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文档简介

碳化硅纤维的制备

(SiliconCarbideFibre,SF或SiCf)1

概述：制备方法：化学气相沉积法（CVD）聚合物转化法

2化学气相沉积法：

类似于BF的CVD法，芯丝可用钨或碳

1961年，Gareis首先申请碳化硅专利

60年代，美国通用利用CVD制造钨芯碳化硅纤维钨芯后来被碳芯取代

1975年，制造了碳芯碳化硅纤维

1984年，美国制成连续碳化硅纤维3CVD法钨芯碳化硅纤维的制造方法CVD法的工艺装置简图4CVD碳化硅纤维的结构CVD碳化硅纤维的表面形貌碳芯碳化硅纤维的断面结构5聚合物转化法：

1975年日本失岛圣使教授首次提出6主要技术内容:

高性能的碳化硅（SiC）纤维是由聚二甲基硅烷经热分解重排转化为聚碳硅烷（PCS），再以PCS为先驱体经熔融纺丝、不熔化处理及高温烧成而制得。SiC纤维不仅具有高强度、高模量及优异的耐高温氧化性、耐化学腐蚀性等独特性能，而且SiC纤维自身是一种半导体材料（电阻率在106Ω.cm左右），通过改变原料组成或制备工艺条件可调节碳化硅纤维的电阻率，使其成为吸波材料（电阻率在101-103Ω.cm时纤维具有最佳吸波性能）。7聚合物转化法制备碳化硅纤维的工艺包括四个阶段：(1)制备聚碳硅烷(PCS)(2)熔融纺丝(3)不熔化处理

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