模拟电子技术试题.(答案)

精选优质文档-----倾情为你奉上精选优质文档-----倾情为你奉上专心---专注---专业专心---专注---专业精选优质文档-----倾情为你奉上专心---专注---专业模拟电子技术试题（答案）一．判断题N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。（×）点接触型晶体二极管因其结电容很小，因此工作频率也很小，比较适用于做小信号检波。（×）室温下，当锗晶体二极管导通后，在正常使用的电流范围内，管压降一般取0.7V。（×）最大整流电流是指二极管运行时允许承受的最大正向平均电流。（√）正常情况下，二极管的正向电阻阻值小于反向电阻阻值。（√）晶体二极管的阳极电位是10V，阴极电位是20V，则该晶体二极管处于导通状态。（×）稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向导通来实现的。（×）若把二个稳压值相同的稳压二极管正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值为二个稳压值相加。（×）变容二极管是一只工作在正向偏压下的二极管，只是在制造工艺上采取了某些措施，以保证它的结电容能随外加电压显著地改变。（×）发光二极管是利用PN结内电光效应发光的，当有电流流过时，就能发出光来。（√）光电二极管PN结工作在反向偏置状态，在光的照射下，反向电流随光照强度的增加而上升。（√）三极管工作于饱和状态时，其外加偏置电压为发射结正偏，集电结正偏。（√）在三极管放大电路放大区，基极电流与集电极电流的比值保持不变，为一常数。（√）根据输出特性曲线，三极管的工作区域可以分为截止区和饱和区，相当于一个开关。（×）晶体三极管的集电极—发射极击穿电压BV_ceo的值是指基极开路时的集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压。（√）用直流电压表测量某放大电路中的一只PNP型晶体三极管，各电极对地的电位是：U₁=-2.7V，U₂=-6V，U₃=-2V，则该晶体三极管各管脚分别为1脚为b、2脚为c、3脚为e。（×）某晶体三极管接在放大电路中,今测得它的三个管脚电位分别为-9V,-6V和-6.2V,说明这个晶体三极管是锗材料的PNP管。（√）常温下,硅晶体三极管的U_BE=0.7V,且随温度升高U_BE也增加。（×）场效应管是电流控制器件，有一种载流子参与导电，属单极型器件。（×）场效应晶体管根据它的导电沟道可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管二种。（×）在低压小电流工作中，场效应管可作为电压控制的可变线性电阻和导通电阻很小的无触点开关。（√）基本放大电路中的耦合电容具有隔直通交作用。（√）画放大器直流通路时，耦合电容和旁路电容应视为短路。（×）为了稳定静态工作点，一般采用电流负反馈偏置电路。（√）反映放大电路带负载能力的等效电阻是输入电阻。（×）放大电路的静态工作点会随工作温度的变化而漂移，这不但会影响放大倍数的性能，还会造成输出波形的失真，使放大电路无法正常工作。（√）在晶体三极管放大电路中，当电路出现截止失真时,是因为静态工作点设置得太高了。（×）共发射极放大器的输出电压与输入电压在相位上是同相位。（×）用PNP管组成的共发射极放大电路，具有放大作用是由于基极电流的变化量控制集电极电流的变化量的结果。（√）某个处于放大状态的直接耦合共发射极电路，用直流电压表测得输入电压为10mV时，输出电压为7V；输入电压为15mV时，输出电压为6.5V，电路的电压放大倍数为100。（×）共集电极电路具有三大特点，它们是输入电阻高，输出电阻低，放大倍数≥1。（×）共集放大电路本身没有电压放大作用，但由于其输出电阻很小，当负载改变时，输出电压变动很小，所以具有较好的带负载能力，可作为恒压源输出。（√）由于射极输出器具有输入电阻高，对信号源影响小的特点，一般在放大电路中多用它做输入级。（√）共基放大电路的电压增益比较高，它的电流增益也比较大。（×）共基放大电路与共射放大电路的放大倍数在数值上大小相同，相位相反，所以共基放大电路是同相放大器。（√）共基放大电路输入电阻小，输出电阻大，高频振荡电路常用这种组态。（√）场效应管放大电路用自生偏置电路时，过负的偏置电压，会使管子进入夹断而不能正常工作。（√）场效应管用作放大器时，必须工作在可变电阻区域。（×）从结型场效应管的转移特性曲线来看，场效应管是非线性器件，栅源极之间加入负电压才能使管子正常工作。（√）场效应晶体管源极输出器与晶体管共集电极放大电路具有相似特点，即：输入电阻高，输出电阻低，放大倍数≤1，输出电压和输入电压同相。（√）场效应管的直流参数主要有饱和漏极电流、直流输入电阻、夹断电压和开启电压。（√）场效应管工作在饱和区时，其漏极电流与漏源电压基本无关，且和栅源电压之间满足转移特性，因此其静态工作点也可由转移特性估算得出。（√）多级放大电路中对输入级的要求是有足够的电压放大倍数。（×）在阻容耦合多级放大器中，当输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须提高输入信号的频率。（×）两个独立的单管共射放大器，不接负载时，各自的电压放大倍数为50，采用阻容耦合方式，将它们连成一个二级放大器，该电路总的电压放大倍数100。（×）放大电路中由于有电抗元件的存在，它们的电抗值与信号频率有关，描写放大倍数与频率之间关系的曲线，称为频率特性。（√）阻容耦合放大电路在高频段产生频率失真，主要是受三极管PN结结电容和线路分布电容的影响。（√）频率特性的改善主要是提升下限频率，通常有三种方法，接入负反馈电路、使用不同组态的放大电路和外接补偿元件。（×）多级放大电路虽然能使放大倍数提高，但通频带因此变窄了。（√）反馈放大器由基本放大器和反馈网络两大部分组成。（√）若引回的反馈信号削弱输入信号而使放大电路的放大倍数降低，这种过程称为反馈。（×）在基本共射放大电路中，发射极电阻引入的反馈是并联电流负反馈。（×）若反馈信号与输入信号在输入回路中以电流相加，则该反馈为并联反馈。（√）判别电压反馈还是电流反馈的方法是采用瞬时极性法。（×）负反馈放大器的闭环增益A_F与开环增益A是成反比的。（×）引入交流负反馈电路，提高了放大倍数的稳定性。（√）在放大电路中引入交流负反馈，对非线性失真得到了改善。（√）负反馈使放大器的通频带变窄了。（×）要提高输入电阻，应引入并联负反馈；要减小输入电阻，应引入串联负反馈。（×）因为深度负反馈能稳定放大倍数，所以负反馈电路各元件的选用不必考虑性能的稳定。（×）某深度负反馈放大器反馈系数F为0.05，则它的闭环增益A_F为200。（×）集成运放有输入级，输出级和中间级组成。（√）共模抑制比是集成运放的唯一重要参数。（×）集成运放型号为F007的芯片是跨导性集成运放。（×）理想运算放大器的开环电压增益必须为无穷大。（√）虚短就是理想运算放大器的同相输入端的电位与反相输入端的电位相等。（√）加减法电路属于线性电路的应用范围里。（√）迟滞比较器因为输出的是方波，所以它也可以称为单稳态电路。（×）一般由低通滤波器和高通滤波器串联而组成的滤波器称为带通滤波器。（√）功率放大电路的主要特点是在允许的非线性失真范围内，要求输出功率尽可能大。（√）甲乙类功放导通角为π/4。（×）由于功放管消耗功率较大，使其结温和管壳温度升高，所以一般功放管都按装散热片。（√）在功放电路中，由于功放管是工作在大电流和高电压的情况下，所以必须加一个限流二极管，起到保护功率管的作用。（×）甲乙类的推挽功率放大电路的效率一般高达78.5%。（×）所谓

OTL电路是指功放电路的输出端无输出变压器。（√）OTL电路是工作在甲乙类互补状态的，所以它没有交越失真。（×）OCL电路中，由于两个晶体管互相对称，交替工作，共同完成放大功能，所以又称为乙类互补对称功率放大器。（√）在OCL电路中，电路的最大输出功率就是等于该电路电源供给的功率。（×）为了克服交越失真，OCL电路中三极管的静态工作点设置在微导通状态。（×）集成功放电路具有体积小、成本低、外接元件少、工作稳定、易安装调试等优点。（√）LM386是一种通用型小功率音频放大集成功率放大器，它的直流电源电压范围是4V-12V而音频功率是0.5W。（√）交流电经过整流电路后的电压不仅有直流成分，还包含有许多幅度较大的谐波分量。（√）二极管的整流电路一般分为：半波整流电路、全波整流电路、倍压整流电路和桥式整流电路。（√）在单相桥式整流电路中，如果流过每只整流晶体二极管的电流为3A，则负载电流为1.5A。（×）经过整流电路输出的直流电压含有较大的脉动分量，由电容、电感等储能元件组成的滤波电路进行滤波，可以得到波形平滑的直流电压。（√）Γ型滤波器是由电容、电感组成的。（√）单相桥式整流电容滤波电路中，若电源变压器二次电压为50V，则负载电压为25V。（×）具有放大环节的串联型稳压电路的输出电压的大小是由取样电路的分压比和基准电压决定的。（√）当输入直流电压或负载发生变化而使输出电压变化时，通过某种反馈形式使三极管的集电极和发射极之间的电压也随之变化，从而调整输出电压，保持输出电压基本稳定。（√）集成稳压器内部电路是由基准电压源、比较放大器、采样电路和保护电路等四个主要部分组成。（×）三端可调集成稳压器的基准电压是个不变的值。（√）CW7805L为国产固定型集成稳压器，其中78表示为：输出正电压；05表示为：输出+5V；L表示为：最大输出电流0.1A。（√）开关型稳压电源的特点是重量轻、功耗小、效率高和稳压范围宽。（√）开关稳压电源主要由输入回路、高频变换器、输出整流滤波器和控制电路组成。（√）反馈式正弦振荡器是由放大器、选频网络和正反馈网络三部分组成的。（×）振幅平衡条件和相位平衡条件中，只要满足其中一个，振荡器就可产生自激振荡。（×）要产生稳定的正弦振荡，振荡器必须同时满足振荡的起振条件、平衡条件和稳定条件。（√）LC正弦波振荡器的输出波形不太好，工作频率不高，是因为电感对高次谐波呈现较大的阻抗，反馈信号中存在着高次谐波分量较大所造成的。（√）变压器反馈式振荡器是用变压器构成正反馈网络的，由于振荡器的振幅条件容易满足，只需考虑相位条件是否满足。因此，需特别注意同名端的接法。（√）并联型晶体振荡器，石英晶体应工作在容抗区。（×）石英晶体是具有压电效应的SiO2结晶体。（√）在实际应用中，当要求频率稳定度高的场合，我们一般采用石英晶体振荡器。（√）在RC正弦波振荡器中，用具有负温度系数的热敏电阻，用以改善振荡波形，温度振荡幅度。（√）在RC桥式振荡器中，放大器的增益取得越大越好。（×）文氏电桥振荡器属于RC串并联谐振器。（√）石英晶体振荡器与LC正弦波振荡器比较，其主要优点在于不仅能获得较高的频率稳定性而且能获得较高的振荡频率。（√）用暂态法来分析宽带放大器时，输入一个周期性矩形脉冲，若输出脉冲波形前沿陡峭，则表明宽带放大器高频特性好。（√）采用交替负反馈电路扩展通频带，为保证足够大的反馈信号，两级负反馈放大器之间要解决的问题是前后级负反馈形式的匹配。（×）采用具有谐振特性的元件和网络作为负载的放大器称为谐振放大器，它仅有放大作用，没有选频或滤波的作用。（×）把要传送的信号“装载”到高频信号上的过程称为调制。常用方法有振幅调制、频率调制和相位调制三种方法。（√）调幅波是载波振幅按照调制信号的大小成线性变化的高频振荡波。（√）收音机中变频器的作用是将已调波频谱从高频位置移到中频位置，频谱内部结构是不能变化的。（√）同步检波中参考电压与原载波之间频率相位关系应符合同频又同相的条件。（√）将调制信号作为载波压控振荡器的控制电压，使其产生的振荡频率随调制信号呈线性变化，这种调频方式称为间接调频。（×）斜率鉴频器可以分为单失谐回路斜率鉴频器、双失谐回路斜率鉴频器、不平衡双失谐回路。（√）AFC电路的组成部分是鉴频器。（×）AGC电路的功能是接收弱信号时，要使接收机自动处于高增益状态；接收强信号时，为避免晶体管或终端器件需自动降低增益。（√）锁相环电路是由鉴相器、环路滤波器、压控振荡器等三部分组成的。（√）调频波锁相解调器的输入调频信号，中心频率在锁相环的捕捉带内，且调频信号的频偏在同步带内，环路能实现锁定与跟踪。（√）集成锁相环路的内部是由鉴相器、整形放大电路、缓冲放大器和内部稳压电路四部分组成的。（×）二．单选题半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为（C）。（A）N型半导体（B）P型半导体（C）本征半导体（D）掺杂半导体当半导体中的自由电子大于空穴的数目时,这样的半导体称为（A）。（A）N型半导体（B）P型半导体（C）本征半导体（D）掺杂半导体当半导体中的空穴大于自由电子的数目时,这样的半导体称为（B）。（A）N型半导体（B）P型半导体（C）本征半导体（D）掺杂半导体点接触型晶体二极管因其结电容很小，因此工作频率很高，比较适用于做（A）。（A）高频检波（B）大功率整流（C）大电流开关（D）小电流开关点接触型晶体二极管因其结电容很小，因此工作频率很高，比较适用于做（B）。（A）大功率整流（B）小信号检波（C）小电流开关（D）大信号检波面接触型晶体二极管因其结面积大，结电容也大，因此工作频率低，比较适用于做（A）。(A)低频整流(B)高频检波(C)大电流开关(D)小信号检波室温下,当硅晶体二极管导通后，在正常使用的电流范围内，管压降一般取（B）。（A）0.3V(B)0.7V(C)0.4V(D)0.5V室温下，当锗晶体二极管导通后，在正常使用的电流范围内，管压降一般取（D）。（A）0.3V(B)0.1V(C)0.4V(D)0.2V室温下，当锗晶体二极管导通后，在正常使用的电流范围内，管压降一般取（A）。（A）0.2V(B)0.7V(C)0.4V(D)0.5V最大整流电流是指二极管运行时允许承受的（C）。(A)最大正向电流(B)最大反向电流(C)最大正向平均电流(D)最大反向平均电流最大整流电流是指二极管运行时允许承受的（B）。(A)最大反向饱和电流(B)最大正向平均电流(C)最大启动电流(D)最大正向电流是指二极管运行时允许承受的最大正向平均电流。(A)最大整流电流(B)最大反向电流(C)最大饱和电流(D)最大正向电流正常情况下，二极管的正向电阻和反向电阻阻值关系是（B）。（A）正向电阻大于反向电阻（B）正向电阻小于反向电阻（C）正向电阻等于反向电阻（D）不一定如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零,则该晶体二极管（B）。（A）正常（B）内部短路（C）内部断路（D）管脚断开如果晶体二极管的正、反向电阻都很大,则该晶体二极管（C）。（A）已被击穿（B）内部短路（C）内部断路（D）正常晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该晶体二极管处于（A）。（A）反偏状态（B）正偏状态（C）零偏状态（D）不明确晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-20V，则该晶体二极管处于（B）。（A）反偏状态（B）正偏状态（C）零偏状态（D）不明确晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该晶体二极管处于（C）。(A)导通状态(B)饱和状态(C)截止状态(D)放大状态正常情况下，稳压二极管是工作在（B）区的。(A)正向导通(B)反向击穿(C)正向饱和(D)反向截止稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的（C）来实现的。反向截止(B)饱和导通(C)反向击穿(D)正向特性工作在反向击穿区的二极管是（A）。（A）稳压二极管(B)发光二极管(C)变容二极管(D)光电二极管有两个2CW15稳压二极管，一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是（B）。（A）8V（B）7.5V（C）15.5V（D）0V有两个2CW15稳压二极管，一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把它们用不同的方式组合起来，可组成不同稳压值的种类有（D）。（A）1种（B）2种（C）3种（D）4种有两个2CW15稳压二极管，一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管顺向串联，接入电路，这时组合管的稳压值是（C）。（A）8V（B）7.5V（C）15.5V（D）0V变容二极管是一只工作在(C)下的二极管，只是在制造工艺上采取了某些措施，以保证它的结电容能随外加电压显著地改变。（A）反向电流(B)正向偏压(C)反向偏压(D)正向电流变容二极管是一只工作在反向偏压下的二极管，只是在制造工艺上采取了某些措施，以保证它的结电容能随(B)显著地改变。(A)内部电流(B)外加电压(C)外加电流(D)内部电压工作在反向偏压下，并在制造工艺上采取了某些措施，以保证它的结电容能随外加电压显著地改变的二极管，称为（B）。(A)稳压管(B)变容二极管(C)发光二极管(D)光电二极管（B）是利用PN结内电光效应工作的二极管。(A)开关二极管(B)发光二极管(C)整流二极管(D)光电二极管（C）是利用PN结内电光效应工作的二极管。(A)稳压二极管(B)变容二极管(C)发光二极管(D)光电二极管发光二极管是利用PN结内(B)发光的。电热效应(B)电光效应(C)压电效应(D)光电效应光电二极管PN结工作在反向偏置状态，在光的照射下，(B)随光照强度的增加而上升。(A)正向电压(B)反向电流(C)反向电压(D)正向电流光电二极管PN结工作在(A)状态，在光的照射下，反向电流随光照强度的增加而上升。（A）反向偏置(B)导通(C)正向偏置(D)饱和PN结工作在反向偏置状态，在光的照射下，反向电流随光照强度的增加而上升，这种二极管是（D）。(A)稳压管(B)变容二极管(C)发光二极管(D)光电二极管三极管工作于放大状态时，其外加偏置电压为（B）。（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结正偏，集电结反偏（C）发射结反偏，集电结正偏（D）发射结反偏，集电结反偏三极管工作于饱和状态时，其外加偏置电压为（A）。（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结正偏，集电结反偏（C）发射结反偏，集电结正偏（D）发射结反偏，集电结反偏三极管工作于截止状态时，其外加偏置电压为（D）。（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结正偏，集电结反偏（C）发射结反偏，集电结正偏（D）发射结反偏，集电结反偏根据三极管的放大本质，基极电流有一个微小的变化量，则（C）变化量。(A)集电极电流也有一个微小的(B)发射极电流没有(C)集电极电流会有一个较大的(D)发射极电流会有一个微小的根据三极管的放大本质，(A)变化量，集电极电流就会有较大的变化量。基极电流有微小(B)发射极电流有较大的(C)发射极电流有微小的(D)基极电流没有根据三极管的放大本质，基极电流与集电极电流的比例系数为（C）。(A)（1-β）倍(B)β倍(C)1/β倍(D)（1+β）倍根据输出特性曲线，三极管的工作区域可以分为（B）三种。(A)倒相区、截止区、放大区(B)截止区、放大区、饱和区(C)放大区、导通区、截止区(D)饱和区、倒相区、截止区根据输出特性曲线，三极管的工作区域可以分为截止区、放大区和（D）三种。(A)倒相区(B)开关区(C)导通区(D)饱和区根据输出特性曲线，三极管的工作区域可以分为放大区和（B）三种。(A)倒相区、截止区(B)截止区、饱和区(C)饱和区、开关区(D)饱和区、倒相区晶体三极管的集电极—发射极击穿电压BV_ceo的值是指（C）时的集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压。(A)基极短路(B)基极串入一个大电阻(C)基极开路(D)基极串入一个小电阻晶体三极管的集电极—发射极击穿电压BV_ceo的值是指基极开路时的集电极与发射极之间所能承受的（A）。（A）最高反向电压(B)最小反向电压(C)最高正向电压(D)最小正向电压晶体三极管在基极开路时的集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压，称为（B）。(A)BV_cbo(B)BV_ceo(C)BV_ebo(D)BV_ces用直流电压表测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管，各电极对地的电位是：U₁=2V，U₂=6V，U₃=2.7V，则该晶体三极管各管脚的名称是（B）。（A）1脚为c、2脚为b、3脚为e（B）1脚为e、2脚为c、3脚为b（C）1脚为b、2脚为e、3脚为c（D）1脚为e、2脚为b、3脚为c用直流电压表测量某放大电路中的一只PNP型晶体三极管，各电极对地的电位是：U₁=-2V，U₂=-8V，U₃=-2.7V，则该晶体三极管各管脚的名称是（C）。（A）1脚为c、2脚为b、3脚为e（B）1脚为e、2脚为c、3脚为b（C）1脚为b、2脚为c、3脚为e（D）1脚为e、2脚为b、3脚为c用直流电压表测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管，各电极对地的电位是：U₁=8V，U₂=2V，U₃=2.7V，则该晶体三极管各管脚的名称是（A）。（A）1脚为c、2脚为e、3脚为b（B）1脚为e、2脚为c、3脚为b（C）1脚为b、2脚为c、3脚为e（D）1脚为e、2脚为b、3脚为c测得某放大电路中，晶体管管脚e、b、c电位分别为-5V，-4.7V，-8V，该管为（A）。（A）PNP型锗管（B）PNP型硅管（C）NPN型锗管（D）NPN型硅管测得某放大电路中，晶体管管脚e、b、c电位分别为5V，5.7V，12V，该管为(D)。（A）PNP型锗管（B）PNP型硅管（C）NPN型锗管（D）NPN型硅管测得某放大电路中，晶体管管脚e、b、c电位分别为2V，2.3V，6V，该管为(C)。（A）PNP型锗管（B）PNP型硅管（C）NPN型锗管（D）NPN型硅管在一般情况下，温度升高，硅晶体三极管的U_BE为（B）。(A)0.4V(B)0.7V(C)0.2V(D)0.9V在一般情况下，温度升高，锗晶体三极管的U_BE为（C）。(A)0.4V(B)0.5V(C)0.2V(D)0.1V在一般情况下，温度升高，硅晶体三极管的U_BE为（D）。(A)0.5V(B)1.OV(C)0.2V(D)0.7V场效应管是一种电压控制器件，它利用（A）来控制半导体中多数载流子的运动，以实现放大作用。(A)电场效应(B)光电效应(C)电光效应(D)电热效应场效应管是一种(B)器件，它利用电场效应来控制半导体中多数载流子的运动，以实现放大作用。(A)功率控制(B)电压控制(C)电流控制(D)电阻控制场效应管是一种电压控制器件，它利用（D）来控制半导体中多数载流子的运动，以实现放大作用。(A)电热效应(B)电压效应(C)电流效应(D)电场效应场效应晶体管根据它的结构可分为结型场效应管和(B)场效应管二种。(A)P沟道(B)绝缘栅型(C)无缘栅型(D)N沟道场效应晶体管根据它的导电沟道可分为N沟道场效应管和(A)场效应管二种。P沟道(B)绝缘栅型(C)G沟道(D)结型按它的导电沟道分为N沟道和P沟道的晶体管称为（D）。(A)晶体二极管(B)晶体三极管(C)晶闸管(D)场效应管在低压小电流工作中，场效应管可作为电压控制的(B)和导通电阻很小的无触点开关。(A)不可变非线性电阻(B)可变线性电阻(C)可变非线性电阻(D)不可变线性电阻在低压小电流工作中，场效应管可作为（D）的可变线性电阻和导通电阻很小的无触点开关。(A)电流控制(B)电机控制(C)自动控制(D)电压控制在（A）工作中，场效应管可作为电压控制的可变线性电阻和导通电阻很小的无触点开关。(A)低压小电流(B高压小电流(C)高压大电流(D)低压大电流基本放大电路中的耦合电容其作用是：（C）（A）能提供适当的静态偏置电流(B)使负载获得比较大的输出(C)使放大器的输入、输出级直流电压互相不产生干扰(D)对直流信号的阻抗很小，而对交流信号的阻抗很大基本放大电路中的耦合电容其作用是：（A）(A)能够把信号源提供的交流信号传递给负载(B)使晶体管的发射结处于正向偏置；(C)使负载获得比较大的输出(D)能提供适当的静态偏置电流基本放大电路中的耦合电容其作用是：（D）(A)能够把交流信号和直流信号都传递给负载(B)对直流信号的阻抗很小，而对交流信号的阻抗很大(C)能够把直流信号传递给负载(D)对交流信号的阻抗很小，而对直流信号的阻抗很大画放大器直流通路时，耦合电容和旁路电容应视为（B）。（A）短路（B）开路（C）不变（D）大电阻画放大器交流通路时，耦合电容和旁路电容应视为（A）。（A）短路（B）开路（C）小电阻（D）不变画放大器直流通路时，耦合电感应视为（C）。（A）不变（B）开路（C）短路（D）大电阻为了稳定静态工作点，一般采用(C)偏置电路。（A）电压正反馈((B)电流正反馈(C)电流负反馈(D)电压负反馈为了稳定静态工作点，一般采用(C)。（A）分流式偏置电路(B)电压并联正反馈(C)分压式偏置电路(D)电流分流正反馈在基本放大电路中采用分压式偏置电路，是为了（A）。(A)稳定静态工作点(B)增大输出电压(C)提高静态工作点(D)增大输出功率反映放大电路带负载能力的等效电阻称为（A）。（A）输出电阻(B)输入电阻(C)反馈电阻(D)耦合电阻反映放大电路对信号源影响程度的等效电阻称为（D）。（A）耦合电阻(B)输出电阻(C)反馈电阻(D)输入电阻反映放大电路（B）的等效电阻称为输出电阻。（A）输入特性(B)带负载能力(C)抗干扰能力(D)输出特性放大电路的静态工作点会随工作温度的变化而漂移，这不但会影响（A）的性能，还会造成输出波形的失真，使放大电路无法正常工作。(A)放大倍数(B)输入电阻(C)输入特性(D)输出电阻放大电路的静态工作点会随工作温度的变化而漂移，这不但会影响放大倍数的性能，还会造成（B），使放大电路无法正常工作。(A)输入波形的交越失真(B)输出波形的失真(C)输入波形的失真(D)输出波形的交越失真放大电路的静态工作点会随工作温度的变化而漂移，这不但会影响（D）的性能，还会造成输出波形的失真，使放大电路无法正常工作。(A)耦合程度(B)信号源内阻(C)带负载能力(D)放大倍数在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时,静态工作点设置太低将产生（B）。（A）饱和失真（B）截止失真（C）不失真（D）交越失真在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高将产生（A）。（A）饱和失真（B）截止失真（C）不失真（D）交越失真在晶体三极管放大电路中，当电路出现截止失真时,是因为静态工作点设置得（A）。(A)太低(B)太高(C)太左(D)太右共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（C）。（A）同相位（B）相位差90度（C）相位差为180度（D）相位差45度共发射极放大器的输出电压与输入电压的大小关系是（A）。(A)输出电压大于输入电压(B)输出电压小于输入电压(C)输出电压小于等于输入电压(D)输出电压等于输入电压共发射极放大器的输出电压和输入电压的大小关系和相位关系是（B）。（A）输出电压小于输入电压且相位差为180度(B)输出电压大于输入电压且相位差为180度(C)输出电压小于输入电压且同相位(D)输出电压大于输入电压且相位差为90度用PNP管组成的共发射极放大电路，具有放大作用是由于基极电流的变化量控制着（A）的变化量的结果。(A)集电极电流(B)发射极电流(C)集电结电压(D)发射结电压用NPN管组成的共发射极放大电路，具有放大作用是由于(C)的结果。(A)发射极电流的变化量控制基极电流的变化量(B)集电极电流的变化量控制基极电流的变化量(C)基极电流的变化量控制集电极电流的变化量(D)发射极电流的变化量控制集电极电流的变化量在共发射极放大电路中，由于基极电流的变化量控制集电极电流的变化量，使其具有（B）作用。（A）反馈(B)放大(C)隔直(D)整流某个处于放大状态的直接耦合共发射极电路，用直流电压表测得输入电压为10mV时，输出电压为7V；输入电压为15mV时，输出电压为6.5V，电路的电压放大倍数为（D）。（A）700（B）-700（C）100（D）-100某个处于放大状态的直接耦合共发射极电路，用直流电压表测得输入电压为20mV时，输出电压为8V；输入电压为15mV时，输出电压为10V，电路的电压放大倍数为（B）。（A）400（B）-400（C）100（D）-100某个处于放大状态的直接耦合共发射极电路，用直流电压表测得输入电压为10mV时，输出电压为7V；输入电压为15mV时，输出电压为6.5V，电路的电压放大倍数为（B）。（A）500（B）-100（C）100（D）-500共集电极电路具有三大特点，它们是输入电阻高，输出电阻低，放大倍数（D）。(A)小于1(B)大于1(C)大于等于1(D)小于等于1共集电极电路的三大特点，除了放大倍数≤1外，还有（C）。(A)输入电阻低和输出电阻高(B)输入电阻低和输出电阻低(C)输入电阻高和输出电阻低(D)输入电阻高和输出电阻高共集电极电路的三大特点是（A）。(A)输入电阻高，输出电阻低和放大倍数≤1(B)输入电阻低，输出电阻低和放大倍数≥1(C)输入电阻低，输出电阻高和放大倍数≤1(D)输入电阻高，输出电阻高和放大倍数≤1共集放大电路本身没有电压放大作用，但由于其(A)，当负载改变时，输出电压变动很小，所以具有较好的带负载能力，可作为恒压源输出。(A)输出电阻很小(B)输出电阻比较大(C)输入电阻很小(D)输入电阻比较大共集放大电路本身没有电压放大作用，但由于其输出电阻很小，当负载改变时，输出电压变动很小，所以具有较好的(B)，可作为恒压源输出。(A)功率放大能力(B)带负载能力(C)输出波形(D)抗干扰能力共集放大电路本身没有电压放大作用，但由于其输出电阻很小，当负载改变时，输出电压变动很小，所以具有较好的带负载能力，可作为(D)。(A)运算放大器(B)恒流源输出(C)功率放大器(D)恒压源输出由于射极输出器具有输入电阻高，对信号源影响小的特点，一般在放大电路中多用它做（B）。(A)输出级(B)输入级(C)中间级(D)反馈级由于射极输出器具有（A），对信号源影响小的特点，一般在放大电路中多用它做输入级。(A)输入电阻高(B)输出电阻高(C)输入电阻低(D)输出电阻低由于射极输出器具有输入电阻高，有（C）的特点，一般在放大电路中多用它做输入级。(A)输出电压小(B)带负载能力强(C)对信号源影响小(D)放大能力强共基放大电路的电压增益比较高，电流增益是（D）的。(A)小于等于1(B)大于等于1(C)大于1((D)小于1共基放大电路的电流增益小于1，它的电压增益是（B）。（C）(A)小于等于1(B)大于等于1(C)大于1((D)小于1放大电路中电压增益高，电流增益小的的电路是（A）。(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)反馈放大电路(D)共射放大电路共基放大电路与共射放大电路的放大倍数（D），所以共基放大电路是同相放大器。（A）在数值上大小不同，相位相同(B)在数值上大小不同，相位也不同(C)在数值上大小相同，相位也相同(D)在数值上大小相同，相位相反共基放大电路与（A）的放大倍数在数值上大小相同，相位相反。（A）共射放大电路(B)运算放大电路(C)共集放大电路(D)反馈放大电路共基放大电路与共射放大电路的放大倍数在数值上大小相同，相位相反，所以共基放大电路也称（B）。(A)正反馈放大器(B)同相放大器(C)负反馈放大器(D)反相放大器由于共基放大电路输入电阻低，电压增益较高，它的通频带很宽，适宜在宽带和（B）领域内应用。(A)低频(B)超高频(C)中频(D)超低频由于共基放大电路输入电阻低，电压增益较高，它的通频带很宽，适宜在超高频和（D）领域内应用。(A)电压跟随器(B)阻抗匹配(C)阻抗变换器(D)宽带高频振荡电路的放大一般都用（A）。(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)反馈放大电路(D)共射放大电路场效应管放大电路用自生偏置电路时，(B)的偏置电压，会使管子进入夹断而不能正常工作。(A)过小(B)过负(C)过大(D)过正场效应管放大电路用自生偏置电路时，过负的偏置电压，会使管子进入(A)而不能正常工作。(A)夹断(B)导通(C)饱和(D)自激场效应管放大电路用自生偏置电路时，过负的(C)，会使管子进入夹断而不能正常工作。(A)偏置电流(B)偏置电阻(C)偏置电压(D)偏置负载场效应管用作放大器时，必须工作在（B）区域。(A)可变电阻区(B)恒流区(C)截止区(D)击穿区场效应管用作放大器时，必须工作在（C）区域。(A)恒压区(B)截止区(C)恒流区(D)饱和区场效应管用作开关电路时，必须工作在（C）区域。(A)可变电阻区(B)恒流区(C)截止区(D)击穿区从结型场效应管的转移特性曲线来看，场效应管是（B），而且栅源极之间加入负电压才能使管子正常工作。(A)线性器件(B)非线性器件(C)运算放大器(D)射极跟随器从结型场效应管的转移特性曲线来看，场效应管是非线性器件，栅源极之间加入（C）才能使管子正常工作。(A)正电流(B)正电压(C)负电压(D)负电流栅源极之间加入负电压才能使管子正常工作的场效应管是（D）。(A)P沟道场效应管(B)绝缘栅型场效应管(C)G沟道场效应管(D)结型场效应管场效应晶体管源极输出器性能特点类似于（B）。（A）共发射极电路（B）共集电极电路（C）共基极电路（D）差动放大电路场效应晶体管源极输出器与晶体管(B)具有相似的特点，即：输入电阻高，输出电阻低，放大倍数≤1，输出电压和输入电压同相。(A)反馈放大电路(B)共集放大电路(C)共基放大电路(D)共射放大电路与晶体管的共集放大电路性能相同的场效应放大电路是（A）。(A)共漏放大电路(B)共源放大电路(C)运算放大电路(D)共栅放大电路场效应管的直流参数除了有饱和漏极电流、直流输入电阻、夹断电压外，还有（A）。(A)开启电压(B)关闭电压(C)击穿电压(D)最大电压场效应管的直流参数除了有饱和漏极电流、直流输入电阻、开启电压外，还有(B)。(A)关闭电压(B)夹断电压(C)开路电压(D)击穿电压场效应管的直流参数除了有饱和漏极电流、直流输入电阻外，还有（C）。(A)最大电压和击穿电压(B)最大电压和夹断电压(C)开启电压和夹断电压(D)击穿电压和开启电压场效应管工作在(C)时，其漏极电流与漏源电压基本无关，且和栅源电压之间满足转移特性，因此其静态工作点也可由转移特性估算得出。(A)击穿区(B)截止区(C)饱和区(D)恒流区场效应管工作在饱和区时，其（A），且和栅源电压之间满足转移特性，因此其静态工作点也可由转移特性估算得出。(A)漏极电流与漏源电压基本无关(B)漏极电流与栅漏电压无关(C)漏极电流与栅漏电压有关(D)漏极电流与漏源电压有一定的关系场效应管工作在饱和区时，其漏极电流与漏源电压基本无关，且和栅源电压之间满足(D)。(A)输入特性(B)输出特性(C)基本特性(D)转移特性多级放大电路由输入级、中间级和输出级组成，其中对中间级的要求是(B)。(A)输入电阻要高(B)有足够的电压放大倍数(C)输出电阻要小(D)要有很大的输出功率多级放大电路由输入级、中间级和输出级组成，其中对输入级的要求是(A)。(A)输入电阻要高(B)有足够的电压放大倍数(C)输出电阻要小(D)要有很大的输出功率多级放大电路由输入级、中间级和输出级组成，其中对输出级的要求是(C)。(A)输入电阻要高(B)静态工作点要低(C)输出电阻要小(D)静态工作点要高在阻容耦合多级放大器中，当输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（C）。（A）电阻的阻值尽可能小（B）提高输入信号的频率(C）加大电容以减小容抗（D）尽可能减小时间常数在阻容耦合多级放大器中，当输入信号一定的情况下，加大电容以减小容抗，是为了（B）。（A）提高输出阻抗（B）提高级间耦合的效率（C）尽可能减小时间常数（D）提高输入信号的频率在阻容耦合多级放大器中，当输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（C）。（A）电阻的阻值尽可能小（B）提高输出信号的频率（C）加大电容以减小容抗（D）加入一个大电感来提高容抗由两个相同的单级共射放大电路组成的两级放大器，已知每级电压放大倍数均为30，则总的电压放大倍数为（C）。（A）60（B）600（C）900（D）15由两个相同的单级共射放大电路组成的两级放大器，已知每级电压放大倍数均为40，则总的电压放大倍数为（D）。（A）80（B）1400（C）900（D）1600由两个相同的单级共射放大电路组成的两级放大器，已知某一级的电压放大倍数为30，总的电压放大倍数为900，则另一级的电压放大倍数为（B）。（A）930（B）30（C）870（D）60放大电路中由于有电抗元件的存在，它们的电抗值与(A)有关，描写放大倍数与频率之间关系的曲线，称为频率特性。（A）信号频率(B)信号电压(C)信号幅度(D)信号电流放大电路中由于有(B)的存在，它们的电抗值与信号频率有关，描写放大倍数与频率之间关系的曲线，称为频率特性。(A)信号源(B)电抗元件(C)电阻元件(D)输出负载放大电路中由于有电抗元件的存在，它们的电抗值与信号频率有关，描写放大倍数与频率之间关系的曲线，称为(D)。(A)转移特性(B)输入特性(C)输出特性(D)频率特性阻容耦合放大电路在低频段产生频率失真，主要是受（A）的影响。(A)耦合电容和旁路电容(B)耦合电容和三极管PN结结电容(C)线路分布电容和旁路电容(D)三极管PN结结电容和线路分布电容阻容耦合放大电路在高频段产生频率失真，主要是受（D）的影响。(A)耦合电容和旁路电容(B)耦合电容和三极管PN结结电容(C)线路分布电容和旁路电容(D)三极管PN结结电容和线路分布电容阻容耦合放大电路在低频段产生频率失真，主要是受耦合电容和（B）的影响。(A)分布电容(B)旁路电容(C))结电容(D)滤波电容频率特性的改善主要是提升上限频率，通常有三种方法，接入负反馈电路、使用不同组态的放大电路和（B）。（A）提高输入信号的频率(B)外接补偿元件(C)加大电容以减小容抗(D)尽可能减小时间常数频率特性的改善主要是提升上限频率，通常有三种方法，使用不同组态的放大电路、外接补偿元件和（C）。（A）提高时间常数(B)接入尽可能小的负载(C)接入负反馈电路(D)接入正反馈电路频率特性的改善主要是提升上限频率，通常有三种方法，接入负反馈电路、外接补偿元件和（D）。（A）用场效应管放大电路(B)用射级跟随器(C)用差分放大电路(D)用不同组态的放大电路多级放大电路的放大倍数与通频带之间的关系是，放大倍数增大，通频带（B）。(A)不变(B)变窄(C)变宽(D)提高多级放大电路的放大倍数与通频带之间的关系是，如通频带变窄，则放大倍数(A)。（A）增大(B)不确定(C)减少(D)不受影响多级放大电路的放大倍数与通频带之间的关系是（C）。(A)正比关系(B)乘积关系(C)反比关系(D)平方根关系反馈放大器由基本放大器和（A）两大部分组成。(A)反馈网络(B)电阻网络(C)振荡网络(D)非线性网络反馈放大器由（B）和反馈网络两大部分组成。(A)RC滤波器(B)基本放大器(C)RC振荡器(D)基本鉴频器反馈放大器是由（C）两大部分组成。(A)基本放大器和非线性网络(B)RC振荡器和反馈网络(C)基本放大器和反馈网络(D)基本放大器和振荡网络若引回的反馈信号（C）而使放大电路的放大倍数降低，这种反馈称为负反馈。(A)削弱输出信号(B)增强输出信号(C)削弱输入信号(D)增强输入信号若引回的反馈信号削弱输入信号而使放大电路的（B），这种反馈称为负反馈。(A)输出电阻提高(B)放大倍数降低(C)输出电阻降低(D)放大倍数提高若引回的反馈信号是削弱输入信号，而使放大电路的放大倍数降低，这种反馈称为(A)。(A)负反馈(B)无反馈(C)正反馈(D)不一定在基本共射放大电路中，发射极电阻引入的反馈是（B）负反馈。（A）电压串联（B）电流串联（C）电压并联（D）电流并联在基本共射放大电路中，（A）引入的反馈是电流串联负反馈。(A)发射极电阻(B)负载电阻(C)集电极电阻(D)基极电阻在共集电极放大电路中，发射极电阻与负载电阻组成的网络，引入的反馈是（C）负反馈。（A）电压并联（B）电流并联（C）电压串联（D）电流串联若反馈信号与输入信号在输入回路中以电压相加，则该反馈为（A）。（A）串联反馈（B）并联反馈（C）电压反馈（D）电流反馈若反馈信号与输入信号在输入回路中以电流相加，则该反馈为（B）。（A）串联反馈（B）并联反馈（C）电压反馈（D）电流反馈串联反馈表示反馈信号与输入信号在输入回路中以（C）的形式出现。(A)电压相减(B)电流相加（C）电压相加(D)电流相减判别电压反馈还是电流反馈方法之一是，将输出端对地交流短路，若反馈信号消失，则为（B）。(A)串联反馈(B)电压反馈(C)并联反馈(D)电流反馈判别电压反馈还是电流反馈方法之一是，将输出端对地交流短路，若反馈信号仍存在，则为（D）。(A)串联反馈(B)电压反馈(C)并联反馈(D)电流反馈将反馈放大器的（A）对交流短路，若其反馈信号随之消失，则为电压反馈；否则为电流反馈。(A)输出端(B)反馈电容(C)反馈电阻(D)输入端负反馈放大器的闭环增益A_F是开环增益A的（A）倍。(A)1/(1+AF)(B)1+AF(C)1/AF(D)-1/(1+AF)负反馈放大器的开环增益A是闭环增益A_F的（B）倍。(A)1/(1+AF)(B)1+AF(C)1/AF(D)-(1+AF)负反馈放大器的闭环增益A_F是开环增益A的（C）倍。(A)AF(B)1+AF(C)1/(1+AF)(D)-(1+AF)引入交流负反馈电路，对放大倍数的影响是（A）。(A)提高了稳定性(B)提高了放大倍数(C)提高了各种指标(D)提高了增益为了提高放大倍数的稳定性，必须引入（B）电路。(A)并联负反馈(B)交流负反馈(C)直流负反馈(D)串联负反馈引入交流负反馈电路，对放大倍数的影响是（C）。(A)降低了各种指标(B)提高了放大倍数(C)提高了稳定性(D)降低了增益在放大电路中引入交流负反馈，对失真度的影响是（B）。(A)补偿了线性失真(B)改善了非线性失真(C)提高了失真度(D)改善了线性失真为了改善非线性失真，必须引入（D）电路。(A)电流负反馈(B)电压负反馈（C)直流负反馈(D)交流负反馈在放大电路中引入交流负反馈，对失真度的影响是（A）。(A)改善了非线性失真(B)补偿了线性失真(C)降低了失真度(D)降低了线性失真放大电路的增益与带宽的积为一常数，负反馈越深，放大倍数（D）。（A）下降越多，通频带越窄(B)提高越多，通频带越宽(C)提高越多，通频带越窄(D)下降越多，通频带越宽放大电路的增益与带宽的积为一常数，负反馈（B），通频带越宽。（A）越深，放大倍数提高越多(B)越深，放大倍数下降越多(C)越浅，放大倍数下降越多(D)越浅，放大倍数提高越多放大电路的增益与带宽的积为一常数，负反馈越深，放大倍数下降越多，通频带（A）。（A）越宽(B)越高（C)越低(D)越窄某放大电路要求输入电阻大，输出电流稳定，应引进的负反馈是（D）。（A）电压串联（B）电流并联（C）电压并联（D）电流串联某放大电路要求输入电阻小，输出电压稳定，应引进的负反馈是（C）。（A）电压串联（B）电流并联（C）电压并联（D）电流串联某放大电路要求输入电阻大，输出电压稳定，应引进的负反馈是（A）。（A）电压串联（B）电流并联（C）电压并联（D）电流串联深度负反馈的放大倍数是由(B)来决定。（A）输入直流量的大小(B)反馈系数(C)晶体管参数(D)开环增益深度负反馈的放大倍数是由(C)来决定。（A）开环增益(B)输入电阻(C)反馈系数(D)输出电阻在深度负反馈电路中，反馈系数决定了（D）的大小。（A）输出电阻(B)开环增益(C)输入电阻(D)放大倍数某深度负反馈放大器反馈系数F为0.02，则它的闭环增益A_F为（C）。（A）500(B)20(C)50(D)200某深度负反馈放大器反馈系数F为0.05，则它的闭环增益A_F为（B）。（A）100(B)20(C)200(D)50某深度负反馈放大器的闭环增益A_F为200，则它的反馈系数F为（D）。（A）0.05(B)0.02(C)0.002(D)0.005集成运放的输入级通常是由（A）组成。(A)双端输入差动放大器(B)双端输入基本放大器(C)单端输入差动放大器(D)单端输入基本放大器集成运放的输出级通常是由（B）组成。(A)阻容耦合放大器(B)电压跟随器(C)差动放大器(D)射级跟随器集成运放的中间级通常是由（C）组成。(A)单晶体管组成的共发射极放大电路(B)复合管组成的共基放大电路(C)复合管组成的共发射极放大电路(D)单晶体管组成的共基放大电路下列参数中不是集成运放参数的是（C）。（A）输入失调电压(B)共模抑制比(C)额定功率(D)开环差模电压增益下列参数中是集成运放参数的是（A）。(A)差模输入电阻(B)击穿电压(C)穿透电流(D)额定功率下列参数中不是集成运放参数的是（D）。（A）差模输入电阻(B)输入失调电流(C)开环差模电压增益(D)击穿电压集成运放的类型分为通用性和专用型两大类，下列型号中属于典型的通用性集成运放是（C）。(A)F507(B)FC25(C)μA741(D)μPC253集成运放的类型分为通用性和专用型两大类，下列型号中属于典型的通用性集成运放是（A）。(A)F007(B)CA3130(C)LM3038(D)μA725集成运放的类型分为通用性和专用型两大类，下列型号中属于典型的低功耗型集成运放是（B）。(A)LM3038(B)μPC253(C)FC25(D)μA741理想运算放大器的共模抑制比、差模输入电阻还有（A）都要等于无穷大。(A)开环电压增益和开环带宽(B)开环电压增益和输入失调电压(C)差模输出电阻和开环电压增益(D)开环带宽和输入失调电压理想运算放大器的开环电压增益、共模抑制比还有（D）都要等于无穷大。(A)输入失调电流和差模输入电阻(B)差模输出电阻和开环带宽(C)输入失调电压和输入失调电流(D)差模输入电阻和开环带宽理想运算放大器的差模输入电阻、开环带宽还有（B）都要等于无穷大。(A)差模输出电阻和开环电压增益(B)开环电压增益和共模抑制比(C)输入失调电流和差模输出电阻(D)输入失调电压和共模抑制比理想运算放大器工作在线性区的两个重要特征是（C）。（A）虚地与反相（B）虚短与虚地（C）虚短与虚断（D）断路与短路虚短就是理想运算放大器（A）的。(A)同相输入端的电位等于反相输入端的电位(B)同相输入端的电位大于反相输入端的电位(C)同相输入端的电位与反相输入端的电位都为零(D)同相输入端的电位小于反相输入端的电位虚断就是理想运算放大器的净输入电流为（D）。(A)1(B)∞(C)不定(D)0集成运放的应用范围现在很广泛，下列中属于线性应用范围的是（C）。（A）电压比较电路(B)取样保持电路（C）微分电路（D）对数电路集成运放的应用范围现在很广泛，下列中不属于线性应用范围的是（B）。（A）加法电路(B)取样保持电路（C）微分电路（D）积分电路集成运放的应用范围现在很广泛，下列中属于线性应用范围的是（A）。（A）比例运算电路(B)有源滤波器（C）方波发生器（D）迟滞比较器迟滞比较器，又称为（B），它具有二个阈值电压。(A)单稳态电路(B)施密特电路(C)自激振荡电路(D)多谐振荡电路迟滞比较器，又称为施密特电路，它具有（A）阈值电压。(A)2个(B)1个(C)4个(D)3个迟滞比较器经过迟滞比较器后的波形是（C）。(A)锯齿波(B)正弦波(C)方波(D)三角波一般由低通滤波器和高通滤波器串联而组成的滤波器称为（A）。(A)带通滤波器(B)有源滤波器(C)带阻滤波器(D)无源滤波器一般由低通滤波器和高通滤波器并联而组成的滤波器称为（C）。(A)带通滤波器(B)有源滤波器(C)带阻滤波器(D)无源滤波器带通滤波器是由（D）而组成的。(A)低通滤波器和高通滤波器并联(B)两个高通滤波器并联(C)两个低通滤波器串联(D)低通滤波器和高通滤波器串联功率放大电路的主要特点是在允许的非线性失真范围内，要求（A）尽可能大。(A)输出功率(B)输出电压(C)输出电阻(D)输出电流功率放大电路的主要特点是在允许的非线性失真范围内，要求（C）。(A)输出功率尽可能小(B)输出电压尽可能小(C)输出功率尽可能大(D)输出电压尽可能大功率放大电路的主要特点是在允许的非线性失真范围内，要求（A）。(A)输出功率尽可能大(B)输出功率尽可能小(C)输出电流尽可能大(D)输出电流尽可能小甲类功放导通角为（B）。（A）π（B）2π（C）π/4（D）＜π/4乙类功放电路导通角为（A）。（A）π（B）2π（C）π/4（D）＜π/4甲乙类功放导通角为（A）。(A)π＜θ＜2π(B)θ＜π(C)θ＜π/4(D)π/2＜θ＜π一般功放管都按装散热片，是因为功放管消耗较大的功率使（B）。(A)其效率降低(B)其结温和管壳温度升高(C)其输出功率太小(D)其结温和管壳温度降低由于功放管消耗(A)，使其结温和管壳温度升高，所以一般功放管都按装散热片。(A)较大功率(B)较大电压(C)较大热能(D)较大电流由于功放管消耗功率较大，使其结温和管壳温度升高，所以一般功放管都按装（C）。(A)绝缘层(B)隔热层(C)散热片(D)稳压片在功放电路中，由于功放管是工作在（A）的情况下，所以必须加二个限流二极管，起到保护功率管的作用。(A)大电流和高电压(B)小电流和高电压(C)大电流和低电压(D)小电流和低电压在功放电路中，由于功放管是工作在大电流和高电压的情况下，所以必须加二个限流二极管，起到（C）功率管的作用。（A）稳压(B)箝位(C)保护(D)限制在功放电路中，由于功放管是工作在大电流和高电压的情况下，所以必须加二个（C）二极管，起到保护功率管的作用。(A)滤波(B)升压(C)限流(D)整流乙类推挽功率放大电路的理想条件下最大效率为（C）。（A）56.5%（B）60%（C）78.5%（D）80%乙类推挽功率放大电路的理想条件下最大效率为（B）。（A）60%（B）78.5%（C）87.5%（D）70%理想条件下最大效率为78.5%的功放电路是（A）推挽功率放大电路。(A)乙类(B)甲类(C)丙类(D)甲乙类对OTL电路下列说法不正确的是（B）。(A)无输出变压器的功率放大器(B)工作在乙类互补状态(C)工作在甲乙类互补状态(D)采用单电源供电对OTL电路下列说法不正确的是（A）。(A)无输出电容的功率放大器(B)无输出变压器的功率放大器(C)每管的等效电压为电源电压是一半(D)工作在甲乙类互补状态对OTL电路下列说法不正确的是（C）。(A)采用单电源供电(B)工作在甲乙类互补状态(C)有较严重的交越失真(D)有较小的交越失真在OTL电路中，给两只晶体管的发射结加很小的正偏压，使两管在静态时均处于微导通状态，是为了（B）。(A)使效率达到最大(B)减少交越失真(C)提高输出功率(D)减少截止失真在OTL电路中，给两只晶体管的发射结加很小的正偏压，使两管在静态时均处于微导通状态，是为了（B）。(A)减少饱和失真(B)减少交越失真(C)让它输出不失真(D)减少截止失真在OTL电路中，为了减少交越失真，可以分别给两只晶体管的（A），使两管在静态时均处于微导通状态。(A)发射结加很小的正偏压(B)集电结加很小的正偏压(C)发射结加较大的正偏压(D)集电结加较大的正偏压对OCL电路下列说法正确的是（B）。(A)无输出变压器的功率放大器(B)工作在乙类互补状态(C)工作在甲乙类互补状态(D)采用单电源供电对OCL电路下列说法正确的是（A）。(A)无输出电容的功率放大器(B)无输出变压器的功率放大器(C)每管的等效电压为电源电压是一半(D)工作在甲乙类互补状态对OCL电路下列说法正确的是（B）。(A)采用单电源供电(B)工作在乙类互补状态(C)有较严重的交越失真(D)有较小的交越失真在OCL电路中，如果电源电压为24V，负载电阻阻值为8Ω，则该电路的最大输出功率为（C）。(A)72W(B)30W(C)36W(D)18W在OCL电路中，如果电源电压为24V，负载电阻阻值为8Ω，则该电路的最大输出功率为（A）。(A)36W(B)46W(C)23W(D)18W在OCL电路中，如果电源电压为24V，负载电阻阻值为8Ω，则该电路电源供给的功率为（B）。(A)36W(B)48W(C)23W(D)18W在功放电路中，由于三极管存在导通死区，在信号小于死区电压时，会产生截止失真，此种情况主要发生在二个功放管交替工作的瞬间，这种失真称为（B）。(A)放大失真(B)交越失真(C)饱和失真(D)截止失真在功放电路中，由于三极管存在导通死区，在信号（A）时，会产生截止失真，此种情况主要发生在二个功放管交替工作的瞬间。（A）小于死区电压(B)小于等于死区电压(C)大于死区电压(D)大于等于死区电压在功放电路中，由于三极管存在导通死区，在信号小于死区电压时，会产生(C)，此种情况主要发生在二个功放管交替工作的瞬间。(A)交越失真(B)饱和失真(C)截止失真(D)放大失真集成功放电路有许多的优点，下列中不属于功放优点的是（B）。（A）有过压保护(B)功耗较低(C)易安装调试(D)工作稳定集成功放电路有许多的优点，下列中不属于功放优点的是（D）。(A)内部有消噪电路(B)有过流保护(C)体积小、成本低(D)工作于小信号放大状态集成功放电路有许多的优点，下列中不属于功放优点的是（C）。(A)工作稳定(B)OTL、OCL电路的所有优点(C)无失真(D)外接元件少LM386是一种通用型小功率音频放大集成功率放大器，它的直流电源电压范围是（D）。(A)0V-15V(B)0V-12V(C)5V-15V(D)4V-12VLM386是一种通用型小功率音频放大集成功率放大器，它的直流电源电压范围是（B）。(A)6V-18V(B)4V-12V(C)5V-15V(D)3V-15VLM386是一种通用型小功率音频放大集成功率放大器，它的直流电源电压范围与音频功率分别是（A）。(A)4V-12V，0.5W(B)4V-12V，1W(C)5V-15V，1W(D)0V-15V，0.5W整流电路将电网提供的正负变换的交流电压变为单向脉动的（B），但这种电压除含有直流成分外，还包含有许多幅度较大的谐波分量。（A）交流电压(B)直流电压(C)直流电流(D)交流电流整流电路将电网提供的正负变换的交流电压变为单向脉动的直流电压，但这种单向脉动的直流电压除含有(A)外，还包含有许多幅度较大的谐波分量。（A)直流成分（B)模拟成分（C）交流成分（D）脉冲成分交流电压经过整流电路后的电压不仅有直流成分，还包含有许多幅度较大的（D）。(A)直流分量(B)谐振分量(C)交流分量(D)谐波分量二极管的整流电路一般分为：全波整流电路、桥式整流电路、倍压整流电路和（C）电路。(A)∏型整流(B)电感整流(C)半波整流(D)电容整流二极管的整流电路一般分为：半波整流电路、全波整流电路、倍压整流和（B）电路。(A)∏型整流(B)桥式整流(C)Γ型整流(D)电容整流二极管的整流电路一般分为：半波整流电路、全波整流电路和（D）电路。(A)电容整流和∏型整流(B)电感整流和桥式整流(C)倍压整流和Γ型整流(D)倍压整流和桥式整流在单相桥式整流电路中，如果负载电流为15A，则流过每只整流晶体二极管的电流为（B）。（A）30A（B）7.5A（C）15A（D）20A在单相桥式整流电路中，如果负载电流为10A，则流过每只整流晶体二极管的电流为（D）。（A）10A（B）20A（C）4.5A（D）5A在单相桥式整流电路中，如果流过每只整流晶体二极管的电流为5A，则负载电流为（A）。(A)10A(B)25A(C)2.5A(D)4.5A经过整流电路输出的直流电压含有较大的脉动分量，由(A)等储能元件组成的滤波电路进行滤波，可以得到波形平滑的直流电压。（A）电容、电感(B)电容、晶体管(C)电阻、电感(D)电阻、晶体管由电容、电感等储能元件组成的,把直流电压中的脉动分量转变成波形平滑的直流电压，这种电路，称为（D）。(A)差动电路(B)谐振电路(C)整流电路(D)滤波电路滤波电路是由电容、电感等储能元件组成的,它把直流电压中的脉动分量转变成（B）的直流电压。(A)锯齿波形(B)平滑波形(C)三角波形(D)矩形波形常用的滤波电路有，电容滤波、电感滤波和（A）滤波。(A)Γ型和∏型(B)半波(C)全波(D)桥式下列电路中哪些是常用的滤波电路。（D）(A)Γ型滤波、∏型滤波和倍压滤波(B)电感滤波、∏型滤波和桥式滤波(C)电容滤波、全波滤波、Γ型滤波(D)电容滤波、电感滤波、Γ型滤波和∏型滤波下列电路中哪些是常用的滤波电路。（C）(A)电感滤波、和桥式滤波(B)∏型滤波和倍压滤波(C)电容滤波、电感滤波、Γ型滤波和∏型滤波(D)电容滤波、全波滤波、Γ型滤波单相桥式整流电容滤波电路中，若电源变压器二次电压为100V，则负载电压为（B）。（A）100V（B）120V（C）90V（D）45V单相桥式整流电容滤波电路中，若电源变压器二次电压为50V，则负载电压为（D）。（A）40V（B）25V（C）100V（D）60V单相桥式整流电容滤波电路中，若负载电压为60V,则电源变压器二次电压为（C）。（A）30V（B）120V（C）50V（D）72V具有放大环节的串联型稳压电路的输出电压的大小是由（D）和基准电压决定的。(A)输出取样电压(B)放大电压的分压比(C)输入取样电压(D)取样电路的分压比具有放大环节的串联型稳压电路的输出电压的大小是由取样电路的分压比和(B)决定的。(A)输出取样电压(B)基准电压(C)输入取样电压(D)放大电压的分压比稳压电路的输出电压大小由取样电路的分压比和基准电压决定的稳压电源是（A）稳压电源。(A)串联负反馈式(B)硅稳压管(C)并联负反馈式(D)锗稳压管当输入直流电压或负载发生变化而使输出电压变化时，通过某种反馈形式使(D)之间的电压也随之变化，从而调整输出电压，保持输出电压基本稳定。(A)稳压管的基准电压(B)三极管的基极和发射极(C)三极管的集电极和基极(D)三极管的集电极和发射极当输入直流电压或负载发生变化而使输出电压变化时，通过某种反馈形式使三极管的集电极和发射极之间的电压也随之变化，从而(B)，保持输出电压基本稳定。(A)使输入电压减小(B)调整输出电压(C)调整输入电压(D)使输入电压增大当输入直流电压或负载发