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数字集成电路习题答案简述CMOS工艺流程1.已知电路如图1所示，使用一阶二极管模型，即求解习题1电路图解：根据VGS和VDS确定其处于线性、饱和还是截止状态，并求的值。2.已知3.简述MOS管的电容分布，及其模型〔a〕〔b〕mCMOS工艺的反相器，其中PMOS晶体管的最小尺寸为(W=0.75m，L=0.25m，即W/L=0.75/0.25),NMOS晶体管的最小尺寸为(W=0.375m，L=0.25m，即W/L=0.375/0.25)

求出g,VIL,VIH,NML,NMHVT0(V)(V0.5)VDSAT(V)k’(A/V2)(V-1)NMOS0.430.40.63115×10-60.06PMOS-0.4-0.4-1-30×10-6-0.1mCMOS工艺的反相器，其中PMOS晶体管的最小尺寸为(W=0.75m，L=0.25m，即W/L=0.75/0.25),NMOS晶体管的最小尺寸为(W=0.375m，L=0.25m，即W/L=0.375/0.25)

求出g,VIL,VIH,NML,NMHVT0(V)(V0.5)VDSAT(V)k’(A/V2)(V-1)NMOS0.430.40.63115×10-60.06PMOS-0.4-0.4-1-30×10-6-0.12.如以下图所示，由NMOS组成的反相器，输出电容CL=3pF,W/L=1.5um/0.5um,求tpHL,tpLH和tp2、写出以下图的逻辑函数式，确定电路中晶体管的尺寸，使它的tpLH和tpHL与具有以下尺寸的反相器近似相等：NMOS为W/L=4,PMOS:W/L=8QQ′习题1：一上升沿触发的D触发器，设初态为1，试在给定CP、D

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