GB/T 14844-2018半导体材料牌号表示方法

ICS29045

H80.

中华人民共和国国家标准

GB/T14844—2018

代替

GB/T14844—1993

半导体材料牌号表示方法

Designationsofsemiconductormaterials

2018-12-28发布2019-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T14844—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替半导体材料牌号表示方法与相比主要技术

GB/T14844—1993《》,GB/T14844—1993

变化如下

:

修改了范围中本标准适用性的描述见第章年版的第章

———(1,19931);

将原中生产方法和用途分成两项并对牌号表示方法排序进行调整名称为第一项生

———3.1.1,,,

产方法为第二项见年版的

(3.1.1,19933.1);

删除了多晶生产方法中的铸造法增加了表示三氯氢硅法表示硅烷法流化床

———“”,“T”、“S”、“F

法和其他生产方法表示形式参照以上方法进行见年版的

”“”(3.1.3,19933.1.1);

修改了表示块状为表示块状并增加了表示颗粒状和其他多晶形状表示形式

———“N”“C”,“G”“

参照以上方法进行见年版的

”(3.1.4,19933.1.3);

增加了表示电子级用途和表示太阳能级用途见

———“E”“S”(3.1.6);

调整了单晶牌号表示方法排序见年版的

———(3.2.1,19933.2);

增加了示例如硅单晶砷化镓单晶碳化硅单晶锗单晶锑化铟单晶磷

———“Si、GaAs、SiC、Ge、InSb、

化镓单晶和磷化铟单晶等见

GaPInP”(3.2.2);

增加了表示铸锭法见

———“C”(3.2.3);

增加了导电类型示例例如型导电类型掺杂元素有磷锑砷型导电类型掺杂元

———“NP、Sb、As,P

素有硼区熔气相掺杂用表示等见

B,FGD”(3.2.4);

增加了示例例如晶向和等见

———“<111>、<100><110>”(3.2.5);

增加了示例如硅片砷化镓片碳化硅片锗片锑化铟片磷化镓片

———“Si、GaAs、SiC、Ge、InSb、GaP

和磷化铟片等见

InP”(3.3.2);

增加了表示太阳能切割片见

———“SCW”(3.3.4);

调整了外延片牌号表示方法排序见年版的

———(3.4.1,19933.4);

增加了示例如硅外延片砷化镓外延片碳化硅外延片锗外延片锑化铟外

———“Si、GaAs、SiC、Ge、

延片磷化镓外延片和磷化铟外延片等见

InSb、GaPInP”(3.4.2);

增加了牌号中字母表示方法见附录

———(A)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位浙江省硅材料质量检验中心有色金属技术经济研究院有研半导体材料有限公

:、、

司浙江海纳半导体有限公司东莞中镓半导体科技有限公司南京国盛电子有限公司江苏中能硅业科

、、、、

技发展有限公司苏州协鑫光伏科技有限公司天津市环欧半导体材料技术有限公司

、、。

本标准主要起草人楼春兰毛卫中杨素心汪新华邹剑秋孙燕潘金平刘晓霞马林宝宫龙飞

:、、、、、、、、、、

张雪囡丁晓民贺东江

、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T14844—1993。

Ⅰ

GB/T14844—2018

半导体材料牌号表示方法

1范围

本标准规定了半导体多晶单晶晶片外延片等产品的牌号表示方法

、、、。

本标准适用于半导体多晶单晶晶片外延片等产品的牌号表示其他半导体材料牌号表示可参照

、、、,

执行

。

2牌号分类

按照晶体结构和产品形状半导体材料牌号分为多晶单晶晶片和外延片四类牌号中涉及的字母

,、、,

含义参见附录

A。

3牌号表示方法

31多晶牌号

.

311多晶的牌号表示为

..:

P----

5

4

3

2

1

其中

:

分别代表牌号的第一项至第五项

1、2、3、4、5。

312牌号的第一项中第位表示多晶后几位用分子式表示多晶名称如硅锗等

..1P,,Si、Ge。

313牌号的第二项表示多晶的生产方法用英文第一个字母的大写形式表示其中

..,,:

表示三氯氢硅法

a)T;

表示硅烷法

b)S;

表示还原法

c)R