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注意事项：1．本试卷共四道大题（21小题150一、选择填空（330分）不含杂质与缺 B．能级位于禁带中C．电阻率很 B．高反C．高速开 C．不含任何杂 D．自旋一轨道耦合出来的能带上的空穴根据分布函数，电子占据（EF+kT）能级的几率＿＿。CEF金属 B．本征半导C．掺杂半导 qτ/m*τ是载流子的＿＿渡越时 C．平均自由时 k空间的<100>0.85k空间的<111>0.85k空间的<100>k空间的<111>激子吸 B．光生伏特效光辐 二．简答题（840分PNPN三．计算题（50分实验测得硅的晶格常数为０.543nmSi的原子体密度（单位体积内的原子个数（5非平衡载流子为8μs。计算光照前后样品的电导率（15分）0300k时锗的有效状态密度Nc＝1.05×1019cm－3，Nv＝5.7×1018cm－3，Eg＝0.67eV；500k时锗的Eg＝0.581eV；常数k=1.380×10-23J/K，求温度为300k和500k时，含施主浓度ND＝5×1015cm-3NA＝2×109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？（15分）0ND=1015cm－3n型硅，由于光照产生了非平衡载流子△n=△p=1014cm－3四．证明题（1530分对于某n型半导

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