半导体单晶激光定向_第1页
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文档简介

【实验内容（100）硅单晶端面的偏离度。注意光图与腐蚀坑形状之间的关系。确定<111>单晶的（100）【实验步骤单晶样##进行金相显微镜下腐蚀坑的形貌观察，(100)(111)二、样品端面晶向偏离度的测将生长方向为（100）照射下会发射出6个不同方向的反射光，而这6个方向中每3到三个椭圆的反射斑，但也可隐约看出另3晶面的偏差2、平移载物台，使激光射在(111)3、调节载物台上下、左右的倾角使反射像的中心与激光出射孔重合，α1=α2=Δα=β1=β2=Δβ=cosθ=cosΔαcosΔβθ=1.35°由此可知，实验中的(111)面样品与实际偏差1.35°α1=α2=Δα=β1=β2=Δβ=cosθ=cosΔαcosΔβθ=15.9°θ角理论值为70.5°-54.74°=相对误差为α1=α2=Δα=β1=-β2=Δβ=cosθ=cosΔαcosΔβθ=15.9°θ54.7°

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