电子显微结构分析优质精选课件

一、概述电子显微分析就是利用聚焦电子束与物质相互作用产生的各种物理信号来分析试样中物质的微区形貌、晶体结构、化学组成等。这中间包括电子扫描电镜、电子透射电镜、电子探针微区分析，随着分析手段的发展，环境扫描电镜、扫描隧道显微分析、原子力扫描显微分析也渐渐成为分析手段的重要组成部分。一、概述电子显微分析就是利用聚焦电子束与物质相互作用产生的各1一、概述一、概述2一、概述一、概述3一、概述一、概述4一、概述电子显微分析与其他的形貌、结构、成分分析方法对比，具有以下非常重要的优点：1、直接在高倍镜下观察试样的形貌、结构，可选择特定的区域进行分析；2、可直接分辨原子，能进行纳米尺度的晶体结构与化学组成分析；3、可以进行形貌、结构、物相及化学组成的综合分析；在固体科学、材料科学、地质、医学、生物等各领域的研究用途都很广。一、概述电子显微分析与其他的形貌、结构、成分分析方法对比，具5Si衬底上不同组分MgxZn1-xO薄膜的SEM照片（a）x=0（b）x=0.3（c）x=0.4（d）x=0.5（e）x=0.7（f）x=0.9一、概述Si衬底上不同组分MgxZn1-xO薄膜的SEM照片一、概述6电子显微镜下的液晶分子形态电子显微镜下的液晶分子形态7电子显微镜下的液晶分子形态电子显微镜下的液晶分子形态8扫描电子显微镜扫描电子显微镜9一、概述（一）、光学显微镜的局限光学显微镜的分辨能力，是光学显微镜能看到且区分开的最小物质。Abbe根据衍射理论导出了光学透镜的分辨本领的公式为：nm。在式中，r为分辨本领，λ为照明光源的波长，n为透镜的折射率，α为透镜孔径半角，习惯把nsinα称为透镜的数值孔径。因此可以看出，要增加透镜的分辨本领，即减小r值有三个途径：增加介质的折射率；2、增大物镜的数值孔径；3、采用短波长的照明光源。一、概述（一）、光学显微镜的局限10一、概述当使用可见光作为光源，采用组合透镜、大的孔径角、高折射率的介质浸没物镜时，物镜的数值孔径最大可提高到1.6，在最佳的情况下，透镜的极限分辨率可达到200nm。要进一步提高显微镜的分辨率，必须使用更短波长的照明源。即是这样使用波长为275nm的紫外光作为照明源，显微镜的极限分辨率也只能达到100nm。虽然X射线的波长可达0.05～10nm，但是不知道什么物质可使其改变方向，能进行有效的折射和聚焦成像。因电子束也具有波动性，波长也很短，使用电子束作为照明源制成的电子显微镜具有更高的分辨率。且电子束在电场与磁场中可以方便的加以控制，应用前途更广。一、概述当使用可见光作为光源，采用组合透镜、大的孔径角、高折11

光学显微镜

电子显微镜眼晴：准确性、灵敏性、适应性和精密的分辨能力。人眼观察物体的粒度极限为0.1mm！

——局限性可以看到细菌、细胞那样小的物体。但光学显微镜超过一定放大率后就失去作用，最好的光学显微镜的放大极限是：2000倍光学显微镜电子显微镜眼晴：可以看到细菌、细胞那样12

利用聚焦电子束与试样物质相互作用产生的各种物理信号，分析试样物质的微区形貌、显微结构、晶体结构和化学组成。电子显微分析的定义:

透射电子显微镜（TEM）扫描电子显微镜（SEM）电子探针（EPMA）利用聚焦电子束与试样物质相互作用产生的各种物理信号，分析试13电子显微分析的特点：放大倍数高：5倍~100万倍；且连续可调；

（现代TEM可达200万倍以上）分辨率高：0.2~0.3nm

（现代TEM线分辨率可达0.104~0.14）多功能、综合性：形貌+物相+晶体结构+化学组成电子显微分析的特点：放大倍数高：5倍~100万倍；且连续14二、电子光学基础电子光学是研究带电离子在电场与磁场中运动，其产生偏转、聚焦、成像等规律的一门科学。与光学在光学介质中传播规律有很多相似的地方：1、光线通过透镜聚焦，电子束则通过磁场与电场聚焦，磁场与电场是电子束的电子透镜；2、在几何光学中，光线都利用旋转对称面作为折射面；在电子光学中，在旋转对称的电场及磁场产生的等位面作为折射面。3、电子光学可以仿照几何光学把电子束的运动轨迹看作是射线，并引入几何光学参量来表征电子透镜对电子的聚焦成像作用。二、电子光学基础电子光学是研究带电离子在电场与磁场中运动15

电子光学与几何光学相似：聚焦成像：几何光学——利用光学透镜会聚光线电子光学——利用电场、磁场会聚电子束几何光学—利用旋转对称面（如球面）作为折射面电子光学—利用旋转对称电磁场产生的等位面作折射面几何光学—光传播路径——光线——焦点、焦距等表征电子光学—电子运动轨迹——射线——焦点、焦距等表征电子光学与几何光学相似：聚焦成像：几何光学——利用光学透16多功能、综合性：形貌+物相+晶体结构+化学组成选择单光束——衍衬像；短焦距、高放大(100倍)、低像差的强磁透镜。张角最小电子的像落在P'点,物镜+1级中间境+1级投影镜当有许多取向不同的小晶粒，其｛hkl｝晶面簇族符合衍射条件时，则形成以入射束为轴，2θ为半角的衍射束构成的圆锥面，它与屏或底板的线，就是半径为R=Lλ/d的圆环。（与图2－79为同一视域）衬度——电子图像的光强度差别(电子束强度差别)旋转对称的磁场对电子束有聚焦成像作用，产生这种旋转对称磁场的线圈装置。电子波的波长(速度)相同（人眼可分辨最小细节0.样品若含水分、易挥发物质及酸碱等腐蚀性物质，需预先处理（因电镜镜筒需处于高真空状态)。直至最后能量很低，不足以维持此过程为止。聚焦电子束作照明光源：电子枪产生的电子束，经1-2级聚光镜会聚后，均匀地照射试样上的某一待观察的微小区域上。凹谷→二次电子发射少→亮度暗核外电子对入射电子的非弹性散射离子轰击——无机非金属材料（多相多组分非导电材料）日本电子的SEM已达1nm、TEM(200kV)点0.像与物的几何形状不完全相似但由于能量损失不是固定的，其波长是连续变化而无特征波长，称为连续辐射或韧致辐射，不能用来分析，反而会产生连续背底影响分析的灵敏度和准确度。

电镜中电子光学系统的附加限制条件：电子轨迹相对于旋转对称轴斜率极小，即张角很小，一般为10-2~10-3radr——电子径向位置坐标矢量z——旋转对称轴的坐标电子轨迹离轴距离很小，远小于电子束沿轴距离电、磁场与时间无关，且处于真空中，即真空中静场；忽略电子束本身的空间电荷和电流分布；入射电子束轨迹必须满足离轴条件：多功能、综合性：形貌+物相+晶体结构+化学组成17r—分辨率（r小，分辨能力越高）λ—照明光的波长n—透镜所处环境介质的折射率а—透镜孔径半角（°）nsinα—数值孔径用N.A表示

分辨能力（分辨率、分辨本领）：一个光学系统能分开两个物点的能力，数值上是刚能清楚地分开两个物点间的最小距离。（一）、光学显微镜的局限性r—分辨率（r小，分辨能力越高）分辨能力（分辨率、分18可见光作光源，N.A可提高到1.5～1.6--→得r≌λ/2

光学显微镜的极限分辨本领大约是所使用照明光线波长的一半因此光学透镜的分辨本领极限为200nm紫外线（100-400nm）：

λ=275nm，r≌

100nmX射线（0.1-100nm）：难以使之改变方向、折射、聚焦成像电子束：

λ=0.0388~0.00087nmr=0.1nm

电子在电、磁场中易改变运动方向，且电子波的波长比可见光短得多，所以电子显微镜在高放大倍数时所能达到的分辨率比光学显微镜高得多。阿贝定律的意义：减小r值的途径有：

(1)↑N.A，即↑n和α

(2)↓λ

可见光作光源，N.A可提高到1.5～1.6--→得r≌λ19二、电子光学基础（二）、电子的波动性与波长

根据DeBroglie提出的‘运动着的微观粒子具有波粒二象性’的观点，任何运动着的微观粒子也伴随着一个波，这就是物质波或德布罗意波。粒子的能量E与动量P和波长λ、频率ν的关系如下：，。式中h是普朗克常数，h＝6.626×10-34J·S，这与光子与光波的关系是一样的。从晶体对入射电子波的衍射也证实了德布罗意波的观点。电子在电场中得到加速运动，其动能与运动速度v之间的关系为：。在式中，V称为加速电压，m是电子的质量。二、电子光学基础（二）、电子的波动性与波长20二、电子光学基础当加速电压较低时，电子的运动速度很小，它的质量近似于电子的静止质量，由此计算电子的波长为：；把电子的静止质量、电荷与普朗克常数都代入，则。因此，电子的波长与加速电压平方根成反比。当电子加速电压较高时，电子的运动速度很大，电子的质量也变大，须引入相对论校正，则电子波的波长为：，c为光速，把电子的静止质量、电荷与普朗克常数都代入，。一般上，电镜的加速电压为50～200Kv，则电子波长为0.00536～0.00251nm，是可见光的十万分之一，可极大地提高显微镜的分辨率。二、电子光学基础当加速电压较低时，电子的运动速度很小，它21

加速电压(kV)电子波长(nm)加速电压(kV)电子波长(nm)10.0388800.00418100.01221000.0037200.008592000.00251300.006985000.00142500.0053610000.00087

表电子波长（经相对论较正）

比可见光的波长小几十万倍。比结构分析中常用的X射线的波长也小1～2个数量级。

与X射线比较：X射线常用：λ=0.05—0.25nm

电子波常用：λ=0.0025—0.0054nm加速电压(kV)电子波长(nm)加速电压(kV)电子波长(22（三）、电子在电磁场中的运动和电子透镜

———电子光学折射定律1.电子在静电场中的运动2.静电透镜3.电子在磁场中的运动4.磁透镜5.磁透镜与光学透镜的比较6.磁透镜与静电透镜的比较二、电子光学基础（三）、电子在电磁场中的运动和电子透镜———电子光学23二、电子光学基础1、电子在电磁场中的运动电子在静电场受到电场力的作用，产生加速度。从初速度为0的自由电子达到V电位时，电子的运动速度为v＝。当电子的初速度不为0、运动方向与电场方向不在一条直线上时，则电场力不仅改变电子运动的能量，也改变电子运动的方向。一般可以把电场看成由一系列等电位面分割的等电位区构成，当一个初速度为v1的电子e以与等电位面法线成一定角度θ的方向运动时，等电位上方与下方的电位分别为V1、V2，电子在等电位上方与下方的速度分别为v1、v2，运动轨迹为直线。但电子通过等电位面时，在交界点上电子的运动方向发生突变，电子的运动速度也从v1变为v2。

二、电子光学基础1、电子在电磁场中的运动24二、电子光学基础这是因为电场对电子的作用力总是沿着电子所处点等电位面的法线，从低电位指向高电位。所以沿电子所处点的等电位面法线方向电场力的分量为0，电子沿该方向的运动速度保持不变。若电子在等电位面两边的速度分别为v1、v2，与等电位面法线的夹角分别为θ、γ，则有：或假设初始电位点为0，电子的初速度为0，电子经V1、V2加速后的运动速度分别为和二、电子光学基础这是因为电场对电子的作用力总是沿着电子所25二、电子光学基础所以：这与光的折射率中的表达式十分相似，相当于折射率n，这说明电场中等电位面是对电子折射率相同的表面，与光学系统中介质界面的作用相同。当电子由低电位进入较高电位区时，折射角小于入射角，电子的轨迹趋向于法线；反之，电子的轨迹将离开法线。实际上，电场的电位是连续变化的，当△V＝0时，电子的折射轨迹变成曲线轨迹。二、电子光学基础所以：26因此光学透镜的分辨本领极限为200nm电子能量大于EK才有可能产生K系特征X射线，深广度由E＞EK范围决定当电子的初速度不为0、运动方向与电场方向不在一条直线上时，则电场力不仅改变电子运动的能量，也改变电子运动的方向。即：IA与IB存在互补关系，二者反映同样信息：张角最小电子的像落在P'点,轴上像散是影响电镜分辨本领的主要像差之一相互作用体积：扩散作用使电子与物质相互作用不限于电子入射方向，而具有一定体积范围，称~。（a）高放大倍数成像；结构像：反映晶体结构中原子或分子配置情况的波谱仪：4Be～92U②形貌信息：强度互补IB=-IA用X射线谱仪探测并显示X射线谱，根据谱线峰值位置波长(或能量)确定分析点(区域)试样中存在的元素。产生深广度＞二次电子，像分辨率低；分析灵敏度高，分析中可能会引起假象（如制样时引入的杂质灰尘等）形貌差别→倾角差别→二次电子、背散射电子强度差别→衬度。透镜在不同对称面方向的焦距不同电子束与物质相互作用，可以产生背散射电子、二次电子、吸收电子、俄歇电子、透射电子、荧光X射线等各种信号。既复制试样的表面形貌，又把第二相粒子粘附下来并基本保持原分布状态。碳膜经漂洗、晾干即为碳一级复型样品。原理：用光学显微镜或在荧光屏显示的图像上选定需要分析的点，使聚焦电子束照射在该点上，激发该点试样元素的特征X射线。V1θγV2ABv2v1因此光学透镜的分辨本领极限为200nmV1θγV2ABv227二、电子光学基础2、静电透镜一定形状的光学介质面可以使光线聚焦成像，一定形状的等电位面也可以使电子束聚焦成像，产生这种旋转对称等电位曲面族的电极装置称为静电透镜。静电透镜有二极和三极，分别是由两个或三个具有同轴圆孔的电极组成。下图是三极式静电透镜的电极电位、等电位曲面族的形状示意图。二、电子光学基础2、静电透镜28阴极尖端附近的自由电子在阳极作用下获得加速度；控制极附近的电场(推着电子)对电子起会聚作用；阳极附近的电场对电子有“拉”作用，即有发散作用，但因这时电子的速度很大，所以发散作用较小。静电透镜结构——由电极组成●

阴极:零电位●阳极:正电位●控制极:负电位

阴极尖端附近的自由电子在阳极作用下获得加速度；静电透镜结构—29二、电子光学基础从静电透镜主轴上一物点a的散射电子，以直线轨迹向电场运动，当电子射入电场的作用范围并通过等电位面族时，将受到折射，最后被聚焦在轴上一点a’，a’成为a的像。二、电子光学基础从静电透镜主轴上一物点a的散射电子，以直30AB电子在阳极附近，如B点：

F→Fz,Fr(Fr背离对称轴的方向)发散作用。但由于电子的速度已经很大，故发散作用较小。静电透镜——受力分析电子在控制极附近时(A点)：电场强度矢量E垂直于电场等位面，指向电位低的方向，电子受到的作用力F与E的方向相反：

F→Fz,Fr(Fz平行轴,Fr指向轴)电场力使电子向轴靠近，会聚作用。

AB电子在阳极附近，如B点：静电透镜——受力分析电子在控制极31

静电透镜——结论会聚作用大于发散作用：静电透镜总是会聚透镜；静电透镜需要强电场，在镜筒内容易导致击穿和弧光放电：因此电场强度不能太高，静电透镜焦距较长，不能很好的矫正球差；主要用于电子枪中，使电子束会聚成形。在早期的电子显微镜中使用静电透镜，由于电子透镜需要很强的电场，在镜筒内易形成击穿和弧光，因此静电透镜的焦距不能做的很短，不能很好的校正球差。在现代电子显微镜中，除了使用电子枪使电子束汇聚成形外，大多使用磁透镜代替静电透镜。静电透镜——结论会聚作用大于发散作用：静电透镜总是会聚透镜32电子在磁场中运动，受到磁场的作用力—洛仑兹力(左手定则)：电子在磁场中的受力和运动有以下三种情况：平行：电子不受磁场影响；垂直：电子在与磁场垂直的平面做匀速圆周运动；交角θ：电子运动轨迹是一螺旋线。

3.电子在磁场中的运动电子在磁场中运动，受到磁场的作用力—洛仑兹力(左手定则)：电33二、电子光学基础因为洛仑兹力在电荷运动方向上的分量为0，磁场不能改变运动电荷的能量，不改变电荷运动速度的大小。即电子在磁场中运动，仅发生偏转。如图a所示，电子在与磁场垂直的平面内作匀速圆周运动，洛伦兹力起到向心力的作用；当电子的运动速度与磁场方向成一定的夹角θ时，电子的一定速度可分为两个方向的分矢量，平行于磁场方向的分矢量不受任何影响；而垂直于磁场方向的分矢量则作圆周运动，其合成的运动轨迹是一个螺线。二、电子光学基础因为洛仑兹力在电荷运动方向上的分量为0，34

4.磁透镜短线圈磁透镜包壳磁透镜极靴磁透镜特殊磁透镜例如：轴对称磁场系统(通电流的圆柱形线圈)旋转对称的磁场对电子束有聚焦成像作用，产生这种旋转对称磁场的线圈装置。在电子光学系统中用于使电子束聚焦成像的磁场是非均匀磁场，其等磁位面的形状与等电位面或光学透镜的界面相似，4.磁透镜短线圈磁透镜例如：轴对称磁场系统(通电流的圆35

短磁透镜磁场沿轴延伸的范围远小于焦距的透镜，称短磁透镜。通电流的短线圈及带有铁壳的线圈都可以形成短磁透镜：短线圈磁透镜包壳磁透镜短磁透镜磁场沿轴延伸的范围远小于焦距的透镜，称短磁透镜。36凹谷→二次电子发射少→亮度暗§2-4扫描电子显微分析分辨率（分辨能力、分辨本领）；图a:Z1=Z2①磁透镜对电子有旋转作用，所得到的电子光学像相对于物来说旋转了一个角度——磁转角电子枪→电子束（交叉斑为电子源）→聚焦→微细电子束（一定能量、束流强度、束斑直径）；波谱仪：4Be～92U说明：I与ρt(或Qt)有关,即ρt不同将产生衬度原理：用光学显微镜或在荧光屏显示的图像上选定需要分析的点，使聚焦电子束照射在该点上，激发该点试样元素的特征X射线。分辨本领）

（四）扫描电镜的场深透镜在不同对称面方向的焦距不同为提高像衬度和增加立体感——在真空镀膜机中，以某种角度蒸镀ρ大的Cr、Ge、Au、Pt等重金属原子。实际情况与理想条件偏离，造成电子透镜各种像差用X射线谱仪探测这些X射线，得到X射线谱。X射线谱仪处于探测未知元素状态----→得沿扫描线的元素分布图，即该线上包含有哪些元素。②形貌信息：强度互补IB=-IA良好的导电、导热和耐电子束轰击性能；相位衬度和高分辨率像紫外线（100-400nm）：λ=275nm，r≌100nm质厚衬度——非晶态薄膜、复型膜试样二、电子光学基础凹谷→二次电子发射少→亮度暗二、电子光学基础37包壳磁透镜和极靴磁透镜包壳磁透镜和极靴磁透镜38对于短磁透镜：f>0，表明磁透镜总是会聚透镜焦距f与加速电压U有关，加速电压不稳定将使图象不清晰。f∝1/I2：表明当励磁电流稍有变化时，焦距f变化。p为物距，q为像距，f为透镜的焦距；

A是与透镜结构有关的常数(A>0)；

U是加速电压；NI为透镜线包的安匝数；R为线包的半径。对于短磁透镜：f>0，表明磁透镜总是会聚透镜p为物距，q为像39

极靴磁透镜特点：极靴附近磁场很强，对电子的折射能力大，可以使透镜的f变得更短。极靴磁透镜是在包壳磁透镜中再增加一组特殊形状的极靴。一组极靴由具有同轴圆孔的上下极靴和连接筒组成。常用的极靴材料：Fe-Co合金，Fe-Co-Ni合金极靴磁透镜特点：极靴附近磁场很强，对电子的折射能力大，可以40轴向磁场强度分布曲线有极靴的磁透镜的磁场强度比短线圈或包铁壳磁透镜更为集中和增强。短线圈磁场中有一部分磁力线在线圈外侧，它对电子束的聚焦不起作用，因此短线圈磁透镜的磁场强度小，焦距长。轴向磁场强度分布曲线有极靴的磁透镜的磁场强度比短线圈或包铁41

特殊磁透镜特点：焦距很短，约等于透镜磁场的半宽度；球差可比普通磁透镜小一个数量级，有利于提高透镜的分辨本领。单场透镜有的电镜是将试样放在透镜上、下极靴中间的位置，上极靴附近磁场起会聚电子束的作用，下极靴附近磁场起物镜作用，

——单场磁透镜。不对称磁透镜上下极靴的孔径不相同的磁透镜称不对称磁透镜。如用于透射电镜的物镜，上极靴孔要大些，使试样能放在透镜的焦点位置附近，并便于试样的倾斜和移动。扫描电镜中物镜的下极靴孔比上极靴孔大，以便于在其附近安放某些附件。特殊磁透镜特点：焦距很短，约等于透镜磁场的半宽度；单场透42

5.磁透镜与光学透镜的比较③磁透镜场深大（200~2000nm）；焦深长（80cm）

f与（IN）2成反比②磁透镜是可变焦距和可变倍率透镜①磁透镜对电子有旋转作用，所得到的电子光学像相对于物来说旋转了一个角度——磁转角5.磁透镜与光学透镜的比较③磁透镜场深大（200~43虽然静电透镜也是会聚透镜，但现代电子显微镜中几乎都采用磁透镜，用于使电子束聚焦、成像。其主要原因有两点：静电透镜要求高电压，但高压总是危险的！磁透镜的焦距可以做得很短，可获得较高的放大倍数和较小的球差。

6.磁透镜与静电透镜的比较虽然静电透镜也是会聚透镜，但现代电子显微镜中几乎都采用磁透镜44上面讨论的电子透镜的聚焦成像问题有限制条件，即假定：(透镜电磁场)具有理想的轴对称性轨迹满足旁轴条件电子波的波长(速度)相同

实际情况与理想条件偏离，造成电子透镜各种像差像差的存在，影响图像的清晰度和真实性，决定了透镜只具有一定的分辨本领，从而限制了电子显微镜的分辨本领。电子透镜的缺陷上面讨论的电子透镜的聚焦成像问题有限制条件，即假定：电子透镜45像差：图像模糊不清像与物的几何形状不完全相似导致

球差色差轴上像散畸变物面上一点散射出电子束，不能全部会聚在一点物面上的各点不按比例成像于同一平面四、电磁透镜的像差和理论分辨本领像差：图像模糊不清导致球差物面上一点散射出电子束，46像差的存在，影响图像的清晰度和真实性，决定了透镜只具有一定的分辨本领，从而限制了电子显微镜的分辨本领。00087nmr=0.波谱仪：只能探测到λ满足Bragg条件的X射线→对元素逐个分析第二，散射强度高，导致电子穿透能力有限，因而较适用于研究微晶、表面和薄膜晶体。如用于透射电镜的物镜，上极靴孔要大些，使试样能放在透镜的焦点位置附近，并便于试样的倾斜和移动。若能拍摄出金(220)的晶格条纹像，线分辨率就是0.可动态分析（加热、冷却、拉伸等）。在双光束条件下(不考虑吸收)，明场像与暗场像的衬度互补。在待观察试块表面滴一滴丙酮（或醋酸甲酯），在丙酮未完全挥发或被试样吸干之前贴上一块醋酸纤维素塑料膜（简称AC纸），待丙酮挥发后将醋酸纤维素膜揭下——第一级塑料复型既复制试样的表面形貌，又把第二相粒子粘附下来并基本保持原分布状态。短线圈磁场中有一部分磁力线在线圈外侧，它对电子束的聚焦不起作用，因此短线圈磁透镜的磁场强度小，焦距长。完整的晶体薄膜——位错、层错、空间团等；顶插式：上、下极靴间隙较小→球差小→分辨本领高第I聚光镜用短焦距强磁透镜，将电子枪形成的交叉斑缩小几十至上百倍。信号深广度：俄歇电子<二次电子<背散射电子<X射线从静电透镜主轴上一物点a的散射电子，以直线轨迹向电场运动，当电子射入电场的作用范围并通过等电位面族时，将受到折射，最后被聚焦在轴上一点a’，a’成为a的像。入射电子束与试样中原子核发生碰撞时，由于原子核的质量远大于电子的质量，入射电子束产生散射，只改变方向而不改变能量。Auger电子能量一般几十~~几百eV随高压电子束做照明源及用低球差透镜，理论可达0.入射电子束与试样中原子核发生碰撞时，由于原子核的质量远大于电子的质量，入射电子束产生散射，只改变方向而不改变能量。

是由于电磁透镜磁场的近轴区和远轴区对电子束的会聚能力不同而造成的。假设张角最大电子的像落在P''点,张角最小电子的像落在P'点,透镜光阑有一定大小同是P点发出的电子当张角不同时,落在不同点上透镜光阑1.球差

无论像平面在什么位置，都不能得到一清晰的点像，而是一个一定大小的弥散圆斑。像差的存在，影响图像的清晰度和真实性，决定了透镜只具有一定的47正球差—远轴区对电子束的会聚能力比近轴区大。负球差—远轴区对电子束的会聚能力比近轴区小。正球差—远轴区对电子束的会聚能力比近轴区大。48

球差最小弥散圆：在P'P''间某一位置可获得最小的弥散圆斑。M——放大倍数；Cs——球差系数；α——孔径半角球差是电子显微镜最主要的像差之一，它往往决定了显微镜的分辨率。球差几乎是一种无法克服的像差。最小弥散圆半径为：球差最小弥散圆：在P'P''间某一位置可获得最小的弥散圆斑49

几何光学中由于光颜色(波长)不同，经过透镜折射率不同，在不同点聚焦而产生的像差称色差。电子光学中，电子透镜成像也有色差。

加速电压的波动及阴极逸出电子能量的起伏，使得成像电子的波长不完全相同，使透镜的焦距发生变化。这种色差使得一个物点变成为某种散射图形，影响了图像的清晰度。2.色差几何光学中由于光颜色(波长)不同，经过透镜折射率不同，在50

色差：是由于电磁透镜磁场对不同波长的电子的会聚能力不同而造成的。一个物点散射的具有不同波长的电子，进入透镜磁场后将沿着各自的轨迹运动，不能聚焦在一个像点上色差：是由于电磁透镜磁场对不同波长的电子的会聚能力不同51

引起电子束波长（能量）变化的原因：加速电压不稳定，引起电子束能量波动。电子受到一次或多次非弹性散射，致使能量受损。

减小试样厚度利于减小色差。色差最小弥散圆半径：Cc——透镜的色差系数（随激磁电流增大而减小）α——孔径半角ΔE/E——成像电子束能量变化率引起电子束波长（能量）变化的原因：色差最小弥散圆半径：Cc52

由于透镜磁场不是理想旋转对称磁场而引起的像差。实际的透镜磁场不完全旋转对称，只是近似的双对称场场分布有两个互相垂直的对称面（XZ面、YZ面）透镜在不同对称面方向的焦距不同3.轴上像散由于透镜磁场不是理想旋转对称磁场而引起的像差。实际的透镜磁53

物点P在XZ平面上成象于P’’点,在YZ平面上成象于P’点一物点所成像是椭圆斑，图像不清晰产生原因：极靴材料不均匀、加工精度、装配误差、污染等轴上像散是影响电镜分辨本领的主要像差之一电镜配置有消像散器，尽量校正像散最小弥散圆半径：ΔfA——像散引起的最大焦距差物点P在XZ平面上成象于P’’点,在YZ平面上成象于54枕型畸变桶型畸变旋转畸变正方形物球差系数随激磁电流减小而增大低放大倍数时易产生畸变小电流，球差严重4.畸变正球差——枕型畸变负球差——桶型畸变磁转角——旋转畸变枕型畸变桶型畸变旋转畸变正方形物球差系数随激磁电流减小而增大55受衍射效应、球差、色差、轴上像散等因素的影响

理论分辨本领为0.2nm

随高压电子束做照明源及用低球差透镜，理论可达0.1nm仅考虑衍射效应和球差时，电磁透镜的理论分辨本领为A——常数，约0.4~0.5，决定于推导时的不同假设条件。5.电磁透镜的分辨本领受衍射效应、球差、色差、轴上像散等因素的影响理56电子探针（EPMA）高压透射电镜（HTEM）加速电压：500kV以上；在透镜场深范围内，试样各部位均能调焦成像如电镜能拍摄出金(200)的晶格条纹像，该电镜的线分辨率就是0.复型膜材料必须满足以下特点：如图a所示，电子在与磁场垂直的平面内作匀速圆周运动，洛伦兹力起到向心力的作用；反之，电子的轨迹将离开法线。分析灵敏度高，分析中可能会引起假象（如制样时引入的杂质灰尘等）即：IA与IB存在互补关系，二者反映同样信息：比可见光的波长小几十万倍。主要反映试样表面的形貌特征——形貌像；多晶体——晶界、位错及其它界面；电子束与物质相互作用，可以产生背散射电子、二次电子、吸收电子、俄歇电子、透射电子、荧光X射线等各种信号。-→原子序数衬度-→成分分布如果设法引入附加的相位差，使散射波改变π/2位相，则合成波与透射波的振幅就有较大差别，从而产生衬度——相位衬度。（2）衍射衬度的产生原因●控制极:负电位能谱仪：快，几分钟内能把全部能谱显示出来。结构像：反映晶体结构中原子或分子配置情况的（2）高分辨率像的应用五、电磁透镜的场深和焦深1.场深不影响分辨本领的前提下，物平面可沿透镜轴移动的距离(Df)。场深反映：试样在物平面上下移动的距离；试样的允许厚度。电子探针（EPMA）五、电磁透镜的场深和焦深1.场深57

当r=1nmα=10-3~10-2rad时，Df≈200~2000nm在不影响成像分辨率条件下（X<r），场深Df：对于加速电压为100KV的电镜，样品厚度一般控制200nm以下在透镜场深范围内，试样各部位均能调焦成像当r=1nmα=10-3~10-2rad时，Df≈20582.焦深在不影响透镜成像分辨本领的前提下，像平面可沿镜轴移动的距离（Di）。焦深反映：像平面可上下移动的距离。观察屏或照相底片可上下移动的距离及安装位置。2.焦深在不影响透镜成像分辨本领的前提下，像平面可沿镜59

焦深Di：当r=1nmα=10-2radM=2000倍时Di=80cm当用倾斜的观察屏观察，或照相底片位于观察屏下方时，同样可得到清晰的图像。焦深Di：当r=1nmα=10-2radM=20060

小结电子显微分析的内容；电子显微分析的特点；分辨率（分辨能力、分辨本领）；电子波长；电子在电场中的运动、静电透镜、特点；电子在磁场中的运动、磁透镜、特点；电磁透镜的像差和理论分辨率；电磁透镜的场深和焦深。小结电子显微分析的内容；61§2.2电子与固体物质的相互作用电子束与物质相互作用，可以产生背散射电子、二次电子、吸收电子、俄歇电子、透射电子、荧光X射线等各种信号。利用这些信号可以进行透射电镜、扫描电镜、电子探针、俄歇电子能谱、X射线光电子能谱分析。§2.2电子与固体物质的相互作用电子束与物质相互作用，可62

一、电子散射二、内层电子激发后的驰豫过程三、自由载流子四、各种电子信号五、相互作用体积与信号产生的深度和广度一、电子散射63↗热--→

光↘X射线↘二次电子等散射弹性散射非弹性散射只变方向，不变能量既变方向，也变能量散射截面σ(α)：表征原子对电子散射作用的大小一个电子被一个试样原子散射后偏转角等于或大于α角的几率一、电子散射聚焦电子束沿一定方向射入试样时,在原子库仑电场作用下，入射电子方向改变——散射。↗热散射弹性散射非弹性散64原子对电子的散射1.原子核对电子的弹性散射2.原子核对电子的非弹性散射3.核外电子对电子的非弹性散射单电子激发等离子激发声子激发原子对电子的散射1.原子核对电子的弹性散射2.原子核对电65§2.2电子与固体物质的相互作用1、原子核对电子束的弹性散射入射电子束与试样中原子核发生碰撞时，由于原子核的质量远大于电子的质量，入射电子束产生散射，只改变方向而不改变能量。这个模型可由卢瑟福的经典散射模型演示。弹性散射由于其能量等于或接近于入射电子束的能量，是透射电镜中成像和衍射的基础。2、原子核对电子束的非弹性散射当入射电子束运动到原子核附近时，入射电子束还受到原子核库仑力制动而减速，成为非弹性散射。入射电子束的能量损失产生X射线，能量损失越大，X射线波长越短；但由于能量损失不是固定的，其波长是连续变化而无特征波长，称为连续辐射或韧致辐射，不能用来分析，反而会产生连续背底影响分析的灵敏度和准确度。§2.2电子与固体物质的相互作用1、原子核对电子束的弹性66§2.2电子与固体物质的相互作用3、核外电子对入射电子的非弹性散射此时，入射电子束的运动方向改变，且产生能量损失，原子核外电子受到激发。非弹性散射机制主要有：（1）单电子激发，是入射电子与核外电子碰撞，将核外电子激发到空能级或脱离原子核称为二次电子，原子变为离子，这个过程叫电离。二次电子的能量较低，仅在试样表面10nm层内产生、且需要克服电子逸出功才能逸出。他的主要特点是：对试样表面状态非常敏感，显示表面微区的形貌结构非常有效。二次电子像的分辨率非常高，是扫描电镜的主要成像手段。（2）等离子激发，我们可以把晶体看作是点阵固定的正离子与漫散在整个空间的价电子云组成的电中性体，即等离子体。入射电子可引起价电子的集体振荡，在入射电子路径附近产生带正电的区域及在较远区域产生带负电的区域。瞬间破坏晶体局部的电中性，随后正电与负电的区域反复变化，称为价电子的集体振荡。价电子的集体振荡是可离子化的，这种能量量子称为等离子。§2.2电子与固体物质的相互作用3、核外电子对入射电子的67§2.2电子与固体物质的相互作用等离子振荡波长较长，动量小，入射电子激发等离子后一般不会产生大角度散射。（3）声子激发由于晶格振动的能量也是量子化的，称为声子。声子的能量较低，通常的热运动都可以激发声子。声子的波长很小动量较大，当入射电子与声子碰撞时，可看作是电子激发声子或吸收声子的碰撞过程，虽然碰撞后入射电子的能量变化不大，但动量改变大，可以产生大角度散射。§2.2电子与固体物质的相互作用等离子振荡波长较长，动量68Z——试样原子序数E0——入射电子能量r——电子与核的距离Z大,E0小,r0小--→α大散射角1.原子核对电子的弹性散射入射电子运动到核附近，受核散射由于m原子核

》m电子电子只变方向，不变能量——弹性散射(相当于弹性碰撞)Z——试样原子序数散射角1.原子核对电子的弹性散射入射电子69被库仑电势制动而减速2.原子核对电子的非弹性散射入射电子运动到核附近，受核散射，方向改变、能量受损，损失的能量△E→X射线因△E不固定-→X射线波长无特征值，波长连续

——连续辐射或韧致辐射

会在X射线谱上产生连续背底，不能用来进行成分分析被库仑电势制动而减速2.原子核对电子的非弹性散射入射电子运703.核外电子对入射电子的非弹性散射入射电子的运动方向改变，能量受损，原子则受到激发（1）单电子激发（2）等离子激发（3）声子激发3.核外电子对入射电子的非弹性散射入射电子的运动方向改变，能71入射电子与核外电子碰撞，将核外电子激发到空能级或脱离原子核成为二次电子（此过程称为电离）。

电离：入射电子把某个核外电子打出去，成为二次电子，原子变成离子的过程。二次电子的级联过程：入射电子产生的二次电子还有足够能量继续产生二次电子……..直至最后能量很低，不足以维持此过程为止。二次电子信号：试样表面和深处都能产生二次电子，但仅在试样表面10nm层内产生且能克服逸出功的二次电子才有可能逸出成为信号。二次电子特点:能量低:＜50ev

对试样表面状态非常敏感，显示表面微区的形貌结构非常有效。二次电子应用——分辨率较高，是SEM的主要成像手段单电子激发的对象：价电子

原子的核外电子：最外层的价电子——能量高，易被激发——价电子激发使入射电子产生小角度散射内层电子——能量低，激发所需能量大，至少为结合能——产生大角度散射（1）单电子激发——二次电子入射电子与核外电子碰撞，将核外电子激发到空能级或脱离原子72晶体是由正离子和漫散在整个空间的价电子云构成的电中性体可以把晶体看成是等离子体。等离子体：是由正离子、负电子及中性粒子组成的电中性体。当入射电子经过晶体时，在其路径近旁，价电子受排斥而作径向发散运动→则在入射电子路径附近产生带正电的区域

路径较远处为带负电区域电中性被破坏→正、负电区域的静电作用又使负电区域多余的价电子向正电区域运动→当运动超过平衡位置后，负电区变为正电区，再重复上面动作--→如此往复不已这种纵波式的往复振荡是许多原子价电子参加的长程作用，称为价电子的集体振荡。（2）等离子激发：电子入射到晶体中，引起价电子集体振荡，过程如下：晶体是由正离子和漫散在整个空间的价电子云构成的电中性体等离子73振荡的能量ΔEp是量子化的这种能量量子称为等离子。入射电子激发等离子后就要损失能量ΔEp,ΔEp是固定值，且随不同元素而变化——特征能量损失特征能量损失电子：损失了ΔEp能量后的电子。应用：△电子能量损失谱——能量分析电子显微术

△有特征能量的电子成像——能量选择电子显微术振荡的能量ΔEp是量子化的入射电子激发等离子后就要损失能量Δ74（3）声子激发声子：晶格振动的能量也是量子化的，它的能量量子称为声子。入射电子和晶格的作用可以看作是电子激发声子（或吸收声子）的碰撞过程。碰撞后，电子发生大角度散射，能量变化甚微，动量改变可以相当大。（3）声子激发声子：晶格振动的能量也是量子化的，它的能量量子75二、内层电子激发后的驰豫过程前面讲了电子散射，主要从原子核、核外电子两方面讲述了它们对电子能量和方向改变所起到的作用。通常，电子入射到试样中，使价电子激发的几率较大，但也有可能使内层电子激发。二、内层电子激发后的驰豫过程前面讲了电子散射，主要从原子核、76（iB）1<（iB）2f>0，表明磁透镜总是会聚透镜发射系数与试样表面倾角θ有关，θ↗，发射系数↗。B晶粒：某hkl晶面与入射电子束交成精确Bragg角θB产生衍射。二次电子的能量较低，仅在试样表面10nm层内产生、且需要克服电子逸出功才能逸出。化学抛光——半导体、单晶体、氧化物等；↘二次电子等（一）工作原理及特点产生的根本原因是原子内层电子的跃迁。Auger电子能量一般几十~~几百eVX射线谱仪处于探测某已知元素特征X射线状态------→得反映该元素含量变化的特征X射线强度沿试样扫描线的分布。透射电子作为成像信号：电子束与试样作用，试样很薄——透射电子——其强度分布与试样的形貌、组成、结构对应。背散射电子&二次电子&俄歇电子中级透射电镜（三级成像放大系统）当轰击能量大于样品表层原子结合能，表层原子受到氩离子激发而溅射实际情况与理想条件偏离，造成电子透镜各种像差（500kV，λ=0.如用于透射电镜的物镜，上极靴孔要大些，使试样能放在透镜的焦点位置附近，并便于试样的倾斜和移动。如果用物镜光阑把B晶粒hkl衍射束挡掉，只让透射束通过光阑孔进行成像：会在X射线谱上产生连续背底，不能用来进行成分分析俄歇电子发射转为晶格振动驰豫过程辐射跃迁非辐射跃迁特征X射线都具有特征能量可进行成分分析当内层电子被入射电子轰击脱离了原子后，原子处于高度激发状态，它将跃迁回到能量较低状态——驰豫注意“跃迁”：指其他较高能级电子填补内层空穴，而把能量放出一部分，从而使整个原子的能量降下来。（iB）1<（iB）2俄歇电子发射驰豫过程辐射跃迁非辐射77三、自由载流子当高能量的入射电子照射到半导体、绝缘体和磷光体上时，不仅可使内层电子激发产生电离，还可使满带中的价电子激发到导带中去，在满带和导带内产生大量空穴和电子等自由载流子。自由载流子可进一步产生阴极荧光、电子束电导和电子生伏特效应等。三、自由载流子当高能量的入射电子照射到半导体、绝缘体和磷光体781.阴极荧光自由载流子在半导体的局部电场作用下，各自运动到一定的区域（如p-n结）积累起来，形成净空间电荷而产生电位差。2.电子束电导3.电子生伏特高能电子束照射半导体材料，将产生自由载流子，若此时在试样两端建立电位差，自由载流子将向异性电极移动，产生附加电导。是指物质在高能电子束照射下发出可见光（或红外、紫外）的现象。（PP112页图2-15）

1.阴极荧光自由载流子在半导体的局部电场作用下，各自运动到79四、电子与物质相互作用产生的各种电子信号弹性散射电子&弹性背散射电子背散射电子&二次电子&俄歇电子弹性背散射电子单次非弹性背散射电子多次非弹性背散射电子四、电子与物质相互作用产生的各种电子信号弹性散射电子&弹80如前所述“原子核对电子的弹性散射”--→产生弹性散射电子，其能量等于或接近入射电子的能量E0。1.弹性散射电子“初次”电子注意这种电子的涵盖面:只要是电子在入射及传播过程中，发生的散射过程都是弹性的，能量未改变，就都在此定义范围内。从发生弹性散射的次数来说：单次弹性散射电子+多次弹性散射电子只关注次数，不强调它发生弹散后，向什么方向运动（即不关心它是从表面逸出了，还是留下了，还是透射了）从发生弹性散射后，电子最终的去向来说：①一部分的总散射角＞90°，从试样表面逸出

———弹性背散射电子②一部分的方向改变小，在试样中继续传播或从试样另一面透射（总之没有从入射面逸出）——只关注能量如前所述“原子核对电子的弹性散射”--→产生弹性散射电子，812.背散射电子“初次”电子电子射入试样后，将受到原子的弹性和非弹性散射，就要改变运动方向。经历数次方向改变后，一部分电子的总散射角＞90°，重新从试样表面逸出，称~~~。从定义来看，只要是受到试样散射后，从试样表面逸出的，就统统划归为背散射电子，而并不考虑这些电子的散射经历，比如：经过多少次碰撞？所发生的碰撞是弹性的还是非弹性的？最后返回到入射方向的电子能量是否有损失？损失多少？等等………背散射电子①弹性背散射电子：能量接近或等于E0，△E=0②单次非弹性背散射电子：能量损失，但只损失一次，E与E0相差不多，△E小③多次非弹性背散射电子：能量损失，且损失多次，E与E0相差多，△E大且随次数n不同，△E不同，E不同（是变量）——只关注方向2.背散射电子“初次”电子电子射入试样后，将受到原子的弹性82在背散射电子中，E≈E0的弹性背散射电子最多，其次是E稍小的单次非弹，多次非弹非常少。因此实际在试样上方接收到的背散射电子是能量接近于E0的弹性背散射电子占主导地位。背背背背在背散射电子中，E≈E0的弹性背散射电子最多，其次是E稍小的83

特点：背散射电子的产额随原子序数Z的增大而增大背散射电子图像的衬度与成分密切相关背散射电子像——元素的定性分布情况

应用：

SEM和电子探针仪特点：应用：84二次电子是“单电子激发”过程中被入射电子轰出的试样原子的核外电子。3.二次电子“二次”电子级联过程二次电子信号：在试样表面10nm层内产生且能克服逸出功的电子谱中，探测器只能探测不同能量电子的数目，而并不能把能量相近的二次电子和背散射电子区分开。习惯上＜50ev，当成真正的二次电子＞50ev，归入背散射电子特点及应用：二次电子像分辨率高，是SEM主要成像信号。二次电子是“单电子激发”过程中被入射电子轰出的试样原子的核外854.特征X射线产生的根本原因是原子内层电子的跃迁。化学元素有特定波长特征X射线——成分分析应用：SEM（增加X射线谱仪附件）4.特征X射线产生的根本原因是原子内层电子的跃迁。865.俄歇电子属于“二次”电子类别原子内壳层电子被打出后，内层出现空位，当较外层电子填补时，能量传给另一外层电子，使它被打出去——双电离。Auger电子仅在表面1nm层内产生Auger电子能量一般几十~~几百eV特点及应用：Auger电子对表面微量元素有很高的灵敏度，且分析速度快，可进行定性分析、定量分析、表面状态分析。“二次”电子5.俄歇电子属于“二次”电子类别“二次”电子876.特征能量损失电子“等离子激发”后，损失了特征能量ΔEP后的入射电子应用：TEM

电子能量损失谱——能量分析电子显微术“初次”电子6.特征能量损失电子“等离子激发”后，损失了特征能量ΔE88当试样厚度小于入射电子的穿透深度时，入射电子将穿透试样，从另一表面射出，称为透射电子。7.透射电子是TEM的成像电子若试样较薄（10-20nm）——透射电子主要是弹性散射电子——成像比较清晰，电子衍射斑点较明锐若试样较厚（但仍小于穿透深度）——透射电子包含大量非弹性散射电子，且能量是变量——由于色差，成像模糊当试样厚度小于入射电子的穿透深度时，入射电子将穿透试样，从另89入射电子经多次非弹性散射后，能量耗尽，不再产生其他效应，称被试样吸收，这种电子称吸收电子。8.吸收电子连接纳安表——测试样吸收电子产生的吸收电流。试样厚度越大，密度越大，原子序数Z越大，吸收电子越多，吸收电流越大。应用：SEM和电子探针仪可得原子序数不同的元素的定性分布入射电子经多次非弹性散射后，能量耗尽，不再产生其他效应，称被90五、相互作用体积与信号产生的深度和广度扩散：入射电子射入固体试样，经多次散射后，完全失掉方向性，即各方向散射几率相等，称为~。相互作用体积：扩散作用使电子与物质相互作用不限于电子入射方向，而具有一定体积范围，称~。蒙特一卡洛电子弹道模拟技术显示1.相互作用体积五、相互作用体积与信号产生的深度和广度扩散：入射电子射入固体91

试样原子序数：轻元素试样，相互作用体积呈梨形重元素试样，相互作用体积呈半球形入射电子能量：能量↗，体积↗，但形状基本不变电子束入射方向：倾斜入射，试样表面处相互作用体积横向尺寸增加2.相互作用体积形状和大小的影响因素：相互作用体积形状和大小决定各种物理信号产生的深度和广度试样原子序数：轻元素试样，相互作用体积呈梨形2.相互作92信号深广度：俄歇电子<二次电子<背散射电子<X射线信号深广度：俄歇电子<二次电子<背散射电子<X射93背散射电子：可从试样深处射出广度比入射束直径大分辨率低俄歇电子:仅在表面1nm层内产生，适用于表面分析二次电子:在表面10nm层内产生，表面分析，分辨率高基本还按入射方向前进广度与入射束直径相当X射线：信号产生的深广度最大分辨率更低电子能量大于EK才有可能产生K系特征X射线，深广度由E＞EK范围决定原子核对电子非弹性散射产生的，E＞0就可能发生，因此产生范围比前者大由特征X射线和连续辐射激发的次级特征辐射，X射线强穿透，因此产生范围更大3.各种物理信号产生的深度和广度连续辐射：特征X射线：X光荧光：背散射电子：可从试样深处射出俄歇电子:仅在表面1nm层内产94

小结

原子核对电子弹性散射的特点、应用；二次电子、特点；特征能量损失电子；内层电子激发后的驰豫过程；自由载流子、阴极荧光、电子束电导和电子生伏特；各种电子信号：试样上方接收的电子信号（背散射电子）、透射电子、吸收电子；各种信号产生的深度和广度。小结原子核对电子弹性散射的特点、应用；95电子显微镜的发展简史：1924年，德布罗意发现电子波的波长可以比可见光短十万倍1926年，Busch指出：轴对称非均匀磁场能使电子波聚焦1932-1933年克诺尔(KnollM.)和鲁斯卡(Ruska

E.)在德国制作了第一台透射电镜TEM（TransmissionElectronMicroscope）1939-1940年，商品电子显微镜问世，进入实用阶段。德国西门子公司生产了分辨本领优于10nm的商品电子显微镜。我国1959年开始制造电镜。现代透射电镜的放大倍数可以达到200万倍以上，其分辨本领已经达到原子大小的水平。§2-3透射电子显微分析电子显微镜的发展简史：1924年，德布罗意发现电子波的波长可96OutlineofTEM：分辨率高放大倍数高照明源为聚焦电子束成像信号为透射电子试样为薄膜（几十到几百nm）OutlineofTEM：分辨率高97工作原理：聚焦电子束作照明光源：电子枪产生的电子束，经1-2级聚光镜会聚后，均匀地照射试样上的某一待观察的微小区域上。透射电子作为成像信号：电子束与试样作用，试样很薄——透射电子——其强度分布与试样的形貌、组成、结构对应。透射出的电子经一系列透镜放大投射到荧光屏上。荧光屏把电子强度分布转变为可见光强度分布

———图像（阴极射线发光过程）工作过程概括：

①电子枪发出电子束→②经会聚透镜会聚→③照射并穿透试样→④经物镜成像→⑤中间镜投影镜放大→⑥电子显微像(屏或底片)工作原理：聚焦电子束作照明光源：电子枪产生的电子束，经1-298一、透射电子显微镜（TEM）

分辨本领高并且能够作电子衍射一、透射电子显微镜（TEM）分辨本领高并且能够作电子衍射99（一）透射电镜的结构光学成像系统真空系统电气系统（一）透射电镜的结构光学成像系统100光学成像系统——又称镜筒1.照明部分2.成像放大系统3.图像观察记录部分4.样品台光学成像系统——又称镜筒1.照明部分1011.照明部分

发叉式钨丝阴极三级电子枪(1)电子枪

(2)聚光镜(1)电子枪——产生电子束LaB6阴极电子枪场发射电子枪用于超高压电镜（>1000kV），亮度大，能量分散性小，有利于提高分辨率。1.照明部分发叉式钨丝阴极三级电子枪(1)电子枪

(2)102

发叉式钨丝阴极三级电子枪相当于阴极(发叉式热钨丝)

、栅极(控制极)和阳极组成的静电透镜发叉式钨丝阴极三级电子枪示意图阴极加负高压（-50~200KV）

阳极接地（0电位）控制栅极加比阴极负几百~几千伏的偏压其电位大小决定了阴极和阳极之间等电位面的分布和形状，从而控制阴极的电子发射电流电子枪交叉点：由阴极发射的发散电子束受到电场径向分量的作用，会聚，通过一最小截面，此处电子密度最高，称~~~。是电镜的实际电子源。发叉式钨丝阴极三级电子枪发叉式钨丝阴极三级电子枪示意图阴103

磁透镜中级透射电镜—单聚光镜

电子束斑直径与交叉斑直径相当，易造成试样热损伤和污染高级透射电镜—双聚光镜单聚光镜和双聚光镜工作原理比较(2)聚光镜——将电子束会聚，照射在试样上第I聚光镜用短焦距强磁透镜，将电子枪形成的交叉斑缩小几十至上百倍。第II聚光镜用长焦距弱磁透镜，调节孔径角和亮度。其与试样间有较大空间，以便放置试样台、测角台及其他附件。磁透镜单聚光镜和双聚光镜工作原理比较(2)聚光镜——将电子1042.成像放大系统

物镜+1～2级中间境+1～2级投影镜中级透射电镜（三级成像放大系统）物镜+1级中间境+1级投影镜高级透射电镜（多级成像放大系统）物镜+2级中间境+2级投影镜2.成像放大系统物镜+1～2级中间境+105

物镜（磁透镜）第一级放大镜；形成一次电子图像及电子衍射谱

其分辨率对整个成像系统的分辨率影响最大；短焦距、高放大

(100倍)、低像差的强磁透镜。

试样放在物镜的前焦面附近，可得到放大倍率高的图象。中间境（磁透镜）

长焦距、可变倍数(0～20倍)的弱磁透镜。投影镜（磁透镜）将中间镜像进一步放大，并投影到屏或底片上；短焦距、高放大倍数(100倍)的强磁透镜。消像散器：类似于用散光镜来矫正人眼的散光缺陷圆柱弱磁场，校正透镜磁场不对称性，消除像散。其他：第一中间镜又称为衍射镜样品室、物镜光阑限制物镜的孔径角，增加图象的反差、衍射光阑等物镜（磁透镜）消像散器：类似于用散光镜来矫正人眼的散光缺陷106消像散器：类似于用散光镜来矫正人眼的散光缺陷圆柱弱磁场，校正透镜磁场不对称性，消除像散。其他：第一中间镜又称为衍射镜样品室、物镜光阑限制物镜的孔径角，增加图象的反差、衍射光阑等消像散器：类似于用散光镜来矫正人眼的散光缺陷107

图2－26成像光路（a）高放大倍数成像；（b）中放大倍数成像；（C）低放大倍数成像图2－26成像光路1083.图像观察记录部分——观察、拍摄经成像放大的电子图像(1)荧光屏——观察（电子强度→光强分布，可倾斜和翻起）

(2)照像盒——记录（荧光屏翻起时，电子束直接照射底片使之感光）

(3)望远镜——放大5-10倍，观察更小细节和精确聚焦4.样品台——承载样品平移、旋转、倾斜顶插式：上、下极靴间隙较小→球差小→分辨本领高

倾斜角度达20°,倾斜过程中观察点的像稍有位移侧插式：上、下极靴间隙较大→球差大→分辨本领差

倾斜角度达60°,倾斜过程中观察点的像稍不位移3.图像观察记录部分——观察、拍摄经成像放大的电子图像(1109镜筒内：10-4～10-6Torr（1mmHg）若电子枪中存在气体，会产生气体电离和放电避免炽热阴极灯丝受到氧化而烧断避免电子与气体分子相碰撞而散射及污染样品电子枪高压稳压电源；磁透镜稳压稳流电源；电气控制电路。真空系统电气系统镜筒内：10-4～10-6Torr（1mmHg）真空系统电气110（二）透射电镜的主要性能指标

1.分辨率：点分辨率：0.23～0.25nm

线分辨率：0.104～0.14nm

（人眼可分辨最小细节0.1mm.常配长工作距离立体显微镜,将细节进一步放大）2.放大倍数：100倍～80万倍～200万倍

3.加速电压：指电子枪阳极对阴极的电压，决定电子波波长

加速电压高，电子束穿透能力强，可观察厚试样，利于分辨率普通电镜：100～200KV；材料研究工作：200KV适宜（二）透射电镜的主要性能指标1.分辨率：点分辨率：0.2111点分辨率：

定义：电子图像上刚能分辨开的相邻两点在试样上的距离。测量方法：在照片上量出两个斑点中心之间的距离，除以图像的放大倍数。点分辨率：定义：112线分辨率指电子图像中能分辨出的最小晶面间距，也称晶格分辨率。如金(200)晶面的间距是0.204nm(220)晶面的间距是0.144nm0.144nm0.204nm如电镜能拍摄出金(200)的晶格条纹像，该电镜的线分辨率就是0.204nm，若能拍摄出金(220)的晶格条纹像，线分辨率就是0.144nm。线分辨率指电子图像中能分辨出的最小晶面间距，也称晶格分辨率。113二、透射电镜样品制备厚度要薄到电子束可以穿透。具体视加速电压大小和样品而异（100kV，100nm左右）。100～200nm，甚至几十纳米。样品若含水分、易挥发物质及酸碱等腐蚀性物质，需预先处理（因电镜镜筒需处于高真空状态)。化学性质稳定、并有一定的机械强度，在电子轰击下不致损坏或变化。非常清洁。(一)要求:二、透射电镜样品制备厚度要薄到电子束可以穿透。具体视加速电114经悬浮分散的超细粉末颗粒

——直接试样经减薄的材料薄膜

——直接试样复型方法复制的复型膜

——间接试样(二)制备方法——主要有三种样品类型经悬浮分散的超细粉末颗粒——直接试样(二)制备方法——115②支持膜：粉末颗粒一般远小于铜网孔，先制备对电子束透明支持膜

火棉胶膜、碳膜、碳加强的火棉胶膜

1.粉末样品制备圆孔方孔φ2～3mm①样品分散：超声波振荡→

悬浮液③干燥或用滤纸吸干④蒸碳膜⑤重金属投影为提高像衬度和增加立体感——在真空镀膜机中，以某种角度蒸镀ρ大的Cr、Ge、Au、Pt等重金属原子。②支持膜：粉末颗粒一般远小于铜网孔，先制备对电子束透明支持1162.薄膜样品制备

超薄切片——生物试样；电解抛光——金属材料；化学抛光——半导体、单晶体、氧化物等；

离子轰击——无机非金属材料（多相多组分非导电材料）2.薄膜样品制备超薄切片——生物试样；117离子轰击减薄原理：按预定取向切割成薄片再经机械减薄抛光等预减薄至30～40um的薄膜薄膜钻取或切取成尺寸为2.5～3mm的小片→离子轰击减薄高真空中两个相对的冷阴极离子枪，提供高能量Ar离子流以一定角度对旋转样品的两面轰击。当轰击能量大于样品表层原子结合能，表层原子受到氩离子激发而溅射经较长时间连续轰击、溅射，最终样品中心穿孔。穿孔后的样品在孔边缘处极薄，对电子束是透明的——薄膜样品。离子轰击减薄原理：按预定取向切割成薄片高真空中两个相对118离子轰击减薄装置示意图离子轰击减薄的薄膜样品断面试样离子枪阴极离子枪阳极电离室离子轰击减薄装置示意图离子轰击减薄的薄膜样品断面试样离子枪阴1193.复型样品的制备复型：用对电子束透明的薄膜把材料表面或断口的形貌复制下来，称为~~。常用复型方法：碳一级复型塑料-碳二级复型萃取复型3.复型样品的制备复型：用对电子束透明的薄膜把材料表面或断口120

本身是“非晶”的，在高倍成像时，也不显示其本身的任何结构细节；对电子束足够透明；具有足够的强度和刚度，在复制过程中不致破裂或畸变；良好的导电、导热和耐电子束轰击性能；分子尺寸应尽量小，以利于提高复型的分辨率，更深入地揭示表面形貌的细节特征。常用的复型材料是非晶碳膜和各种塑料薄膜复型膜材料必须满足以下特点：本身是“非晶”的，在高倍成像时，也不显示其本身的任何结构细121

(1)碳一级复型

在试样待观察面垂直蒸镀一层厚10～30nm碳膜（针尖划成2mm见方小块），然后慢慢浸入对试样有轻度腐蚀作用的溶液中，使碳膜与试样分离，漂浮于液面。碳膜经漂洗、晾