GB/T 24581-2022硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法

ICS77040

CCSH.17

中华人民共和国国家标准

GB/T24581—2022

代替GB/T24581—2009

硅单晶中ⅢⅤ族杂质含量的测定

、

低温傅立叶变换红外光谱法

TestmethodforⅢandⅤimpuritiescontentinsinglecrystalsilicon—

LowtemperatureFT-IRanalysismethod

2022-03-09发布2022-10-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T24581—2022

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中族杂质含量的测

GB/T24581—2009《Ⅲ、Ⅴ

试方法与相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

》,GB/T24581—2009,,:

删除了目的见年版的第章

a)“”(20091);

更改了硼磷砷铝锑镓的测定范围并增加了铟含量的测

b)(B)、(P)、(As)、(Al)、(Sb)、(Ga),(In)

定见第章年版的第章

(1,20092);

更改了术语和定义见第章年版的第章

c)(3,20095);

增加了杂质含量小于11-3的样品的测量条件见

d)5.0×10cm(5.6);

增加了用次强吸收谱带-1来计算磷元素的含量见

e)P(275cm)(P)(5.8);

增加了掺杂硅单晶对测量的影响见

f)(5.9);

更改了多晶转变为单晶的方法见年版的

g)(5.12,20098.1);

更改了傅立叶变换红外光谱仪的要求见年版的

h)(7.4,20097.4);

增加了千分尺及其精度要求见

i)(7.5);

更改了非零响应值谱线范围见年版的

j)(9.2,200910.2);

更改了背景光谱的扫描次数见年版的

k)(9.7,200911.5);

更改了样品的扫描次数见年版的

l)(9.10,200911.8);

表中增加了-1对应的峰位置基线和积分范围及校准因子见

m)1P(275cm)、(10.1);

更改了杂质含量的单位并对计算公式进行了相应的修约见年版的

n),(10.4,200913.1、13.2);

更改了测量结果的精密度见第章年版的第章

o)(11,200915);

更改了试验报告的内容见第章年版的第章

p)(12,200914);

删除了偏差关键词见年版的第章章

q)、(200916、17)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备与材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位乐山市产品质量监督检验所青海芯测科技有限公司江苏中能硅业科技发展有

:、、

限公司亚洲硅业青海股份有限公司新特能源股份有限公司有研半导体硅材料股份公司四川永祥

、()、、、

股份有限公司陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司江苏鑫华半导体材料科技有限公司洛阳中硅

、、、

高科技有限公司新疆协鑫新能源材料科技有限公司国标北京检验认证有限公司有色金属技术经

、、()、

济研究院有限责任公司宜昌南玻硅材料有限公司江苏秦烯新材料有限公司义乌力迈新材料有限

、、、

公司

。

本文件主要起草人梁洪赵晓斌万涛薛心禄魏东亮王彬邱艳梅杨素心李素青李朋飞

:、、、、、、、、、、

赵培芝王永涛魏强楚东旭周延江刘文明刘红何建军皮坤林

、、、、、、、、。

本文件于年首次发布本次为第一次修订

2009,。

Ⅰ

GB/T24581—2022

硅单晶中ⅢⅤ族杂质含量的测定

、

低温傅立叶变换红外光谱法

1范围

本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中族杂质含量的方法

Ⅲ、Ⅴ。

本文件适用于硅单晶中的族杂质铝锑砷硼镓铟和磷含

Ⅲ、Ⅴ(Al)、(Sb)、(As)、(B)、(Ga)、(In)(P)

量的测定各元素的测定范围以原子数计为10-314-3

,()1.0×10cm~4.1×10cm。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

分子吸收光谱法术语

GB/T8322

半导体材料术语

GB/T14264

用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

GB/T29057

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T8322、GB/T14264。

4方法原理

将硅单晶样品冷却至以下此时红外光谱主要是由杂质元素引起的一系列吸收谱带用一个

15K,。

连续白光光源照射样品使其光线能量大于补偿杂质的能带将红外光束直接透射样品采集透射光

,。,

谱该光谱扣除背景光谱后转化为吸收光谱在杂质元素特征吸收谱带上建立基线并计算其吸收谱带

,。

面积根据通用吸收定律及本文件给出的族杂质元素校准因子计算出族杂质元素的含量

。Ⅲ、ⅤⅢ、Ⅴ。

5干扰因素

51为消除自由载流子的影响样品应冷却至以下测量族杂质元素将样品固定在冷头上

.,15KⅢ、Ⅴ。

时样品和冷头之间应保持良好的接触以获得较高的热传导效率