半导体制造工艺简介课件

集成电路版图设计与验证第三章半导体制造工艺简介集成电路版图设计与验证第三章半导体制造工艺简介1学习目的（1）了解晶体管工作原理，特别是MOS管的工作原理（2）了解集成电路制造工艺（3）了解COMS工艺流程学习目的（1）了解晶体管工作原理，特别是MOS管的工作原理2主要内容3.1半导体基础知识3.2工艺流程3.3工艺集成主要内容3.1半导体基础知识33.1半导体基础知识半导体硅原子结构：4个共价键，比较稳定，没有明显的自由电子。3.1半导体基础知识半导体硅原子结构：4个共价键，比较稳定，43.1半导体基础知识1、半导体能带禁带带隙介于导体和绝缘体之间2、半导体载流子空穴和电子3.1半导体基础知识1、半导体能带53.1半导体基础知识3、半导体分类N型半导体和P型半导体掺杂半导体的特点：（1）导电性受掺杂浓度影响。被替代的硅原子数越多，材料的电阻率越低，越容易导电。（2）多子的浓度取决于杂质浓度，少子的浓度取决于温度。3.1半导体基础知识3、半导体分类63.1半导体基础知识关于扩散电阻：集成电路中经常见到的扩散电阻其实就是利用掺杂的方法改变材料的电阻率得到的。但是当掺杂的杂质浓度增高时，电阻率会随着浓度增高快速降低吗？（与温度有关：杂质需要完全电离；掺杂半导体中载流子的迁移率会随杂质浓度增加而显著下降）3.1半导体基础知识关于扩散电阻：73.1半导体基础知识4、PN结单向导电性：整流、开关、稳压二极管。、5MOS场效应管（1）MOS管结构NMOS、PMOS和CMOSMOS管是左右对称的，漏和源可以互换，只是外加电压不同。3.1半导体基础知识4、PN结83.1半导体基础知识漏区和源区称为有源区，是由掺杂形成的。栅：铝栅和硅栅（性能更好）MOS晶体管尺寸定义：宽和长（2）MOS管工作原理反型层、沟道、饱和。饱和之后，沟道形成楔型，电流不再增加。（漏端电压增加，但沟道的电阻率也在增加）3.1半导体基础知识漏区和源区称为有源区，是由掺杂形成的。93.1半导体基础知识（3）MOS管应用栅压越大，电子沟道越厚，沟道电阻率越低，电流越大。因此MOS晶体管是电压控制电流的器件。数字电路：开关作用，栅压为VDD或GND模拟电路：栅压介于VDD和GND之间，调整电流大小，进行信号放大作用。3.1半导体基础知识（3）MOS管应用10主要内容3.1半导体基础知识3.2工艺流程3.3工艺集成主要内容3.1半导体基础知识113.2工艺流程1制造工艺简介2材料的作用3工艺流程4常用工艺之一：外延生长5常用工艺之二：光刻6常用工艺之三：刻蚀7常用工艺之四：掺杂8常用工艺之五：薄膜制备3.2工艺流程1制造工艺简介123.2工艺流程材料制备3.2工艺流程131制造工艺简介（a）n型硅晶片原材料（b）氧化后的晶片1制造工艺简介141制造工艺简介（c）涂敷光刻胶（d）光刻胶通过掩膜版曝光1制造工艺简介151制造工艺简介（a）显影后的晶片（b）SiO2去除后的晶片氧化工艺1制造工艺简介161制造工艺简介（c）光刻工艺处理后的晶片（d）扩散或离子注入形成PN结光刻和刻蚀工艺；扩散和离子注入工艺1制造工艺简介171制造工艺简介（e）光刻工艺处理后的晶片（金属化工艺）（f）完整工艺处理后的晶片（光刻工艺）1制造工艺简介181制造工艺简介工艺总结一：集成电路的制造是平面工艺，需要多层加工工艺总结二：芯片是由底层P-Sub到最上层的不同图形层次叠加而成。1制造工艺简介工艺总结一：集成电路的制造是平面工艺，需要多192材料的作用表2.1集成电路中所需要的材料导体：低值电阻，电容极板，器件边线，接触，焊盘半导体：衬底绝缘体：电容介质，栅氧化层，横向隔离，层间隔离，钝化层2材料的作用表2.1集成电路中所需要的材料203工艺流程集成电路的制造工艺是由多种单道工艺组合而成的，单道工艺通常归为以下三类：（1）薄膜制备工艺：包括外延生长、氧化工艺、薄膜淀积工艺，如制造金属、绝缘层等。（2）图形转移工艺：包括光刻工艺和刻蚀工艺。（3）掺杂工艺：包括扩散工艺和离子注入工艺。3工艺流程集成电路的制造工艺是由多种单道工艺组合而成的，单213工艺流程以上工艺重复、组合使用，就形成集成电路的完整制造工艺。光刻掩模版（mask）：版图完成后要交付给代工厂，将版图图形转移到晶圆上，就需要经过一个重要的中间环节——制版，即制造一套分层的光刻掩膜版。3工艺流程以上工艺重复、组合使用，就形成集成电路的完整制造223工艺流程制版——光刻掩膜版就是讲电路版图的各个层分别转移到一种涂有感光材料的优质玻璃上，为将来再转移到晶圆做准备，这就是制版。每层版图都有相对应的掩膜版，并对应于不同的工艺。3工艺流程制版——光刻掩膜版就是讲电路版图的各个层分别转移234常用工艺之一：外延生长半导体器件通常不是直接做在衬底上的，而是先在沉底上生长一层外延层，然后将器件做在外延层上。外延层可以与沉底同一种材料，也可以不同。在双极型集成电路中：可以解决原件间的隔离；减小集电极串联电阻。在CMOS集成电路中：可以有效避免闩锁效应。4常用工艺之一：外延生长半导体器件通常不是直接做在衬底上的245常用工艺之二：光刻目的：按照集成电路的设计要求，在SiO2或金属层上面刻蚀出与光刻掩膜版完全相对应的几何图形，以实现选择性扩散或金属布线的目的。5常用工艺之二：光刻目的：按照集成电路的设计要求，在SiO255常用工艺之二：光刻主要步骤（1）在晶圆上涂一层光刻胶，并将掩膜版放在其上。（2）曝光。正胶感光部分易溶解，负胶则相反。（3）显影、刻蚀。（4）去除光刻胶5常用工艺之二：光刻主要步骤26尘埃粒子影响：洁净室尘埃粒子影响：洁净室27接触式和接近式曝光接触式和接近式曝光28掩膜掩膜29图形转移图形转移30图形转移图形转移315常用工艺之二：光刻集成电路中每一层的制备都需要涂一层光刻胶，都需要一层掩膜版，也需要曝光、显影以及刻蚀。一个芯片制造可能需要20或30个这样的材料层。多晶硅的刻蚀：预刻蚀、主刻蚀、过刻蚀5常用工艺之二：光刻集成电路中每一层的制备都需要涂一层光刻326常用工艺之三：刻蚀光刻：将图形转移到覆盖在半导体硅片表面的光刻胶刻蚀：将图形转移到光刻胶下面组成器件的各层薄膜上湿法刻蚀：掩膜层下有横向钻蚀干法刻蚀：等离子体辅助刻蚀，是利用低压放电等离子体技术的刻蚀方法6常用工艺之三：刻蚀光刻：将图形转移到覆盖在半导体硅片表面336常用工艺之三：刻蚀6常用工艺之三：刻蚀346常用工艺之三：刻蚀6常用工艺之三：刻蚀356常用工艺之三：刻蚀各向异性腐蚀（湿法刻蚀）各向同性腐蚀：例如在铝线的刻蚀过程中，加入含碳的气体，以形成侧壁钝化，这样可以获得各向异性刻蚀效果6常用工艺之三：刻蚀各向异性腐蚀（湿法刻蚀）366常用工艺之三：刻蚀6常用工艺之三：刻蚀377常用工艺之四：掺杂作用：形成PN结，形成电阻，形成欧姆接触，形成双极晶体管的基区、发射区、集电区或MOS管的源和漏。主要的掺杂工艺：扩散和离子注入扩散：根据扩散的原理，使杂质从高浓度处向低浓度处扩散。两个要素：高温和浓度梯度。7常用工艺之四：掺杂作用：形成PN结，形成电阻，形成欧姆接387常用工艺之四：掺杂离子注入：与扩散比，离子注入技术具有加工温度低、大面积注入杂质仍能保证均匀、掺杂种类广泛等优点。原理：用一台离子加速器加速杂质粒子向前运动，轰击硅晶圆表面，最后杂质粒子能量损失后，渗入到晶圆内部停留下来形成。漏源自对准：离子注入可以使用光刻好的薄膜材料作为掩膜来形成对准方法。7常用工艺之四：掺杂离子注入：与扩散比，离子注入技术具有加39扩散和离子注入的对比扩散和离子注入的对比40离子注入离子注入41注入损伤注入损伤：带有能量的离子进入半导体衬底，经过碰撞和损失能量，最后停留下来。电子碰撞：电子激发或新的电子空穴对产生原子核碰撞：使原子碰撞，离开晶格，形成损伤，也称晶格无序注入损伤注入损伤：带有能量的离子进入半导体衬底，经过碰撞和损42晶格无序晶格无序43退火由于离子注入所造成的损伤区及无序团，使迁移率和寿命等半导体参数受到严重影响。大部分的离子并不位于替位位置为了激活注入的离子，并回复迁移率和其他材料的参数，必须在适当的时间与温度下将半导体退火。退火由于离子注入所造成的损伤区及无序团，使迁移率和寿命等半导448常用工艺之五：薄膜制备目的：通过物理或化学方式在硅晶圆上淀积材料层，来满足集成电路设计的需要，如金属、多晶硅及磷化玻璃等。常用方法：氧化、物理气相淀积和化学气相淀积8常用工艺之五：薄膜制备目的：通过物理或化学方式在硅晶圆上458常用工艺之五：薄膜制备四种薄膜：氧化膜；电介质膜；多晶硅膜；金属膜8常用工艺之五：薄膜制备四种薄膜：氧化膜；电介质膜；多晶硅468常用工艺之五：薄膜制备（1）氧化SiO2的作用屏蔽杂质、栅氧化层、介质隔离、器件保护和表面钝化SiO2的制备需要高纯度，目前最常用的方法是热氧化法。主要分为干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化三种。氮化硅的制备主要用作：金属上下层的绝缘层、场氧的屏蔽层、芯片表面的钝化层。8常用工艺之五：薄膜制备（1）氧化478常用工艺之五：薄膜制备生产SiO28常用工艺之五：薄膜制备生产SiO2488常用工艺之五：薄膜制备氧化质量8常用工艺之五：薄膜制备氧化质量49物理气相淀积（2）物理气相淀积利用某种物理过程，例如蒸发或溅射，来实现物质的转移，即把材料的原子由源转移到衬底表面，从而实现淀积形成薄膜。金属的淀积通常是物理的。两种方法：真空蒸发；溅射物理气相淀积（2）物理气相淀积50物理气相淀积物理气相淀积51物理气相淀积标准（离子束）溅射：离子束被加速，撞击靶材表面长程溅射：用于控制角度分布校直溅射：用于填充高宽比较大的接触孔，防止空洞底部还没有完全填充，其上部开口就被封闭起来。物理气相淀积标准（离子束）溅射：离子束被加速，撞击靶材表面52化学气相淀积（3）化学气相淀积化学汽相淀积是指通过气态物质的化学反应，在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。CVD膜的结构可以是单晶、多晶或非晶态，淀积单晶硅薄膜的CVD过程通常被称为外延。化学气相淀积（3）化学气相淀积53化学气相淀积CVD技术具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点。利用CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的sio2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等。作用：外延层，二氧化硅膜，多晶硅膜，氮化硅膜化学气相淀积CVD技术具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制54化学气相淀积CVD生长的二氧化硅：用作金属间的绝缘层，用于离子注入和扩散的掩蔽层，也可用于增加热氧化生长的场氧化层的厚度热生长的二氧化硅：具有最佳的电学特性。可用于金属层之间的绝缘体，又可用作器件上面的钝化层化学气相淀积CVD生长的二氧化硅：用作金属间的绝缘层，用于离55主要内容3.1半导体基础知识3.2工艺流程3.3工艺集成主要内容3.1半导体基础知识563.3工艺集成1制作流程2无源器件3双极集成电路制造流程CMOS工艺3.3工艺集成1制作流程571制作流程1制作流程581制作流程1制作流程592无源器件1、电阻（1）淀积：淀积电阻层，然后光刻刻蚀（2）扩散或离子注入：在硅衬底上热生长的氧化层上开出一个窗口，注入或扩散与衬底类型相反的杂质。2无源器件1、电阻60电阻电阻61电阻电阻值计算，xj为结深当W=L时，G=g1/g用R■表示，称为方块电阻，单位为欧姆，习惯上用Ω/■表示。电阻电阻值计算，xj为结深622无源器件2、电容基本上分为两种：MOS电容和P-N结电容（1）MOS电容：重掺杂区域作为极板，氧化物作为介质单位面积的电容为（2）P-N结电容：N+P结电容，通常加反向偏置电压2无源器件2、电容63电容电容642无源器件3、电感：薄膜螺旋电感过程：硅衬底热生长或淀积一层厚氧化物；淀积一层金属，形成电感的一个端子；再淀积一层介质，通过光刻和刻蚀确定出一个过孔；淀积第二层金属，同时过孔被填充；在第二层金属上光刻并刻蚀出螺旋图形作为电感的第二个端子。2无源器件3、电感：薄膜螺旋电感65电感电感663双极集成电路制造流程双极集成电路最主要的应用领域是模拟和超高速集成电路。每个晶体管之间必须在电学上相互隔离开，以防止器件之间的相互影响。下图为采用场氧化层隔离技术制造的NPN晶体管的截面图，制作这种结构晶体管的简要工艺流程如下所示：3双极集成电路制造流程双极集成电路最主要的应用领域是模拟和67集成电路版图设计与验证第三章半导体制造工艺简介集成电路版图设计与验证第三章半导体制造工艺简介68学习目的（1）了解晶体管工作原理，特别是MOS管的工作原理（2）了解集成电路制造工艺（3）了解COMS工艺流程学习目的（1）了解晶体管工作原理，特别是MOS管的工作原理69主要内容3.1半导体基础知识3.2工艺流程3.3工艺集成主要内容3.1半导体基础知识703.1半导体基础知识半导体硅原子结构：4个共价键，比较稳定，没有明显的自由电子。3.1半导体基础知识半导体硅原子结构：4个共价键，比较稳定，713.1半导体基础知识1、半导体能带禁带带隙介于导体和绝缘体之间2、半导体载流子空穴和电子3.1半导体基础知识1、半导体能带723.1半导体基础知识3、半导体分类N型半导体和P型半导体掺杂半导体的特点：（1）导电性受掺杂浓度影响。被替代的硅原子数越多，材料的电阻率越低，越容易导电。（2）多子的浓度取决于杂质浓度，少子的浓度取决于温度。3.1半导体基础知识3、半导体分类733.1半导体基础知识关于扩散电阻：集成电路中经常见到的扩散电阻其实就是利用掺杂的方法改变材料的电阻率得到的。但是当掺杂的杂质浓度增高时，电阻率会随着浓度增高快速降低吗？（与温度有关：杂质需要完全电离；掺杂半导体中载流子的迁移率会随杂质浓度增加而显著下降）3.1半导体基础知识关于扩散电阻：743.1半导体基础知识4、PN结单向导电性：整流、开关、稳压二极管。、5MOS场效应管（1）MOS管结构NMOS、PMOS和CMOSMOS管是左右对称的，漏和源可以互换，只是外加电压不同。3.1半导体基础知识4、PN结753.1半导体基础知识漏区和源区称为有源区，是由掺杂形成的。栅：铝栅和硅栅（性能更好）MOS晶体管尺寸定义：宽和长（2）MOS管工作原理反型层、沟道、饱和。饱和之后，沟道形成楔型，电流不再增加。（漏端电压增加，但沟道的电阻率也在增加）3.1半导体基础知识漏区和源区称为有源区，是由掺杂形成的。763.1半导体基础知识（3）MOS管应用栅压越大，电子沟道越厚，沟道电阻率越低，电流越大。因此MOS晶体管是电压控制电流的器件。数字电路：开关作用，栅压为VDD或GND模拟电路：栅压介于VDD和GND之间，调整电流大小，进行信号放大作用。3.1半导体基础知识（3）MOS管应用77主要内容3.1半导体基础知识3.2工艺流程3.3工艺集成主要内容3.1半导体基础知识783.2工艺流程1制造工艺简介2材料的作用3工艺流程4常用工艺之一：外延生长5常用工艺之二：光刻6常用工艺之三：刻蚀7常用工艺之四：掺杂8常用工艺之五：薄膜制备3.2工艺流程1制造工艺简介793.2工艺流程材料制备3.2工艺流程801制造工艺简介（a）n型硅晶片原材料（b）氧化后的晶片1制造工艺简介811制造工艺简介（c）涂敷光刻胶（d）光刻胶通过掩膜版曝光1制造工艺简介821制造工艺简介（a）显影后的晶片（b）SiO2去除后的晶片氧化工艺1制造工艺简介831制造工艺简介（c）光刻工艺处理后的晶片（d）扩散或离子注入形成PN结光刻和刻蚀工艺；扩散和离子注入工艺1制造工艺简介841制造工艺简介（e）光刻工艺处理后的晶片（金属化工艺）（f）完整工艺处理后的晶片（光刻工艺）1制造工艺简介851制造工艺简介工艺总结一：集成电路的制造是平面工艺，需要多层加工工艺总结二：芯片是由底层P-Sub到最上层的不同图形层次叠加而成。1制造工艺简介工艺总结一：集成电路的制造是平面工艺，需要多862材料的作用表2.1集成电路中所需要的材料导体：低值电阻，电容极板，器件边线，接触，焊盘半导体：衬底绝缘体：电容介质，栅氧化层，横向隔离，层间隔离，钝化层2材料的作用表2.1集成电路中所需要的材料873工艺流程集成电路的制造工艺是由多种单道工艺组合而成的，单道工艺通常归为以下三类：（1）薄膜制备工艺：包括外延生长、氧化工艺、薄膜淀积工艺，如制造金属、绝缘层等。（2）图形转移工艺：包括光刻工艺和刻蚀工艺。（3）掺杂工艺：包括扩散工艺和离子注入工艺。3工艺流程集成电路的制造工艺是由多种单道工艺组合而成的，单883工艺流程以上工艺重复、组合使用，就形成集成电路的完整制造工艺。光刻掩模版（mask）：版图完成后要交付给代工厂，将版图图形转移到晶圆上，就需要经过一个重要的中间环节——制版，即制造一套分层的光刻掩膜版。3工艺流程以上工艺重复、组合使用，就形成集成电路的完整制造893工艺流程制版——光刻掩膜版就是讲电路版图的各个层分别转移到一种涂有感光材料的优质玻璃上，为将来再转移到晶圆做准备，这就是制版。每层版图都有相对应的掩膜版，并对应于不同的工艺。3工艺流程制版——光刻掩膜版就是讲电路版图的各个层分别转移904常用工艺之一：外延生长半导体器件通常不是直接做在衬底上的，而是先在沉底上生长一层外延层，然后将器件做在外延层上。外延层可以与沉底同一种材料，也可以不同。在双极型集成电路中：可以解决原件间的隔离；减小集电极串联电阻。在CMOS集成电路中：可以有效避免闩锁效应。4常用工艺之一：外延生长半导体器件通常不是直接做在衬底上的915常用工艺之二：光刻目的：按照集成电路的设计要求，在SiO2或金属层上面刻蚀出与光刻掩膜版完全相对应的几何图形，以实现选择性扩散或金属布线的目的。5常用工艺之二：光刻目的：按照集成电路的设计要求，在SiO925常用工艺之二：光刻主要步骤（1）在晶圆上涂一层光刻胶，并将掩膜版放在其上。（2）曝光。正胶感光部分易溶解，负胶则相反。（3）显影、刻蚀。（4）去除光刻胶5常用工艺之二：光刻主要步骤93尘埃粒子影响：洁净室尘埃粒子影响：洁净室94接触式和接近式曝光接触式和接近式曝光95掩膜掩膜96图形转移图形转移97图形转移图形转移985常用工艺之二：光刻集成电路中每一层的制备都需要涂一层光刻胶，都需要一层掩膜版，也需要曝光、显影以及刻蚀。一个芯片制造可能需要20或30个这样的材料层。多晶硅的刻蚀：预刻蚀、主刻蚀、过刻蚀5常用工艺之二：光刻集成电路中每一层的制备都需要涂一层光刻996常用工艺之三：刻蚀光刻：将图形转移到覆盖在半导体硅片表面的光刻胶刻蚀：将图形转移到光刻胶下面组成器件的各层薄膜上湿法刻蚀：掩膜层下有横向钻蚀干法刻蚀：等离子体辅助刻蚀，是利用低压放电等离子体技术的刻蚀方法6常用工艺之三：刻蚀光刻：将图形转移到覆盖在半导体硅片表面1006常用工艺之三：刻蚀6常用工艺之三：刻蚀1016常用工艺之三：刻蚀6常用工艺之三：刻蚀1026常用工艺之三：刻蚀各向异性腐蚀（湿法刻蚀）各向同性腐蚀：例如在铝线的刻蚀过程中，加入含碳的气体，以形成侧壁钝化，这样可以获得各向异性刻蚀效果6常用工艺之三：刻蚀各向异性腐蚀（湿法刻蚀）1036常用工艺之三：刻蚀6常用工艺之三：刻蚀1047常用工艺之四：掺杂作用：形成PN结，形成电阻，形成欧姆接触，形成双极晶体管的基区、发射区、集电区或MOS管的源和漏。主要的掺杂工艺：扩散和离子注入扩散：根据扩散的原理，使杂质从高浓度处向低浓度处扩散。两个要素：高温和浓度梯度。7常用工艺之四：掺杂作用：形成PN结，形成电阻，形成欧姆接1057常用工艺之四：掺杂离子注入：与扩散比，离子注入技术具有加工温度低、大面积注入杂质仍能保证均匀、掺杂种类广泛等优点。原理：用一台离子加速器加速杂质粒子向前运动，轰击硅晶圆表面，最后杂质粒子能量损失后，渗入到晶圆内部停留下来形成。漏源自对准：离子注入可以使用光刻好的薄膜材料作为掩膜来形成对准方法。7常用工艺之四：掺杂离子注入：与扩散比，离子注入技术具有加106扩散和离子注入的对比扩散和离子注入的对比107离子注入离子注入108注入损伤注入损伤：带有能量的离子进入半导体衬底，经过碰撞和损失能量，最后停留下来。电子碰撞：电子激发或新的电子空穴对产生原子核碰撞：使原子碰撞，离开晶格，形成损伤，也称晶格无序注入损伤注入损伤：带有能量的离子进入半导体衬底，经过碰撞和损109晶格无序晶格无序110退火由于离子注入所造成的损伤区及无序团，使迁移率和寿命等半导体参数受到严重影响。大部分的离子并不位于替位位置为了激活注入的离子，并回复迁移率和其他材料的参数，必须在适当的时间与温度下将半导体退火。退火由于离子注入所造成的损伤区及无序团，使迁移率和寿命等半导1118常用工艺之五：薄膜制备目的：通过物理或化学方式在硅晶圆上淀积材料层，来满足集成电路设计的需要，如金属、多晶硅及磷化玻璃等。常用方法：氧化、物理气相淀积和化学气相淀积8常用工艺之五：薄膜制备目的：通过物理或化学方式在硅晶圆上1128常用工艺之五：薄膜制备四种薄膜：氧化膜；电介质膜；多晶硅膜；金属膜8常用工艺之五：薄膜制备四种薄膜：氧化膜；电介质膜；多晶硅1138常用工艺之五：薄膜制备（1）氧化SiO2的作用屏蔽杂质、栅氧化层、介质隔离、器件保护和表面钝化SiO2的制备需要高纯度，目前最常用的方法是热氧化法。主要分为干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化三种。氮化硅的制备主要用作：金属上下层的绝缘层、场氧的屏蔽层、芯片表面的钝化层。8常用工艺之五：薄膜制备（1）氧化1148常用工艺之五：薄膜制备生产SiO28常用工艺之五：薄膜制备生产SiO21158常用工艺之五：薄膜制备氧化质量8常用工艺之五：薄膜制备氧化质量116物理气相淀积（2）物理气相淀积利用某种物理过程，例如蒸发或溅射，来实现物质的转移，即把材料的原子由源转移到衬底表面，从而实现淀积形成薄膜。金属的淀积通常是物理的。两种方法：真空蒸发；溅射物理气相淀积（2）物理气相淀积117物理气相淀积物理气相淀积118物理气相淀积标准（离子束）溅射：离子束被加速，撞击靶材表面长程溅射：用于控制角度分布校直溅射：用于填充高宽比较大的接触孔，防止空洞底部还没有完全填充，其上部开口就被封闭起来。物理气相淀积标准（离子束）溅射：离子束被加速，撞击靶材表面119化学气相淀积（3）化学气相淀积化学汽相淀积是指通过气态物质的化学反应，在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。CVD膜的结构可以是单晶、多晶或非晶态，淀积单晶硅薄膜的CVD过程通