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文档简介

异质结

同质结——由同种半导体材料构成N区或P区，形成的PN结异质结——两种带隙宽度不同的半导体材料生长在同一块单晶上形成的结同型异质结——结的两边导电类型相同：NN，PP异型异质结——结的两边导电类型不相同：NP，PN两种材料未构成异质PN结之前的能级图两种半导体材料构成异质PN结之后的能级图异质PN结界面处导带底和价带顶不连续——差值——两种材料的费密能级不同，电子从高费密能级材料流向低费密能级材料，形成PN结势垒——形成异质结时，能带在界面处间断，在势垒的一侧出现尖峰，另一侧出现峡谷异质结的“注入比”P区的电子电流密度N区的空穴电流密度PN结注入比热平衡条件异型同质PN结注入比ND和NA——N区和P区掺杂浓度——假如N型区的带隙宽度大于P型区带隙宽度，即使两边掺杂浓度差不多时，可以获得很高的注入比——异质结的注入比确定晶体管的电流放大系数、激光器的注入效率和阈值电流异型异质PN结异质PN结注入比光生伏特效应——太阳能电池——利用扩散掺杂，在P型半导体的表面形成一个薄的N型层——光照射下，在PN结及旁边产生大量的电子和空穴对——PN结的自建电场－强电场区域——PN结旁边一个扩散长度内，电子－空穴对还没有复合就有可能通过扩散达到PN结的强电场区域——强电场将电子扫向N区——强电场将空穴扫向P区——N区带负电——P区带正电——上下电极产生电压异质结的“窗口效应”

——光子能量小于宽带隙的N型层__，可以透过N型层，在带隙较窄的P型层被吸收——同质PN结制作光电池，缺陷引起的表面复合和高掺杂层中载流子寿命低等因素——使得一些电子－空穴对不能到达强电

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