有机发光二极管专利态势发布

有机发光二极管(OLED)

专利态势电学发明审查部2011.122主要内容专利运用管理分析专利文献数据全球专利发展态势中国专利发展态势主要申请人分析重点技术分析产业发展状况3研发始于欧美；显示产业化集中在韩国、日本、中国大陆和台湾。

“863计划”中“高清晰度平板显示专项”《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南》《国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》产业发展状况大陆主要集中在长三角、珠三角以及京津地区。《国家中长期科技发展规划纲要》《鼓励进口技术和产品目录（2011版）》《产业结构调整指导目录（2011年本）》5个19个40个10个技术分解项目有机材料无机材料……基板结构有源基板TFT…………光学辅助层结构增加色纯结构滤光层颜色转换层………………应用……显示像素结构像素排列OLED材料基板材料结构封装工艺和设备中国总量：10153件全球总量：70423项专利文献数据量6区域分析.技术构成分析总量趋势分析二一三四申请人分析全球专利态势7年份柯达US4769292双层出光兴产JP2672325B2小分子旭硝子JP2790353B2多层CDTWO9013148高分子柯达EP71749有源矩阵三洋EP732868全彩精工爱普生JP10050124背光源西门子DE29621618柔性光源ForrestWO9828767磷光先锋商品化维信诺2.7英寸PMOLED索尼24英寸LTBS面板飞利浦13英寸高分子AM三星40英寸a-SiAM奇美25英寸

LTPsAM索尼销售电视SMD成立LG15英寸电视柯达US4356429蒽出光兴产JP6223970蒸镀工艺全球专利态势8全球专利态势专利年申请量总体呈快速增长态势，日本和美国前期专利布局较多，韩国增长最快全球申请99％在中国、日本、韩国、美国和欧洲9专利申请流向图全球专利态势美国市场最受全球申请人重视美国和日本最重视中国市场10申请目的地申请量发展趋势全球专利态势11全球OLED各技术分支发展趋势全球专利态势专利申请逐渐由上游专利向下游专利转移12全球OLED主要申请人排名排名前20名前10名前30名占总量比例53％42％23％全球专利态势大型跨国企业申请量大，集中趋势明显13申请人多边申请量国别起始年度07年比例08年比例09年比例分支主要流向国家三星3912韩国199612.1%12.2%10.5%结构、封装、应用、工艺和设备美国、日本、中国半导体能源2085日本19957.2%6.7%6.5%结构、材料美国、中国、韩国精工爱普生1849日本19969.9%11.7%10.2%结构、封装、应用、工艺和设备美国、中国LG1184韩国199714.3%12.2%12.0%封装、应用、工艺和设备美国、中国、日本索尼897日本199517.3%19.4%10.8%结构、封装美国、中国、韩国富士701日本199510.1%13.9%12.3%材料、应用美国、中国、韩国伊斯曼柯达669美国198010.7%4.8%0.5%材料、结构、应用日本、中国、韩国飞利浦633欧洲199410.3%9.4%11.2%应用中国、美国、日本佳能630日本199618.8%16.1%13.4%结构、材料美国、中国、韩国出光兴产507日本198815.8%9.1%6.5%材料美国、中国、韩国、欧洲先锋496日本19916.8%4.4%3.8%材料、结构美国、中国友达光电481中国19986.8%3.6%5.8%结构美国夏普465日本199110.8%12.7%15.8%结构美国、中国、韩国松下343日本19937.6%11.6%18.6%材料、美国、中国西门子（欧司朗）306欧洲199614.8%14.2%7.4%应用美国、日本、中国松下、夏普、索尼、佳能等申请人保持高度活跃全球专利态势综合技术实力居前企业有三星、精工爱普生和LG14技术构成分析.申请人分析总体趋势分析二一三四区域分析中国专利态势15国内外申请人发明申请量发展趋势中国专利态势总体申请发展迅速，中国申请发展稳定16OLED专利申请量构成类型国内国外合计申请授权有效申请授权有效申请授权有效发明专利量275812281088706133943303981946224391发明构成28.1%26.6%24.8%71.9%73.4%75.2%实用新型专利量32232224412122334334246实用新型构成96.4%96.4%99.2%3.6%3.6%0.8%专利总量3080155013327073340633051015349564637专利构成30.3%31.3%28.7%69.7%68.7%71.3%

中国专利态势在中国专利申请中外国申请人申请量占优。中国总申请中，发明比例接近97%。17各国在中国申请量发展趋势中国专利态势日韩申请人重视在中国的专利布局18各技术分支申请量发展趋势中国专利态势各技术分支总体稳定中国材料技术分支申请近期发展较快19材料技术点申请量发展趋势中国专利态势发光层材料属于技术热点之一结构（2629）基板结构（955）光学辅助层结构（697）增强色纯结构（185）增强亮度结构（229）增强对比度结构（58）黑矩阵(58)偏振结构(40)颜色转化层（68）滤光层（128）精工爱普生；三洋；三星出光兴产富士电机铼宝科技三星；松下；精工爱普生半导体能源；三星；LG三星；友达光电；LG索尼；三星；精工爱普生光散射层（30）光增强层（130)……2011年度专利分析普及推广项目21中国大陆申请量集中区域图济南北京天津合肥福州江苏南宁贵阳昆明武汉重庆兰州银川呼和浩特西宁上海乌鲁木齐太原北京沈阳吉林广东四川陕西申请量排名北京上海广东江苏吉林四川陕西中国专利态势22中国专利申请OLED主要申请人中国专利态势大型跨国企业在中国具有量、质优势23中国专利申请中国内申请人排名中国专利态势中国台湾地区企业具有产业优势国内科研机构具有相当技术实力24战略研究---韩国三星.布局研究---日本出光兴产申请人主体是企业，是技术发展的主要推动力量。研究主要申请人，学习其发展规律和成功经验。主要申请人25韩国三星--全球专利申请全球布局各领域均衡发展主要市场以美国、中国、日本为重点区域技术面广，产业链齐全主要申请人26韩国三星--中国专利申请中国布局量大面广技术方面以材料和结构为重主要申请人27主要申请人—韩国三星现有产业转移进行全球合作全领域开发生产战略布局完善发展竞争战略主要申请人28日本出光兴产--全球专利申请全球布局：合作优先本土为重，主要市场美国、中国、日本、欧洲均衡布局技术优势主要在材料技术主要申请人29日本出光兴产--中国专利申请中国布局总量不大近五年数量逐年下降技术布局主要为材料技术，近年材料比例增大主要申请人30主要申请人—日本出光兴产

索尼(2005年)东芝(2008年)

松下(2011年)UDC(2006年)GOT(2011年)出光兴产LG(2009年)主要申请人31关键技术研究内容.重点技术-多晶硅TFT前沿技术-氧化物TFT关键技术突破是技术进步、行业发展的必经之路。研究关键技术，有助于业内企业明晰技术发展方向。关键技术关键技术有机材料无机材料……基板结构有源基板…………光学辅助层结构增加色纯结构滤光层颜色转换层………………应用……显示像素结构像素排列OLED材料基板材料结构封装工艺和设备TFT33技术的专利现状TFT技术申请量分布关键技术TFT申请量构成TFT技术中日本申请量和质均居领先地位。多晶硅技术为量产热点技术，氧化物技术为前沿技术。34四种TFT主要申请人分布序号a-SiP-SiOTFT氧化物申请人国别申请人国别申请人国别申请人国别1三星韩国三星韩国三星韩国半导体能源日本2夏普日本精工爱普生日本柯尼卡日本三星韩国3LG韩国夏普日本理光日本精工爱普生日本4精工爱普生日本索尼日本精工爱普生日本夏普日本5索尼日本日立显示器日本住友化学日本LG韩国关键技术主要TFT技术申请量日韩企业占领先地位35热点技术--多晶硅TFT技术主要涉及方向多晶硅的形成方法与有源层配套的部件结构多晶硅有源层性能的改进关键技术中国专利申请集中于多晶硅有源层的形成工艺和方法。国外专利申请广泛，涉及多晶硅形成方法、性能的改善以及适用结构。如CN102082098A；KR100721957B1；US7524728B2等如JP3894441B2;CN1941298A;CN101131964A等例如US7297980B2;KR20110053041A;EP1939933A3等36前沿技术--氧化物TFT技术主要涉及方向关键技术国内外研发方向一致：氧化物有源层材料的开发或形成有源层的方法。有源层材料有源层配套的部件氧化物形成方法如CN101615582A；US7804231B2等如CN102064109A;JP2010278412A等如CN101488459A;US8017513B等37从多晶硅TFT专利技术来看，国外的申请人研发方向具有前瞻性。从氧化物TFT专利技术来看，国外的产学研结合较为紧密。关键技术专利运用管理分析专利引进交叉许可专利诉讼丰田、昭和电工、