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文档简介

RAM(GDRAM电源:VDD3.3V~+5V(内置升压电路,无需负压);显示内容:128列×64行显示角度:6:00LCDMCU接口:84位并行/3位串行LED背光外观尺寸:93×70×12.5mm视域尺寸:73×39mm 128X64HZ1-2-3-LCD456789工作温度(Ta):-10~60℃(常温20℃~70℃(宽温8MPUMPU 第一字节:串口控制—A为数据传送方向控制:HLCDMCU,LMCUC第二字节:(并行)84位—DDDD0000第三字节:(并行)84位—0000DDDD串行接口时序参数:(测试条件:T=25℃VDD=4.5V)1(RE=0(000000000120H设定DDRAM000000001X设定DDRAM到“00H令并不改变DDRAM00000001S指定在资料的与写入时0000001DCBD=1:整体显示C=1:游标ONB=1ON000001XXDDRAM定00001X0XX RE=1RE=0设 0001543210设定CGRAM器址设M0016543210设定DDRAM器忙016543210写入资料到的到10(读从RAM资11(2(RE=1执行时间RW76543210待命模0000000001将DDRAM填满20H”,并且设定DDRAM的地址计数卷动地 IRAM000000001SR=0反白选00000001选择4睡眠模式0000001XX扩充功000011X1G0G=1:绘图显示G=0:绘图显示 IRAM址或卷0001ICONIRAM地址设定绘图001CGRAM地址到1、当模块在接受指令前,微处理顺必须先确认模块处于非忙碌状态,即BF标志时BF需为0,方可接受新的指令;如果在送出一个指令前并查BF标志,那么一个指令和这个指令中间必须延具体1 LLLLLLLLLHDDRAM位址计数器调整为“00H” LLLLLLLLHX功能:把DDRAM位址计数器调整为“00H”DDRAM LLLLLLLHS4/ LLLLLLHDCB功能:D=1;整体显示 LLLLLHXX功能:设定游标的移动与显示的移位控制位:这个指令并不改变DDRAM6 LLLLHX0XX功能:DL=1(必须设为1) 7、设定CGRAM位址 LLLH8DDRAM LLH功能:设定DDRAM位址到位址计数器 LH HL功能:写入资料到的RAM(DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM)11RAM的值 HH功能:从RAM资料12待命模式 LLLLLLLLLH LLLLLLLLH LLLLLLLH LLLLLLHXX LLLLHHX1GL RE=0;基本指令集动作G=1;绘图显示ON 17、设定IRAM位址或卷动位址(017H) LLLH SR=0;AC3~AC0写ICONRAM位18RAM位址 LLH2X3代码(02H---11CGRAM的字型;ST7920AHCGROM字型、CGRAM字型及中文CGROMDDRAM中写入的编码选择,各种字型详细编码如下:DDRAM02H-7FHCGRAM字型:将两字节编码写入DDRAM0000H,0002H,0004H,0006H四种编码DDRAMKA1A0H-F7FFH(GB码)A140H-D75FH(BIG5码)RAM,而地址计数器(AC)RAM的期间,绘图RAM的步骤如下:2、先将水平的位元组坐标(X)RAM地址;再将垂直的坐标(Y)

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