的条件解：在标准噪声温度条件下2023/2/4高频电路基础104显然，若正常接收时输出端的信噪比大于0dB，则相应的实际灵敏度变差例：若上例中，正常接收时输出端的信噪比需要13dB(20)，则实际灵敏度为若已知匹配电阻，则可换算出灵敏度对应的信号电势例：若上例中的匹配电阻为75W，则临界灵敏度对应的信号电势为2023/2/4高频电路基础105放大器中的非线性影响由于晶体管的非线性影响，放大器的输出电流分量中包含高阶分量，这些高阶分量中包含频率等于基波的成分由于调谐回路的选频作用，高次谐波被滤除，但是等于基波频