标准解读
《GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片》相比于《GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片》，主要在以下几个方面进行了更新与调整：
-
技术指标的优化：新版标准对砷化镓单晶及切割片的物理、化学性能指标进行了修订，以适应近年来半导体行业技术进步和市场发展的需求，提高了产品的质量和性能要求。
-
测试方法的改进：针对成分分析、晶体结构、表面质量及微观缺陷检测等方面，2020版标准引入了更先进的测试技术和方法，提升了检测精度和效率，确保了检验结果的准确性和可靠性。
-
生产流程规范的细化：为更好地指导生产实践，新标准对砷化镓单晶生长及切割过程的工艺控制参数给出了更具体、细致的规定，包括但不限于温度控制、气氛环境、切割工艺等，旨在提升产品一致性和生产效率。
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环保与安全要求的加强：考虑到环境保护和生产安全的重要性，2020版标准新增或强化了有关废弃物处理、有害物质管控及操作人员安全防护的要求，体现了标准制定中对可持续发展原则的重视。
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术语与定义的更新：为了与国际标准接轨并反映技术进步，标准对部分专业术语进行了修订或增补，确保了标准语言的准确性和时代性。
-
标准适用范围的明确：新版标准在适用范围描述上更加清晰，明确了标准所覆盖的砷化镓单晶及其切割片的具体类型和应用领域，便于企业和检测机构准确理解和执行。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2020-09-29 颁布
- 2021-08-01 实施
文档简介
ICS29045
H83.
中华人民共和国国家标准
GB/T11094—2020
代替
GB/T11094—2007
水平法砷化镓单晶及切割片
Galliumarsenidesinglecrystalandcuttingwafergrownbyhorizontal
bridgmanmethod
2020-09-29发布2021-08-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T11094—2020
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准代替水平法砷化镓单晶及切割片与相比除编
GB/T11094—2007《》。GB/T11094—2007,
辑性修改外主要技术变化如下
,:
删除了范围中的单晶锭及微波器件见年版的第章
———(20071);
删除了规范性引用文件中的增加了见第章年
———GJB1927,GB/T13388、GB/T14844(2,2007
版的第章
2);
删除了术语和定义中的见年版的第章
———3.1~3.8(20073);
修改了产品的牌号表示方法及分类见第章年版的第章
———(4,20074);
修改了砷化镓单晶生长方向中的偏转角度见年版的
———(5.1.1,20074.3.1);
删除了半绝缘砷化镓单晶的要求及试验方法见年版的
———(20074.3.2、4.4.3、5.1);
删除型非掺杂砷化镓单晶的要求见年版的
———n(20074.3.2);
修改了型掺锌砷化镓单晶的载流子浓度范围见年版的
———p(5.1.2,20074.3.2);
修改了位错密度的分级及要求见年版的
———(5.1.3,20074.3.3);
增加了直径砷化镓切割片及对应砷化镓单晶的要求见
———82.0mm(5.1.4.2、5.2);
晶锭高度误差不大于改为单晶厚度变化应不大于见年版的
———4mm2mm(5.1.4.2,20074.4.1);
增加了关于砷化镓切割片电学性能位错密度的说明见
———、(5.2.1);
修改了砷化镓切割片厚度的要求见年版的
———(5.2.3,20074.5.1);
修改了砷化镓切割片晶向偏离的要求见年版的
———(5.2.4,20074.5.2);
修改了砷化镓单晶及切割片的试验方法见第章年版的第章
———(6,20075);
修改了砷化镓单晶及切割片的检验规则相关内容见第章年版的第章
———(7,20076)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本标准起草单位有研光电新材料有限责任公司有色金属技术经济研究院广东先导先进材料股
:、、
份有限公司北京聚睿众邦科技有限公司雅波拓福建新材料有限公司
、、()。
本标准主要起草人于洪国林泉马英俊赵敬平李素青马远飞李万朋许所成权盼朱刘
:、、、、、、、、、、
周铁军闫方亮杨丽霞付萍
、、、。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为
:
———GB/T11094—1989、GB/T11094—2007。
Ⅰ
GB/T11094—2020
水平法砷化镓单晶及切割片
1范围
本标准规定了水平法砷化镓单晶以下简称砷化镓单晶及切割片的牌号及分类要求试验方法
()、、、
检验规则标志包装运输贮存质量证明书和订货单或合同内容
、、、、、()。
本标准适用于光电器件传感元件等用的砷化镓单晶及切割片
、。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
半导体单晶晶向测定方法
GB/T1555
计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样
GB/T2828.1—20121:(AQL)
计划
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T4326
砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T8760
硅片参考面结晶学取向射线测量方法
GB/T13388X
半导体材料术语
GB/T14264
半导体材料牌号表示方法
GB/T14844
3术语和定义
界定的术语和定义适用于本文件
GB/T14264。
4牌号及分类
41牌号
.
砷化镓单晶及切割片的牌号按照的规定进行表示如有特殊要求由供需双方协商
GB/T14844
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