第一讲,笔记本电脑发展简介

热烈欢迎同学们学习笔记本电脑维护课程自我介绍：

我是该门课的主讲教师蒲大雁，毕业于电子科技大学无线电物理专业，方向：毫米波电路与系统。主要讲授课程：电路分析、低频、高频电路、半导体器件物理、集成电路制造工艺、芯片封装与测试、笔记本电脑组装与维护。我的教师观：给学生自信、给学生学习电子技术高效的方法我的学生观：心态阳光（有目标、有感恩的心、有责任感）本门课程的考核：课堂表现+出勤+平时考核项目1笔记本电脑发展的简介项目2笔记本电脑检修常用仪器仪表和工具的使用项目3基础元器件及电路的检测项目4笔记本电脑基本结构与原理项目5笔记本电脑部件的拆机与装配项目6笔记本电脑主板的检修项目7笔记本电脑CPU、内存、硬盘的检修项目8笔记本电脑液晶屏的检修项目9笔记本电脑键盘与触摸屏装置的检修项目10笔记本电脑电源供电电路的检修

本门课程的主要内容项目一笔记本电脑发展的简介

笔记本发展概述半导体技术发展概述一笔记本电脑发展的简介

1982年11月康柏推出了一款手提电脑，重28磅（约合14公斤），这应该算是最早的笔记本电脑雏形。

1985年，真正的笔记本电脑诞生，东芝推出T1000，第一次给人们带来了‘笔记本电脑’的概念。”，它采用Intel8086CPU，512KBRAM，并带有9英寸的单色显示屏，没有硬盘，可以运行MS-DOS操作系统。‘笔记本电脑’的概念笔记本电脑雏形

1989年9月，苹果公司面向用户推出了第一款笔记本电脑。它采用了68HC000处理器，这是Motorola68000的低电压版本，运行频率为16MHz。内存为1MB，内置了40MB的SCSI硬盘。这款笔记本采用的显示屏依旧为10寸单色液晶显示器，分辨率为600X400。当然也正因为性能卓越，这款笔记本的价格十分高昂。

1991年，东芝公司推出第一台商业上可用的、配置彩色TFT（ThinFilmTransistor薄膜晶体管）显示屏的笔记本电脑，产品型号为T3200SXC，CPU为Intel386SX(20MHz)，内存1MB，硬盘120MB，显示屏彩色24厘米ActiveMatrixTFT，分辨率为640×480(VGA)。

1992年10月IBM推出了第一台以ThinkPad命名的笔记本电脑ThinkPad700C。1995年，ThinkPad760cd问世，这是世界上第一款支持多媒体功能、第一个采用12.1英寸SVGA（超级视讯图形面卡（supervideographicsarra）高分辨率显示的笔记本电脑。支持多媒体处理意味着笔记本电脑从纯商用开始走向更为广阔的多元化市场，此时的笔记本电脑正如当年的PC一样，开始走向普通大众。1996年是笔记本电脑发展史上最重要的一年，SVGA的显示屏被大量采用，同时已经开始有XGA(ExtendedGraphicsArray,1024*768,纵横比4:3）的显示屏出现。硬盘的发展也推动了笔记本电脑的“瘦身”。同年，英特尔正式开始留意笔记本电脑专用CPU的研制，笔记本电脑CPU就是在这个时候采用了0.35微米制造工艺生产，电压降到3.3V，从这时开始笔记本电脑的CPU才真正地与台式机CPU划清了界限。1997年9月,IBM公司在全球率先推出了配备14.1寸彩色液晶、DVD驱动器的笔记本电脑---Thinkpad770，这款机器的问世意味着高分辨率大屏幕时代即将到来。1996年，联想发布第一台笔记本电脑昭阳S5100

2002年秋季出现平板电脑（TabletPC）这一命名，当时微软公司大力推广WindowsXPTabletPCEdition而渐渐变得流行起来。它是一种小型、方便携带的个人电脑，以触摸屏作为基本的输入设备。2011年第四季度，英特尔推出了超薄、超轻、超长待机、超主流价格、无光驱的超级本。2011年第四季度英特尔推出了二合一超极本，它可以触控和变形

二合一超级本拥有的特点：超薄、超轻、超长待机、超主流价格、无光驱、触摸屏触控、变形。拥有这些特点是因为它采用了更小巧、功耗更低的专用处理芯片。

专用处理芯片的出现是源于半导体技术的发展，半导体技术的发展主要体现在芯片制造工艺的提高，特征图形尺寸的减小。下面就半导体技术发展的四个阶段作简单的介绍。半导体技术的发展1、电子管的出现

电信号处理工业始于1906年–美国德弗瑞斯特（LeedeForest）发明真空管，879,532号专利，令长途无线电话通讯变得可行。真空三极管有两个重要的功能：开关和放大。开关是指电子器件可接通和切断电流(“开”或“关”)；放大则是指电子器件可把接收到的信号放大，并保持信号原有特征的功能。2、晶体管的出现

真空管有一系列的缺点：真空泄漏、体积庞大、易碎、老化很快，要求相对较多的电能维持运行等。

1947年12月23日，美国贝尔实验室的三位科学家巴丁(JohnBardeen)、布莱顿(WalterBrattinWalterBrattin)和肖克莱(WilliamShockley)演示了用半导体材料锗制成的电子放大器件，这种器件不但有真空管的功能，而且为固态无真空，体积小、重量轻、耗电低且寿命长。这种器件最初被命名为“传输电阻器”，而后更名为晶体管(Transistor)，这三位科学家也因他们的这一发明而被授予1956年的诺贝尔物理学奖。3、集成电路的出现

1959年，在美国德州仪器(TI)公司工作的青年工程师杰克基尔比

（JackKilby

）第一次成功地在一块锗半导体基材上，用几个晶体管、二极管、电容器和利用锗芯片天然电阻的电阻器组成了一个完整的电路。这一发明就是影响深远的集成电路IC(IntegratedCircuit)。

FairchildCamera公司的RobertNoyce在芯片表面上形成电子结来制作晶体管，使用铝蒸气镀膜并使之形成适当的形状来做器件的连线，这种技术称为平面技术(PlanarTechnology)。Kilby和Noyce开发的集成电路成为现在所有集成电路的模式，Kilby和Noyce也共同享有集成电路的专利。基尔比4、现代集成电路的制造工艺主要有四个阶段：原材料的准备、晶体的生长和晶圆的准备、晶圆的制造、测试封装,顺序如下：原材料的准备晶体的生长晶圆的准备晶圆的制造测试封装籽晶熔融多晶硅热屏蔽水套单晶硅石英坩埚碳加热部件

单晶拉伸与转动机械直拉单晶炉晶体的生长直拉单晶炉晶体生长定位边研磨径向研磨晶圆的准备锯刃内圆切割机切片硅锭径向研磨抛光硅片的边缘用于去除硅片表面损伤的化学刻蚀双面硅片抛光UpperpolishingpadLowerpolishingpadWafer浆SlurryImprovingSiliconWaferRequirementsA. 物理尺寸.B. 平整度.C. 微粗糙度.D. 氧含量.E. 晶体缺陷.F.颗粒.G.外延层.

光刻工艺—涂胶晶圆制造光刻工艺—对准曝光晶圆制造晶圆制造扩散工艺光刻车间扩散车间EBCNPN双极型晶体管剖面图：PP+P+N+N+N+N--N--PSGInputD+VDDDSGOutputpMOSFETnMOSFET-VSSCMOS组成的倒相放大器pMOSFETnMOSFET-VSS+VDDSDDSGGn-typesiliconsubstratep-wellp+p+n+n+n-wellPolysiliconMetalCMOS倒相器在芯片上的顶视图

正是有了现代集成电路的制造工艺才有了超级芯片—CPU、RAM、移动硬盘，才有了今天的二合一超极本、平板电脑、智能手机，而且他们还将随着集成电路的制造工艺的提高而变得更先进、更人性化、价格更低。实训任务一、观察笔记本的接口二