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文档简介
位错与向错的定义单晶体滑移
滑移是指在外力作用下晶体沿某些特定的晶面和晶向相对滑开的形变方式。
用扫描电镜观察到形变钴单晶的表面形貌
用光学显微镜观察经7%形变的铝的表面图象140
在变形时,如果晶体在滑移面两侧相对滑过,则在滑移面上所有的键都要破断来产生永久的位移
。据此,可以估算滑移所需要的临界分切应力。这一过程的宏观描述
这一过程的原子尺度的描述因为原子间的斥力的短程性,能量曲线不是正弦形的,所以上面的估计是过高的,c的更合理值约为G/30。理论切变强度和切变模量相差约1个数量级。但是,实验测定的切变强度比理论切变强度低2~4个数量级。一些金属的理论强度与实验强度的比较晶体理论强度(G/30)GPa实验强度/MPa理论强度/实验强度Ag2.640.37~7103Al2.370.78~3103Cu4.100.49~8103Ni6.703.2~7.35~2103Fe7.1027.5~3102Mo11.3371.6~2102Nb3.4833.3~1102Cd2.070.57~4103Mg(柱面滑移)1.4739.2~410Ti(柱面滑移)3.5413.7~3102Be(基面滑移)10.321.37~8103Be(柱面滑移)10.3252~2102
晶体的实际强度和理论计算的强度相差几个数量级,人们就设想晶体中一定存在某种缺陷,因它的存在和它的运动引起晶体的晶体的永久变形。晶体变形的宏观现象:①形变的晶体学性(即晶体在固定的晶面和晶向滑移);②形变的不均匀性和不连续性,即变形不是在整个晶体各处发生;③形变滑移的传播性,形变时,观察到滑移线(带)是从无到有,由浅到深,由短到长(即),数目由少到多;④滑移服从临界分切应力定律(以后会介绍,对于体心立方晶体,会发生例外)⑤温度对临界分切应力有显著的影响,等等。设想的这种缺陷结构及特性必需和上述观察到的宏观变形现象相符。设想的缺陷引入晶体必需要:①它的晶体学要素不依赖于加力的大小,而由晶体学本身确定。由它运动导致的变形不破坏晶体结构,只是原子间的相对运动。所以引入的缺陷不是完全无规而是有晶体学特性的;②它能解释变形的不均匀性,即能说明它的结构敏感性;③它能说明变形过程的传播性;④引入的这种缺陷是易动的,能解释实验强度比理论强度低的原因。但它又不能像空位那样易受热起伏的影响;⑤它应有合理的增殖机制。现在已经知道,这种缺陷就是这里要讨论的位错。早在知道有序介质材料中存在线缺陷之前,在20世纪初数学家沃特拉(V.Volterra)就提出了线缺陷的概念和模型,他是研究连续弹性介质中的一个半割面两侧变形后从新粘合后的数学奇异性问题。“制造”沃特拉线缺陷的过程的步骤如下:
①在弹性体内割开一个以C为界的割面S。②使割面两岸相对位移D(r)。在相对移动过程中两岸不发生歪曲变形。③割面两侧位移后,如果产生空隙,在空隙中填满相同的物质;如果产生重叠,把多余的物质去掉。④把割面的两岸重新粘合,并去
除操作过程所加的外力。
经这样的操作后就产生内应力场,其内应力沿C环是不连续奇异性的,C环称为沃特拉线缺陷。
两岸的相对位移D(r)一般能分解为一个平移分量b和一个转动分量=wr,r是原点在割面上的矢径。如果D(r)只有平移分量,则形成的位错称平移位错(Dislocation);如果D(r)只有旋转分量,则形成的位错称旋转位错,简称为向错(Dislination)。实在晶体并不是真正的连续介质,它存在各向异性及结构的不连续,所以在Volterra过程中的D(r)不是任意的,只能根据晶体的特点取有限的值。不论平移分量或旋转分量都必须符合晶体点阵的对称性质。例如平移只能是晶体的点阵平移矢量,旋转角必须是晶体的基转角。在以后我们会知道,由于能量的原因,真正位错线的平移矢量也不可能是任意的点阵平移矢量,而是其中较短的几个矢量。对于向错,晶体的旋转对称性最多为六次对称,也就是说,在晶体中产生向错最小的旋转角也要60,它会引起很大的畸变,随着离开中心的距离加大畸变加大,所以旋错的能量很高,所以在晶体中除了个别特殊情况,一般是不会出现向错。而在液晶中向错却是常见的线缺陷。在弹性介质产生向错的沃特拉过程的示意图。向错线平行于z轴。(a)是楔型向错,产生向错的割面位移是绕平行z轴的轴转动角;(b)是扭型向错,产生向错的割面位移是绕平行x轴的轴转动角;
(c)也是扭型向错,产生向错的割面位移是绕平行y轴的轴转动角
位错理论发展简史1907年
Volterra解决了一类弹性体中的内应力不连续的弹性问题,把它称为位错。1934年
M.Polanyi,E.Orowan和G.1.Taylor差不多同时地独立提出有关这类晶体缺陷(位错)的模型,特别是Taylor明确地把Volterra位错引入晶体。约菲用正交的尼科耳镜观察岩盐形变,看到岩盐形变时有亮线从晶体一侧传播到另一侧,说明晶体形变滑移时局部地区有应力集中,并说明滑移是从一侧传播到另一侧的。Taylor注意到这种实验现象,根据设想的位错排列形状,计算了位错运动所产生的晶体硬化曲线。1939年
Burgers提出描述位错的一个重要特征量柏氏矢量,同时引入了螺位错。1940年
Peierls提出后来在1947年由Nabarro修正的位错点阵模型,它突破了一般弹性力学范围,提出了位错宽度的概念,估算了位错开动的应力,这一应力正是和实际晶体屈服应力的同一数量级。1947年
Cottrell阐明溶质原子和位错的交互作用并用以解释低碳纲的屈服现象,第一次成功地利用位错理论解决金属机械性能的具体问题。同年
Shockley描绘了面心立方形成扩展位错的过程。1950年
Frank和Read共同提出了位错的增殖机制。上面所列出的是早期位错理论的发展的重要过程,到那时,对于单个位错的运动规律,位错的交互作用等理论基本已经解决。
1953年Nye和1954年Bilby以及以后的kröner提出的无限小位错连续分布模型,为研究更复杂位错组态提供方法。在解决任意形状的位错线的性质方面,由Burgers在1939年提出的位移公式、Peach和kröner在1950年提出的应力场公式和位错受力公式及Blin在1955年提出的交互作用能公式等基本上能得到解决。1956年
Menter直接在电镜观察了铂钛花青晶体中位错的存在,同年,Hirsch等应用相衬法在电镜观察到位错的运动,位错理论就在更坚实的基础上发展了。近几十年,随着实验设备和计算机的发展,研究位错核心的组态以及在复杂结构中的位错方面取得很多很有成效的结果。位错的几何形态刃型位错
刃位错的原子模型产生刃位错的Volterra过程半原子面在上侧,称正刃位错,“┻”;若半原子面在下侧,称负刃位错,“┳”。螺型位错产生右螺位错的Volterra过程右螺位错的原子模型右图的顶视投影图柏氏回路及柏氏矢量
位错线在晶体中产生应力和应变场,从“制造”位错的Volterra过程可知,割面的相对位移矢量b是位错的最根本特征,绕位错的回路C的弹性位移u的线积分值应该等于b
:b称柏氏矢量。按照这样的概念,可以用简单的左图办法来定出位错的柏氏矢量。其步骤如下∶①人为地规定位错线的正向,以表示位错线的切矢量;②以位错线正向为轴环绕位错线在离开位错线附近的原子严重错排的区域作右螺旋闭合回路,这回路称柏氏回路;③用同样的方法在不含位错的完整晶体中作相同回路;④比较这2个回路,绕位错线所作的回路是闭合的,而在完整晶体中所作的相同回路是不闭合或是重叠的,从这个回路的终点向始点连接所得的矢量,就是位错线的柏氏矢量b。
这种方法记为RH/FS法。在确定柏氏矢量时,若位错线的正向相反时,所得的柏氏矢量也同时反向。
柏氏矢量是位错线的一个特征量,可以用它来明确地定义位错的类型:刃位错;右螺位错,左螺位错位错线和其柏氏矢量既非垂直又非平行的是混合位错。产生混型位错的Volterra模型右图的顶视投影原子模型图一个柏氏矢量b与位错线t夹角为的混位错,可以看成是柏氏矢量为bsin的刃位错和柏氏矢量为bcos的螺位错的叠加。其中柏氏回路任意扩大、移动,只要在扩大和移动过程不和原位错线或其它位错线相遇,由它确定的柏氏矢量也不会改变,这就是柏氏矢量的守恒性。从这一点引伸,可以得到如下的重要概念:①一根不分岔的位错线不论它的形状如何变化,它只有一个恒定的柏氏矢量。②一根位错线不能终止在晶体内部,只能终止于晶体表面或晶界;若它终止在晶体中部,它必和其他位错线相连接,相交于一个接点,或者自成封闭的位错环。③汇聚在一点的各位错线,如果从汇聚点向外的方向定为正向,则它们的柏氏矢量总和为零。
晶体中的位错组态常是位错网络。除了位错网络外,位错还可以单独的以位错环的形式存在。在经强烈冷加工后,晶体中的位错组态很复杂,经常出现象发团一样的位错“缠结”。晶体中位错网络排列的示意图
单位体积中含位错的总长度称位错密度,=L/V,其中L为体积V中的位错线总长度。另一种有时使用更为方便的定义是:在单位面积上截过的位错数目。
如果所有的位错线平行且垂直于表面,这两种定义的密度值是相同的。对于完全随机排列的位错组态,体密度是面密度的2倍。
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