第3部分存储器

会计学1第3部分存储器（3）多次改写可编程的只读存储器①EPROM（ErasableProgrammableROM，可擦编程只读存储器）：EPROM芯片上有一个透明窗口。其外观如图4-2所示。②EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableROM，电可擦除可编程只读存储器）：EEPROM一般采用高出正常工作电压的方法进行擦写操作。其外观如图4-3所示。第1页/共28页③FlashMemory（闪速存储器）：它既有EEPROM的特点，又有RAM的特点。它不需要改变电压就可改写其中的数据。主板上BIOS和USB闪存盘上的FlashMemory芯片，如图4-4所示。第2页/共28页2．RAM（1）SRAM（StaticRAM，静态随机存储器）SRAM的运行速度非常快，CPU内的一级、二级缓存使用SRAM。（2）DRAM（DynamicRAM，动态随机存储器）DRAM比SRAM慢，但同时也比SRAM便宜得多，在容量上也可以做得更大，体积也更小，所以主存都采用DRAM。DRAM还用于显示卡、声卡、硬盘等设备中，充当设备缓存。第3页/共28页4.1.2按内存在计算机中的用途分类1．主存储器主存储器做成内存条的形式，以方便安装。使用价格低的DRAM。除主机的主存储器外，显示卡也使用容量较大的存储器，显示卡也使用DRAM。其他部件通常也有存储器，如硬盘、光驱、接口卡、打印机、扫描仪等，也都使用DRAM。2．高速缓冲存储器（Cache）目前流行的CPU中通常都有一级、二级、三级高速缓冲存储器。3．BIOSROM主板、显示卡、接口卡上都有BIOSROM。保存BIOS的芯片是一种只读存储器，现在通常采用FlashROM。第4页/共28页4.1.3按内存的外观分类1．双列直插封装内存芯片双列直插封装（DoubleInlinePackage，DIP）内存芯片一般每排都有若干只引脚。通常，芯片的容量可以是：64Kbit、256Kbit或1024Kbit、10244Kbit等。第5页/共28页2．内存条（内存模块）为了节省主板空间，增强配置的灵活性，现在主板均采用内存模块结构。条形存储器是把存储器芯片、电容、电阻等元件焊在一小条印制电路板上，形成大容量的内存条。第6页/共28页4.1.4按内存条的技术标准（接口类型）分类1．DDRSDRAM内存条DDRSDRAM内存条用在IntelPentium4、AMDAthlonXP级别的计算机上。DDR内存条有184个引脚，常见容量有128MB、256MB、512MB等，其外观如图4-7所示。第7页/共28页根据DDR内存条的工作频率，分为DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多种类型。以DDR333SDRAM为例，它的核心频率、时钟频率、数据传输速率分别是133MHz、133MHz、266Mbps。DDR400的核心频率、时钟频率、数据传输速率分别是200MHz、200MHz、400Mbps。内存带宽也叫数据传输速率，是指单位时间内通过内存的数据量，通常以GBps表示。计算内存带宽的公式为内存最大带宽（MBps）=[最大时钟频率（MHz）每个时钟周期内交换的数据包个数总线宽度（bit）]/8第8页/共28页第9页/共28页如果内存是SDRAM，“每个时钟周期内交换的数据包个数”为1；如果是DDR，则为2；如果是DDR2，则为4；如果是DDR3，则为8。除以8是将位（bit）换算成字节（B）。例如，在100MHz下，DDR内存理论带宽为(100MHz264bit)/8=1.6GBps，在133MHz下可达到(133MHz264bit)/8=2.1GBps。关于DDR内存的命名方法，由于DDR比SDRAM的数据带宽提高了一倍，所以把时钟频率为100/133/166/200MHz的DDR内存称做DDR200/266/333/400。另一种表示方法是用DDR内存的最大理论数据传输速率（带宽）来命名的，例如，DDR400的工作频率是200MHz，它的最大理论数据传输速率是(200MHz264bit)/8=3200MBps，所以就采用了PC3200的命名方法。第10页/共28页2．DDR2SDRAM内存条DDR2内存条用在IntelLGA775Pentium4/D、Core2和AMDAthlon64X2、Phenom级别的微机上，是目前的主流内存产品。第11页/共28页DDR2内存条的数据频率在400～800MHz之间，从400MHz（核心频率为100MHz）开始，现已定义的频率达到533MHz（核心频率为133MHz）、667MHz（核心频率为166MHz）和800MHz（核心频率为200MHz），标准工作频率分别为200MHz、266MHz、333MHz和400MHz，工作电压为1.8V，提供64bit的内存数据总线连接。例如，DDR2533的核心频率、时钟频率、数据传输速率分别为133MHz、266MHz、533Mbps。而DDR2533的核心频率与DDR266和PC133SDRAM的是一样的。第12页/共28页3．DDR3SDRAM内存条DDR3SDRAM内存条用在IntelCore2级别的P35芯片组的微机上。DDR3与DDR2一样，也有240个针脚，但DDR3针脚隔断槽口与DDR2不同，DDR3内存左、右两侧安装插口与DDR2不同，DDR3的外观如图4-9所示。DDR3常见容量有1GB、2GB、4GB等。第13页/共28页4.2内存条的结构和封装4.2.1DDR3SDRAM内存条的结构下面以如图4-10所示的DDR3SDRAM为例，介绍内存条的结构。第14页/共28页1．PCB内存条的PCB多数是绿色的，也有红色的，电路板都采用多层设计，有4层或6层。2．内存芯片内存条上的内存芯片也称内存颗粒，内存条的性能、速度、容量都是由内存芯片决定的。3．SPD芯片SPD（SerialPresenceDetect，串行存在检测）是一颗8针，容量为256B的EEPROM芯片。4．金手指黄色的针脚是内存条与主板内存槽接触的部分，通常称为金手指。5．金手指缺口（针脚隔断槽口）金手指上的缺口，一是用来防止内存条插反（只有一侧有），二是用来区分不同类型的内存条。第15页/共28页6．内存条固定卡缺口主板上的内存插槽上有两个夹子，用来牢固地扣住内存条。内存条上的缺口便是用于固定内存条的。7．内存颗粒空位一般内存条每面焊接8片内存芯片，如果多出一个空位没有焊接芯片，则这个空位是预留给ECC（ErrorCheckingandCorrecting，错误检查和纠正）校验模块的。8．电容内存条上的电容采用贴片式电容。电容的作用是滤除高频干扰，它为提高内存的稳定性起了很大作用。9．电阻内存条上的电阻采用贴片式电阻。第16页/共28页10．标签内存条上一般贴有一张标签，上面印有厂商名称、容量、内存类型、生产日期等内容，其中还可能有运行频率、时序、电压和一些厂商的特殊标识。11．散热器对于DDR3内存条，由于其发热量较大，有些内存条会外加散热片，以提高散热效果。带有散热片的内存条如图4-11所示。第17页/共28页4.2.2内存芯片的封装（1）TSOP封装ThinSmallOutlinePackage”薄型小尺寸封装改进的TSOP技术TSOPⅡ目前广泛应用于SDRAM、DDRSDRAM内存的制造上，如图4-12所示。第18页/共28页（2）BGA封装BGA（BallGridArrayPackage，球栅阵列封装）的最大特点是BGA芯片的边缘没有针脚，而是通过芯片下面的球状针脚与印制电路板连接。DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA（FinepitchBallGridArray，BGA的改进型）封装形式，如图4-13所示。第19页/共28页（3）CSP封装CSP（ChipScalePackage，芯片级封装）作为新一代封装方式，其性能又有了很大的提高。目前该封装方式主要用于高频DDR内存，如图4-14所示。第20页/共28页4.3DRAM内存的时间参数（1）CASLatency（CL或tCL）CASLatency（ColumnAddressStrobeLatency，列地址选通脉冲时间延迟，简称CL或CAS）是指内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令，也就是内存存取数据所需的延迟时间。目前DDR内存的CL值主要有2、2.5和3。（2）RAStoCASDelay（tRCD）RAStoCASDelay（timeofRAStoCASDelay，行地址传输到列地址的延迟时间，简称tRCD）是指内存RAS（行地址选通脉冲信号）与CAS（列地址选通脉冲信号）之间的延迟。其可选值为2、3和4。第21页/共28页（3）RASPrecharge（tRP）RASPrecharge（timeofRASPrecharge，内存行地址选通脉冲预充电时间，简称tRP）是指内存RAS预充电的时间。其可选值为2、3和4。（4）RASActiveDelay（tRAS）RASActiveDelay（tRAS）也称CycleTime或ActtoPrechargeDelay，是指内存行地址选通延迟时间，数值越小，速度越快。其可选值范围为5～12。第22页/共28页4.4内存条的主要参数内存条的主要参数包括：型号、适用类型、内存类型、内存容量、插脚数目、芯片分布、内存主频、颗粒封装、延迟描述、内存电压等参数。表4-1、表4-2分别是某款DDR2内存条和DDR3内存条的主要参数描述。第23页/共28页第24页/共28页4.5市场内存条产品介绍1．Kingmax2GBDDR2800Long-DIMM内存条Kingmax2GBDDR2800Long-DIMM内存条的外观如图4-15所示。其内存类型为D