材料测试技术

材料测试技术材料测试序言材料分析的重要性材料的元素组成材料的物相杂质控制和掺杂材料的化学价态材料的结构下课材料分析的内容材料的元素成份分析材料的化学结构分析材料的物相结构分析材料的表观形貌分析材料的键合分析材料的表面与界面分析材料的热分析材料的力学性能分析下课本课程的主要内容元素成份分析（AAS，AES，XRF，EDX）化学价键分析（IR，LRS）结构分析（XRD，ED）形貌分析（SEM,TEM,AFM,STM）表面与界面分析（XPS，AES，SIMS）下课元素成份分析简介元素成份分析技术原子吸收光谱原子发射光谱ICP，ICP-MS分析X射线荧光光谱电子显微探针分析电镜的X射线能谱分析XPS，AES，SIMS等下课原子吸收光谱

AtomicAbsorbtionSpectroscopy,AAS

基础知识样品制备

分析方法

应用案例

下课原子吸收光谱基础知识1802发现光谱吸收现象1955年Walsh发表了一篇论文“Applicationofatomicabsorptionspectrometrytoanalyticalchemistry”,解决了原子吸收光谱的光源问题。50年代末PE和Varian公司推出了原子吸收商品仪器。检测极限很低，ng/cm3，10－10－10－14g测量准确度很高，1%（3-5%）选择性好，不需要进行分离检测

分析元素范围广，70多种

难熔性元素，稀土元素和非金属元素

不能同时进行多元素分析下课原子吸收光谱样品制备样品制备的原则（取样的代表性，样品量适度）环境污染的影响试剂，溶剂，灰尘，容器样品的损失问题吸附，沉淀等，消化完全标准溶液配置（纯度，时效性）下课原子吸收样品的制备无机样品的制备消样，配置有机，生物样品的制备灰化或消样，配置溶液高分子样品的制备溶剂溶解方式干式灰化，湿式消化下课原子吸收

分析方法实验条件的选择

分析线，狭缝宽度，灯电流，火焰原子化，石墨炉原子化标准曲线法，标准加入法干扰的消除物理干扰，化学干扰，电离干扰，光谱干扰下课原子吸收分析案例分析单晶硅表面金属污染分析芯片基材，10－12g/cm2Na，Mg，Ca，Fe，Ni,Cu，Zn,Mn，Ti，SiHF-H2O2富集元素ICP-MS，ASS测定高温镍基合金中Se和Sn测定航天耐高温材料，杂质元素硝酸＋HF微波消解，氢化物发生－火焰法标准曲线法，Se：8.6微克/g，Sn:32微克/g下课废水中铅的谱图下课原子发射光谱分析基础知识

1930年，1960ICP，90年代ICP-MS优点：不经分离同时检测多种元素；分析速度快；选择性好很高的灵敏度和很低的检测限，ng量级很高的准确度，5-10%；ICP：1%线形范围宽

非金属元素难以检测

下课2、原子发射光谱(1)早期的原子发射光谱仪——摄谱仪（AES）光源单色器检测器AuPb下课自吸和自蚀无自吸有自吸自蚀严重自蚀下课影响I的主要因素1）激发电位:EI2）跃迁几率A:一般在10-8-10-9s-1，A1/τ3）统计权重g:Ig4）光源温度:TI

再高时，电离增加，原子线I

离子线I5）原子密度：DI下课发射光谱－样品制备固体金属和合金

金属丝箔状样品

导电的粉体试样

非导体样品

生物样品（高温灰化，溶液消化）环境污染的影响液体样品－防渗透下课发射光谱－分析方法定性分析与铁谱比较法；标准试样比较法

定量分析内标法

标准加入法

ICP：工作曲线法下课内标元素的选择1）内标元素与待测元素蒸发性质相近，以保证蒸发速度比不变；2）两元素的电离能相近，是不因温度变化而影响原子/离子浓度比；3）最好同族，而使Z1/Z2不受影响；4）内标元素在样品中不存在或极少存在；5）加入的内标元素的试剂或化合物有高纯度，无待测元素。下课玻璃成份分析1E+11E+21E+31E+41E+51E+61E+71E+8BNaSCaTiCrFeNiCuZnRhAgHfPbElementalFingerprintsof2DifferentGlassSamplesMgKMnCoZrCdWC下课电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）ICP-MS仪器外形图下课ICP-MS与其它原子光谱相比的特点DetectionPowerICPMSICP-OESFAASpeedGFAA检出限低（多数元素检出限为ppb-ppt级）线性范围宽（可达7个数量级）分析速度快（1分钟可获得70种元素的结果）谱图干扰少（原子量相差1可以分离）能进行同位素分析下课在43%磷酸中各元素的检出限下课岩矿超痕量镧系和锕系元素的分析下课X射线荧光光谱分析基础知识

1923年建立X射线荧光分析方法；

1950X射线荧光分析谱仪1980全反射X射线荧光谱仪

应用：固体材料（矿物，陶瓷，建材，环境，金属材料，薄膜，镀层分析）下课XRF－样品的制备液体样品，固体样品易挥发性物质，腐蚀性溶剂

样品化学组成的不同

共存元素的干扰

晶型，粒度，密度以及表面光洁度

研磨到300目，压片溶解成溶液或用滤纸吸收

下课XRF－分析方法定性分析根据Moseley定律

查阅波长的方法进行元素的标定

查阅X射线的能量的方法确定元素成份

计算机上自动识别

人工识谱主要是解决一些干扰谱线

下课XRF－定量分析X射线荧光光谱的强度与元素的含量成正比

基体效应（物理化学状态不同）粒度效应（对X射线的吸收）谱线干扰

下课XRF－分析方法校准曲线法

内标法

标准加入法

稀释法

无标样基本参数数学计算法

下课XRF－薄膜厚度分析对金属材料检测深度为几十微米

对高聚物可达3mm薄膜元素的荧光X射线强度随镀层厚度的增加而增强；而基底元素的荧光X射线的强度则随镀层厚度的增加而减弱

几个纳米到几十微米

微电子，电镀，镀膜钢板以及涂料等材料的薄膜层研究下课薄膜厚度分析XRF－元素分布图X射线的限束功能，辐照束斑直径减小到1mm对任何指定区域进行小面积逐点进行元素测定

形成X射线荧光光谱的元素分布图

下课实例下课XRF－全反射XRF分析表面灵敏性，可以检测表面几个原子层厚度检测灵敏性，可以检测到108原子/cm2定量分析效果好可以进行表面扫描微电子芯片材料的表面金属污染的检测下课XRF－元素分析的特性本低强度低，分析灵敏度高，其检测限达到10－5～10－9g/g（或g/cm3）；

适合于固体和液体材料的分析

信号测量的重现性好，具有较高的定量分析准确性

具有较好的定性分析能力，可以分析原子序数大于3的所有元素。

可以有效地测定薄膜的厚度和组成

下课XRF的应用矿物成份分析环境分析陶瓷材料分析催化剂成份分析薄膜厚度测定下课电子探针分析材料微区化学成份分析的重要手段

利用样品受电子束轰击时发出的X射线的波长和强度，来分析微区（1-30μm3）中的化学组成

下课电子探针分析微区分析能力，1微米量级分析准确度高，优于2%分析灵敏度高，达到10－15g，100PPM－1%样品的无损性多元素同时检测性可以进行选区分析电子探针分析对轻元素很不利

电子探针分析原理当高能电子轰击固体样品时，可以把原子中的内层激发产生激发态离子，在退激发过程中，可以促进次外层电子的填充，并伴随能量的释放。以X射线形式释放称为荧光X射线，也可以激发次外层的电子发射，称为俄歇发射。俄歇效应和荧光效应是互补的，俄歇产率与荧光产率之和为1。对于轻元素，其俄歇效应的几率较大，对于重元素X射线荧光发射的几率较大。

下课电子探针仪器装置

电子光学系统（电子枪和聚焦透镜）样品室（超高真空）电子图像系统（扫描图像）检测系统（X射线能量分析）数据记录和分析系统

下课电子探针样品仅限于固体材料

不应该放出气体，能保证真空度需要样品有良好的接地

可以蒸镀Al和碳，厚度在20～40nm作为导电层下课电子探针分析定性分析理论依据是Moseley定律和Bragg定律

计算机自动标识人工标识主要针对干扰线谱线干扰，化学环境影响等下课电子探针分析定量分析依据荧光X射线强度与元素浓度的线性关系，可以对电子探针进行定量分析。一般采用标准纯物质作为基准样品，获得其强度数据，并利用该数据可计算出所测元素的浓度。可以利用灵敏度因子的方法进行计算

需要进行荧光修正和吸收修正

下课电子探针成份分布和线扫描分析薄膜分析成份分析（不需要进行荧光修正和吸收修正）厚度分析对于有基底的薄膜样品，通过对薄膜元素以及基底元素信号强度的计算，不仅可以获得薄膜的成份，还可以获得薄膜的厚度电子探针分析的应用材料局部区域的成份分析摩擦材料的元素分布陶瓷材料的偏析颗粒催化剂的成份分布下课其它元素分析方法高频等离子体质谱（ICP-MS）

方法主要是利用ICP把待测元素进行电离形成离子，然后通过质谱对离子的质荷进