标准解读

GB/T 17574.20-2006 是一项中国国家标准，专注于半导体器件中的集成电路领域，特别是针对数字集成电路中低压集成电路族的规范。该标准详细规定了此类集成电路的设计、制造、性能评估及测试方法等方面的要求，旨在确保产品的质量和兼容性，促进国内集成电路产业的技术进步和标准化进程。

标准内容概览：

  1. 范围：明确了本部分标准的应用范围，即适用于低压数字集成电路，规定了这些器件的基本特性和测试条件。

  2. 规范性引用文件：列出了执行本标准时需要参考的其他相关国家标准或国际标准文档，这些文档为理解与实施标准提供了必要的背景信息和技术细节。

  3. 术语和定义：对标准中使用的专业术语进行界定，帮助读者准确理解各项条款的具体含义。

  4. 分类与命名：介绍了低压集成电路的分类原则和命名规则，便于识别和区分不同类型的集成电路产品。

  5. 要求：详细阐述了低压集成电路在电气特性、机械特性、环境适应性等方面应满足的具体技术要求。包括但不限于输入输出电压/电流特性、工作温度范围、功耗限制、噪声容限等。

  6. 测试方法：规定了验证集成电路是否符合上述要求的测试程序、测试设备、测试环境和具体操作步骤，确保测试结果的准确性和可重复性。

  7. 标志、包装、运输和储存：说明了产品标识、包装要求以及在运输和储存过程中的保护措施，以防止损害并保持产品性能稳定。

  8. 质量评定程序：概述了产品质量控制和评估的流程，包括抽样检验、合格判定准则等，确保出厂产品的质量符合标准要求。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2006-12-05 颁布
  • 2007-05-01 实施
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GB/T 17574.20-2006半导体器件集成电路第2-20部分：数字集成电路低压集成电路族规范_第1页
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文档简介

ICS31.200L56中华人民共和国国家标准GB/T17574.20—2006/IEC60748-2-20：2000半导体器件集成电路第2-20部分;数字集成电路低压集成电路族规范Semiconductordeyices-Integratedcircuits-Part2-20:Digitalintegratedcircuits-Familyspecification-Lowvoltageintegratedcircuits（IEC60748-2-20:2000,IDT)2006-12-05发布2007-05-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会

GB/T17574.20—2006/IEC60748-2-20:2000国家标准《半导体器件集成电路》中的数字集成电路部分分为如下几部分：GB/T17574—1998《半导体器件集成电路：第2部分：数字集成电路》（idtIEC60748-2:1985）-GB/T5965—2000《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第一篇行双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列)空白详细规范》idtIEC60748-2-1:1991）-GB/T17023—1997《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第二篇HCMOS数字集成电路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列族规范》idtIEC60748-2-2：1992）——GB/T17024—1997《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第三篇HCMOS数字集成电路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列空白详细规范》idtIEC60748-2-3：1992）-GB/T17572—1998《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第四篇CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范》idtIEC60748-2-4:1992)-GB/T9424—1998《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第五篇CMOS数宁集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范》idtIEC60748-2-5：1992）GB/T7509—1987《半导体集成电路微处理器空白详细规范》（可供认证用)GB/T14119—1993《半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范》（可供认证用)GGB/T6648—1986《半导体集成电路静态读/写存储器空白详细规范》（可供认证用）-GB/T17574.9—2006《半导体器件集成电路第2-9部分：数字集成电路紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范》IEC60748-2-9:1994.IDT)-GB/T17574.10—2003《半导体器件集成电路第2-10部分：数字集成电路集成电路动态读/写存储器集成电路空白详细规范》(IEC60748-2-10:1994.IDT)-GB/T17574.11-—2006《半导体器件集成电路第2-11部分：数字集成电路单电源集成电路电可擦可编程只读存储器空白详细规范》(IEC60748-2-11:1999.IDT)——GB/T17574.12《半导体器件集成电路第2-12部分：数字集成电路可编程器件（PLDs）空白详细规范》IEC60748-2-12）（待转化）各第2-20部分：数字集成电路-GB/T17574.20-2006《半导体器件集成电路低压集成电路族规范》IEC60748-2-20:2000,IDT)本规范等同采用国际电工委员会标准IEC60748-2-20:2000《半导体器件集成电路第2-20部分：数字集成电路低压集成电路族规范》（英文版)。本规范按照（B/T1.1的要求编制国家标准,只对IEC原文作编辑性修改：删除IEC原文中的前育。本规范由中华人民共和国信息产业部提出本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规范起草单位：中国电子技术标准化研究所(CESI)本规范主要起草人：李馄。

GB/T17574.20-2006/IEC60748-2-20:2000集成电路器件的尺寸，不论是横向的还是纵向的,都不断的减小.以获得更好的性能和更高的器件密度。然而.如果不降低电源电压和接口电平,芯片内部的电场就会增大.从而使芯片的可靠性降低增大的电场和增大的系统时钟频率，会增加电源电压和地之间的电磁干扰和电磁噪声，降低了噪声的容限,也增加了误操作的可能。为了持续地按比例降低半导体器件的尺寸.降低电源电压是关键。为了使系统工作在低电源电压下，电源电压的容差和输人输出的电压必须被规定的相当接近。同时考虑到由于电池设备的市场发展很快，将其包含在内,对其进行规定也是很重要的。在本阶段规定这些标准值.制造商可以减少成本，用户可以更经济的设计系统。

GB/T17574.20—2006/IEC60748-2-20:2000半导体器件集成电路第2-20部分：数字集成电路低压集成电路族规范范围本规范的目的是给出低压集成电路不同分组的接口规范,包括电源电压值、容差和最坏情况下的输入、输出电压极限值。同时给出每类标称电源电压的两种接口规范：正常范围和宽范围。正常范围是依据工业标准制定的.典型容差大约是10%。宽范围是扩展到一个较宽的范围，可以使电池继续工作的实际值。！低于3.3V的低电源电压接口规范2.13.×V(3级)电源电压规范适用全工作温度范围下的LVTTL和LVCMOS兼容电路、2.1.1正常工作电源电压范围最小值竹号最大值单位电源电压极限46电源电压工作范围3.6输入低电平电压工作范围0.8输人高电平电压工作范围Vop+0.3Vo=3V.Vn=0.8V.Vin=2V时的电特性LVTTLLVCMOS符号条件特件单位最小值最大值最小值最大值JoL=2mA0.输

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