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本次课内容第7章pn结(无处不在)7．1pn结的基本结构7．2零偏7．3反偏*7．4非均匀掺杂pn结7．5小结7.1pn结的基本结构冶金结＿P区和n区的交界面突变结线性缓变结超突变结突变结＿均匀分布，交界处突变7.1pn结的基本结构空间电荷区＝耗尽区（没有可自由移动的净电荷，高阻区）PN结的形成7.2零偏7.2.1内建电势差pn结能带图内建电势差本章开始Nd,Na分别指n区和p区内的净施主和受主杂质！！！7.2零偏7.2.1内建电势差7.2零偏7.2.2电场强度半导体内的电场由泊松方程确定：电场表达式：电荷密度耗尽近似：7.2零偏7.2.2电场强度对n区和p区电场函数积分可得相应的电势表达式：7.2零偏7.2.3空间电荷区宽度n区和p区的空间电荷区宽度：7.3反偏7.3.1空间电荷区宽度与电场反偏与内建电场方向相同EF不再统一7.3反偏7.3.1空间电荷区宽度与电场V=Vbi+VR7.3反偏7.3.1空间电荷区宽度与电场X=0处7.3反偏7.3.2结电容势垒电容单位面积电容7.3反偏7.3.2结电容势垒电容7.3反偏7.3.3单边突变结Na>>Nd时，这种结称为P+n结。空间电荷区宽度：7.3反偏7.3.3单边突变结7.4非均匀掺杂pn结线形缓变结x=x’处a为净杂质浓度梯度；7.4非均匀掺杂pn结线形缓变结7.4非均匀掺杂pn结超突变结X>0处的归一化n型掺杂浓度为：线形缓变结
超突变结外延（内重掺杂，外轻掺杂）
均匀掺杂结7.4非均匀掺杂pn结超突变结的电容表达式势垒电容很大程度上取决于反偏电压的大小。超突变结的应用举例：LC电路LC电路的共振频率：电路应用中要求fr是反偏电压的线性函数，则：7.5小结均匀掺杂pn结。空间电荷区。空间电荷区内的电场。空间电荷区内的电势差。外加偏置条件下空间电荷区宽度、内建电势差、势垒电容、场强的变化。线性缓变结的电场、内建电势差、势垒电容的表达式。特定的掺杂曲线可以用来实现特定的电容
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