标准解读
《GB/T 24580-2009 重掺N型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法》是一项国家标准,旨在提供一种利用二次离子质谱(SIMS, Secondary Ion Mass Spectrometry)技术来定量分析重掺杂N型硅材料中硼元素浓度的方法。该标准适用于半导体行业中对高纯度硅材料质量控制的需求,特别是针对那些需要严格控制杂质水平的应用场合。
根据此标准,首先定义了样品制备的具体要求,包括但不限于清洗、切割及表面处理等步骤,以确保测试结果的准确性和可重复性。接着详细描述了使用SIMS进行测量时所需设置的仪器参数以及操作流程,比如加速电压、初级离子束种类及其能量、扫描方式等,并指出了如何校正仪器响应差异的方法。
此外,《GB/T 24580-2009》还规定了数据处理和结果报告的标准格式。它建议采用特定类型的内标物来提高定量分析的准确性,并给出了计算样品中硼含量的具体公式。对于不确定度评估也有所涉及,指导用户如何合理估计实验误差范围。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2009-10-30 颁布
- 2010-06-01 实施
文档简介
犐犆犛29.045
犎80
中华人民共和国国家标准
犌犅/犜24580—2009
重掺狀型硅衬底中硼沾污的
二次离子质谱检测方法
犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵犅狅狉狅狀犮狅狀狋犪犿犻狀犪狋犻狅狀犻狀犺犲犪狏犻犾狔犱狅狆犲犱狀狋狔狆犲
狊犻犾犻犮狅狀狊狌犫狊狋狉犪狋犲狊犫狔狊犲犮狅狀犱犪狉狔犻狅狀犿犪狊狊狊狆犲犮狋狉狅犿犲狋狉狔
20091030发布20100601实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
书
犌犅/犜24580—2009
前言
本标准修改采用SEMIMF15281104《用二次离子质谱法测量重搀杂N型硅衬底中的硼污染的方
法》。本标准对SEMIMF15281104格式进行了相应调整。为了方便比较,在资料性附录B中列出了
本标准章条和SEMIMF15281104章条对照一览表。并对SEMIMF15281104条款的修改处用垂直
单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与SEMIMF15281104相比,主要技术差异如下:
———去掉了“目的”、“关键词”;
———将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分,并将原标准中
的精度和偏差部分作为资料性附录A。
本标准附录A和附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研
究所。
本标准主要起草人:马农农、何友琴、丁丽。
Ⅰ
书
犌犅/犜24580—2009
重掺狀型硅衬底中硼沾污的
二次离子质谱检测方法
1范围
1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱
法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。
1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%(1×1020atoms/cm3)的硅材料中硼浓度的检测。
特别适用于硼为非故意掺杂的p型杂质,且其浓度为痕量水平(<5×1014atoms/cm3)的硅材料的
测试。
1.3本标准适用于检测硼沾污浓度大于SIMS仪器检测限(根据仪器的型号不同,检测限大约在
5×1012atoms/cm3~5×1013atoms/cm3)两倍的硅材料。
1.4原则上,本标准对于不同表面情况的样品都适用,但是本标准中的精度估算值是从表面抛光样品
的测试数据中得到的。
2规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有
的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
ASTME122评价一批产品或一个工艺过程质量的样品大小的选择规范
3术语和定义
下列术语和定义适用于本标准。
3.1
离子质谱犻狅狀犿犪狊狊
根据质荷比的不同将离子分开并计数。
3.2
一次离子狆狉犻犿犪狉狔犻狅狀
由离子枪产生的离子,聚焦到样品表面,溅射并离化样品表面原子。
3.3
二次离子质谱狊犲犮狅狀犱犪狉狔犻狅狀犿犪狊狊狊狆犲犮狋狉狅犿犲狋狉狔
对样品表面溅射出来的二次离子进行质谱分析。
3.4
二次离子狊犲犮狅狀犱犪狉狔犻狅狀
在一次离子束的溅射下,样品表面原子离化
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