标准解读
《GB/T 12963-2014 电子级多晶硅》相比于《GB/T 12963-2009 硅多晶》, 主要变化集中在以下几个方面：
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标准适用范围调整：2014版标准明确将适用范围聚焦于电子级多晶硅，特别强调了其在半导体工业中的应用，而2009版标准则主要针对硅多晶材料，涵盖范围相对更广但未特别区分等级。
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技术指标提升：新标准对多晶硅的纯度、杂质含量、颗粒尺寸、碳含量、微观结构等关键性能指标提出了更高要求，以适应半导体技术进步对材料质量的严苛需求。例如，对特定杂质元素的浓度限值进行了更加严格的限定，确保电子器件的高性能和高可靠性。
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检测方法更新：随着分析技术的发展，2014版标准引入或修订了一些先进的检测技术和方法，如使用更精确的仪器分析杂质元素，改进了对多晶硅结构和电学性质的表征手段，以提高检测结果的准确性和可重复性。
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新增及细化条款：增加了一些关于生产过程控制、包装、储存和运输的具体要求和建议，以减少污染风险，保证多晶硅产品的稳定性和一致性。同时，对产品分级和分类做了进一步细化，便于用户根据实际需要选择合适等级的材料。
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环保与安全要求：考虑到环境保护和生产安全的重要性，新标准可能还加入或强化了对生产过程中环保措施和安全生产的要求，推动行业向绿色可持续方向发展。
这些变化体现了随着半导体产业的快速发展，对原材料质量控制和标准化要求的不断提高，旨在促进我国电子级多晶硅产品质量与国际先进水平接轨，满足高端芯片制造的需求。
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文档简介
ICS29045
H82.
中华人民共和国国家标准
GB/T12963—2014
代替
GB/T12963—2009
电子级多晶硅
Electronic-gradepolycrystallinesilicon
2014-12-31发布2015-09-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
中华人民共和国
国家标准
电子级多晶硅
GB/T12963—2014
*
中国标准出版社出版发行
北京市朝阳区和平里西街甲号
2(100029)
北京市西城区三里河北街号
16(100045)
网址
:
服务热线
:400-168-0010
年月第一版
20151
*
书号
:155066·1-50708
版权专有侵权必究
GB/T12963—2014
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准代替硅多晶本标准与相比主要有如下变动
GB/T12963—2009《》。GB/T12963—2009,:
增加引用国家标准见第
———GB/T1551、GB/T1557、GB/T24574、GB/T24581、GB/T24582(2
章
);
增加了多晶硅的技术参数包括施主杂质浓度受主杂质浓度氧浓度基体金属杂质浓度表
———,、、、、
面金属杂质浓度的要求见表
(1);
不同等级多晶硅的碳浓度由16316316
———<1.5×10atoms/cm、<2×10atoms/cm、<2×10
3修订为153163163
atoms/cm<4.0×10atoms/cm、<1.0×10atoms/cm、<1.5×10atoms/cm
见表
(1)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任
。。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会和全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本标准起草单位峨嵋半导体材料研究所四川新光硅业科技有限责任公司有研半导体材料股份
:、、
有限公司江苏中能硅业科技发展有限公司新特能源股份有限公司洛阳中硅高科技有限公司
、、、。
本标准起草人詹科杨旭种娜黎亚文梁洪孙燕刘晓霞银波甘新业严大洲
:、、、、、、、、、。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为
:
———GB/T12963—1991、GB/T12963—1996、GB/T12963—2009。
Ⅰ
GB/T12963—2014
电子级多晶硅
1范围
本标准规定了多晶硅的要求试验方法检验规则以及标志包装运输储存质量证明书和订货单
、、、、、、
或合同内容
()。
本标准适用于以氯硅烷硅烷制得的多晶硅
、。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1550
硅单晶电阻率测定方法
GB/T1551
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T1553
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T1557
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T1558
硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T4059
硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T4060
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T4061
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T13389
半导体材料术语
GB/T14264
硅单晶中族杂质的光致发光测试方法
GB/T24574Ⅲ-Ⅴ
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中族杂质含量的测试方法
GB/T24581Ⅲ、Ⅴ
酸浸取电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
GB/T24582-
3术语和定义
界定的术语和定义适用于本文件
GB/T14264。
4要求
41产品牌号及类别
.
411电子级多晶硅的牌号表示为
..:
PSi—□—□
阿拉伯数字表示多晶硅等级
多晶硅形状为棒状为块状
,I,N
多晶硅
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