标准解读
GB/T 15615-1995是一项中国国家标准，全称为《硅片抗弯强度测试方法》。此标准规定了测定硅片抗弯强度的具体试验步骤、所用设备要求、试样制备方法以及测试结果的处理方式，旨在为硅材料及其制品的质量控制和性能评估提供统一的测试指导。
标准适用范围
本标准适用于单晶硅或多晶硅切割而成的硅片，主要应用于半导体器件及太阳能电池等领域。它为这些硅片的机械强度，特别是抗弯强度的测定提供了标准化流程。
测试原理
测试基于三点弯曲法原理，通过在硅片表面施加集中载荷，直至硅片发生断裂，以此来测量其抵抗弯曲破坏的能力。抗弯强度通过计算最大载荷与试样截面的最小矩形面积之比获得。
设备要求
- 弯曲测试机：需具备稳定加载速率和足够精度以确保测试结果的准确性。
- 支撑座与加载头：确保测试过程中试样的支撑稳固且加载点准确。
- 测微计或电子天平：用于测量试样尺寸和重量，以便计算截面面积。
- 夹具：适配硅片尺寸，保证加载均匀且不易滑脱。
试样制备
- 试样应从完整的硅片上切割获取，要求边缘平整、无明显缺陷。
- 规定试样尺寸，通常包括长度、宽度和厚度的具体要求。
- 对试样进行编号记录，确保测试数据的可追溯性。
测试步骤
- 试样安装：将试样放置于测试机的两个支撑点之间，确保中心对齐。
- 加载测试：以恒定速率施加垂直力至试样断裂，记录最大载荷。
- 数据记录：测量断裂后的试样尺寸，计算抗弯强度。
结果处理
- 根据测试数据计算每个试样的抗弯强度，并统计分析所有试样的平均值、标准偏差等统计指标。
- 对异常数据进行识别和处理，必要时进行原因分析。
重复性和再现性
标准中可能包含有关测试重复性和再现性的要求或建议，以确保不同实验室间测试结果的一致性。
如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
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- 废止
- 已被废除、停止使用，并不再更新
- 1995-07-12 颁布
- 1996-02-01 实施
文档简介
9D.669.782-41：620.173.26百23中华人民共和国国家标准GB/T15615—1995硅片抗弯强度测试方法Testmethodformeasuringflexurestrengthofsiliconslices1995-07-12发布1996-02-01实施国家技术监督局发布
中华人民共和国国家标准硅片抗弯强度测试方法GB/T15615-1995Testmethodformeasuringflexurestrengthofsiliconslices主题内客与适用范围本标准规定了硅单品切割片、研磨片和地光片(简称硅片)的抗弯强度测试方法。本标准适用于晶向为<111>和<100>的直拉、悬浮区熔硅单晶片的常温下抗弯强度的测量。硅片厚度为250～900rm。2引用标准GB12964硅单晶抛光片GB12965硅单晶切割片和研磨片3术语3.1抗弯强度flexurestrength试样破碎时的最大弯曲应力,对脆性材料通常是凸表面最大径向张应力，表征抗破碎的性能、3.22小搅度Iittledeflection圆片受到中心载荷弯曲时，圆片中心面弯曲前后的最大位移与圆片厚度比为小量方法原理本标准采用简支圆片集中载荷冲击法测定硅片抗弯强度。用一钢球从1/4圆形轨道上滚下，冲击轨道末端垂直放置的硅圆片试样，不断升高钢球高度直到打碎硅片为止。根据由薄板理论及弹性力学理论推导出的公式(1)计算试样抗弯强度：·（1）式中：0-硅片抗弯强度测试值,N/mm²；P-钢球质量kg；A试样简支半径：mm；试样厚度，m田打破试样时钢球下滚垂直高度，mm；X（kg·mm-")、Y、Z:与硅材料弹性模量和泊松比有关的系数，对<111)硅单晶片，分别为182.0.621及1.146；对<100)硅单晶片，分别为207,0.621及1.146。公式(1)是在薄板小晓度情况下导出，即要求圆片破碎时的最大抗度与试样厚度比小于1/5,因此对不符合小搅度条
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