标准解读

《GB/T 19403.1-2003 半导体器件 集成电路 第11部分:第1篇:半导体集成电路 内部目检(不包括混合电路)》这一标准主要规定了半导体集成电路在不进行电气测试的条件下,通过目视检查方法对其内部结构和制造质量进行评估的要求和方法。然而,您未提供另一个具体的标准或版本以进行直接对比,因此无法直接指出相对于某个特定前版或后续版的具体变更内容。

但一般来说,当标准更新时,可能涉及以下几个方面的变化:

  1. 术语和定义:新版本可能会引入新的术语或修订原有定义,以适应技术发展和行业共识的变化。
  2. 检测方法和技术要求:随着技术进步,目检技术、工具或评判标准可能有所改进,新标准会反映这些最新要求,以提高检测的准确性和效率。
  3. 缺陷分类与评判准则:可能会对集成电路内部缺陷的分类进行调整,或细化评判标准,以更好地指导实际操作。
  4. 质量控制和抽样方案:为了更有效地控制产品质量,新标准可能会更新抽样计划或增加质量控制的相关规定。
  5. 适用范围调整:有时新标准会根据技术演进或市场需要调整其适用的产品或工艺范围。
  6. 参考标准更新:引用的其他标准或规范可能会被更新至最新版本,确保整个标准体系的一致性。

由于没有具体的对比标准,以上仅是一般性的变更方向概述。如果您有特定的比较版本或想了解该标准与某一特定前版之间的详细差异,提供具体信息后将能给出更加精确的分析。


如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2003-11-24 颁布
  • 2004-08-01 实施
©正版授权
GB/T 19403.1-2003半导体器件集成电路第11部分:第1篇:半导体集成电路内部目检(不包括混合电路)_第1页
GB/T 19403.1-2003半导体器件集成电路第11部分:第1篇:半导体集成电路内部目检(不包括混合电路)_第2页
GB/T 19403.1-2003半导体器件集成电路第11部分:第1篇:半导体集成电路内部目检(不包括混合电路)_第3页
GB/T 19403.1-2003半导体器件集成电路第11部分:第1篇:半导体集成电路内部目检(不包括混合电路)_第4页
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文档简介

犐犆犛31.200

犔56

中华人民共和国国家标准

犌犅/犜19403.1—2003/犐犈犆60748111:1992

犙犆790101

半导体器件集成电路第11部分:

第1篇:半导体集成电路内部目检

(不包括混合电路)

犛犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犱犲狏犻犮犲狊—犐狀狋犲犵狉犪狋犲犱犆犻狉犮狌犻狋狊—

犘犪狉狋11:犛犲犮狋犻狅狀1:犐狀狋犲狉狀犪犾狏犻狊狌犪犾犲狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀

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(犲狓犮犾狌犱犻狀犵犺狔犫狉犻犱犮犻狉犮狌犻狋狊)

(IEC60748111:1992,IDT)

20031124发布20040801实施

中华人民共和国发布

国家质量监督检验检疫总局

犌犅/犜19403.1—2003/犐犈犆60748111:1992

目次

前言!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!Ⅲ

1范围和目的!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1

2设备!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1

3程序!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1

3.0介绍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1

3.0.1总则!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1

3.0.2检验顺序!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1

3.0.3空气洁净度等级!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1

3.0.4检验控制!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!2

3.0.5放大倍率!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!2

3.0.6定义(仅为检验之目的)!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!2

3.0.7说明!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!3

3.1试验条件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!3

3.1.1金属化层缺陷,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!4

3.1.2扩散和钝化层缺陷,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!5

3.1.3划片和芯片缺陷,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!5

3.1.4键合检验,低倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!5

3.1.5内引线,低倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!7

3.1.6封装条件,低倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!7

3.1.7玻璃钝化层缺陷,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!7

3.1.8介质隔离,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!8

3.1.9膜电阻,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!8

3.1.10激光修正的膜电阻器,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!8

3.2规定的条件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!9

4图!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!9

犌犅/犜19403.1—2003/犐犈犆60748111:1992

前言

本部分为GB/T19403的一部分,等同采用国际电工委员会标准IEC60748111:1992《半导体器

件集成电路第11部分:第1节:半导体集成电路内部目检(不包括混合电路)》(英文版)。

由于IEC60748111标准原文中无图1、图2,为保证与国际标准的一致性,故本部分的图例从图3

开始。

本部分由中华人民共和国信息产业部提出。

本部分由全国集成电路标准化分技术委员会归口。

本部分起草单位:信息产业部第四研究所。

本部分主要起草人:魏华、王静

犌犅/犜19403.1—2003/犐犈犆60748111:1992

半导体器件集成电路第11部分:

第1篇:半导体集成电路内部目检

(不包括混合电路)

1范围和目的

进行内部目检的目的是检验集成电路的内部材料、结构和工艺,验证与适用的规范要求的一致性。

通常应在封帽或密封之前对器件进行100%内部目检,以发现可能导致器件在正常使用时失效的

内部缺陷并剔除相应器件。本试验也可按抽样方式在封帽之前使用,以确定承制方对半导体器件质量

控制和操作程序的有效性。

2设备

试验设备包括:具有规定的放大倍率的光学设备;必须的目检判据(量规、图纸、照片等)以保证检验

效果和使操作人员对被检器件能否接收做出客观判断;为提高工作效率在检查期间固定器件且不引起

器件损伤的合适夹具。

3程序

3.0介绍

3.0.1总则

在规定的放大倍率范围内按适当的观察顺序检验器件,以确定器件是否与本部分和适用的规范的

要求相一致。本试验方法的检验和判据适用于所有器件和工序。本试验方法给出了预定用于具体器

件、工艺或技术的判据。

对于如金属覆盖层、氧化物和扩散缺陷等目检较为困难的复杂器件的检验,可选择替代筛选程序代

替目检判据。这些可选择替代的筛选方法和程序在详细规范中规定。

要求适用于线宽在2μm以上的工艺技术。

3.0.2检验顺序

本部分列出的检验顺序不是要求的检验顺序,制

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