LED术语名词解释

LED术语名词解释色温（colortemperature）指用黑体（理论上可完全吸收外来光的虚拟物体）的温度表示光的颜色的数值。单位为K（开尔文）。黑体发出光的波长分布（色调）因温度而异。色温常用于表示荧光灯和白色LED的光色，及显示器可显示的白色的程度。一般来说，色温低时看上去发红，色温高时g主发青以白色LED为例，结合使用蓝色LED芯片和黄色荧光体的一般品种（平均演色性指数Ra为70以上）多为色温在6000K以上的昼光色，而追加红色荧光体等红色光的灯泡色LED的色温多在3000K以下。改进与蓝色LED芯片组合的荧光体的光色，还可获得4000K以上和5000K以上等色温。色温可依照明器具的设置场所分别使用。例如，办公室等最好设置与太阳光接近、色温较高的照明器具，而一般家庭和饭店等大多喜欢采用与白炽灯接近、色温较低的照明器具。09：00101112：00131409：00101112：00131415：00161718：00192021：002223照度800IX700IX4000K600IX500IX3000K400IX光效下降现象（LEDdroop）输入电力（w）(专)朔网阳抑制“光效下降现象”输入电力（w）(专)朔网阳光效下降现象是指，向芯片输入较大电力时LED的发光效率反而会降低的现象。作为有助于削减单位光通量成本的技术，各LED厂商都在致力于抑制光效下降现象。如果能抑制该现象，使用相同的芯片，在输入较大的电力时会增加光通量。因此，可减少用于获得相同光通量的芯片数，从而削减单位光通量的成本。美国飞利浦流明(PhilipsLumiledsLighting)等很早就开始研究如何抑制光效下降现象。现在，日亚化学工业和德国欧司朗光电半导体(OSRAMOptoSemiconductorsGmbH)等众多LED厂商也开始倾力研究。各LED厂商打算把在输入电流1人，输入功率3W时明显出现光效下降现象的电流和功率的领域扩大约3倍。照明综合效率(lampandauxiliaryefficacy)照明的全光通量与器具整体耗电量的比值。一般情况下，由于LED照明会受到电源损失和温度上升的影响，因此照明器具整体的发光效率(综合效率)要比LED单体的发光效率低30〜50%。以白色LED为例，LED照明器具的综合效率低于LED单体发光效率的理由如下。首先，将白色LED用于照明器具时，发光效率多会降得比白色LED的目录值还要低。这是由于目录值多为输入脉冲状电流，LED的发光部分(活性层)的温度几乎不上升的理想状态下的发光效率。但照明器具多在向LED输入固定电流的状态下使用，实际上活性层的温度会上升。考虑到这种情况，发光效率会降低约20%。另外，在将交流电转换为直流电、向LED供电的电源转换电路上，功率会降低10〜15%左右。照明器具中设置有反射板和透镜，以使光线射向希望的方向，这一过程中会损失近10%的光线。将这些加在一起，照明器具整体的发光效率与只有光源的目录值相比会降低40%左右。效率(Irn/W)照明器具效率超过荧光灯发光效率(luminousefficacy)评测光源效率的指标，用光源发出的光通量(lm)与向光源输入的电力(W)之比表示。单位为lm/W。最近，白色LED的发光效率超过了100lm/W。作为有望继白炽灯和荧光灯之后成为新一代光源的白色LED，其发光效率能否达到与直管型荧光灯的综合效率相同的100lm/W备受关注。发光效率只表示光源的效率，与将光源安装到照明器具上后器具的整体效率（综合效率）是不同的概念。发光效率是将外部量子效率用视觉灵敏度（人眼对光的灵敏度）来表示的数值。外部量子效率是发射到LED芯片和封装外的光子个数相对于流经LED的电子个数（电流）所占的比例。组合使用蓝色LED芯片和荧光体的白色LED的外部量子效率，是相对于内部量子效率（在LED芯片发光层内发生的光子个数占流经LED芯片的电子个数（电流）的比例）、芯片的光取出效率（将所发的光取出到LED芯片之外的比例）、荧光体的转换效率（芯片发出的光照到荧光体上转换为不同波长的比例）以及封装的光取出效率（由LED和荧光体发射到封装外的光线比例）的乘积决定。在发光层产生的光子的一部分或在LED芯片内被吸收，或在LED芯片内不停地反射，出不了LED芯片。因此，外部量子效率比内部量子效率要低。发光效率为100lm/W的白色LED，其输入电力只有32%作为光能输出到了外部。剩余的68%转变为热能。今后3年将提高100lm/W发光效率在2003年之前一直以每年数lm/W的速度缓慢提高。在提高发光效率时，最初未改变荧光体和封装，而是致力于改进芯片技术。具体而言，进行了诸如改善蓝色LED芯片所使用的GaN类半导体结晶的MOCVD结晶成长技术等。从2004年开始，发光效率以每年10〜20lm/W的速度提高。由此，从2004年的50lm/W到2008年的100lm/W，4年间提高了50lm/W。这种速度的实现，借助了将原来聚集于成膜技术的芯片技术改进扩展至了整个LED制造工艺那样的重大调整。另外，除了改进芯片技术外，还开始对荧光体进行改善。发光效率与损耗外延生长（epitaxialgrowth）在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和**的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的VPE（气相生长）法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的LPE（液相生长）法等。蓝色LED、白色LED以及蓝紫色半导体激光器等GaN类发光元件一般采用VPE法之一的MOCVD（MetalOrganicChemicalVaporDeposition）法进行生产。MOCVD采用有机金属气体等作为原料。蓝色LED在蓝宝石基片和SiC基片上，蓝紫色半导体激光器在GaN基片上使用MOCVD装置使得GaN类半导体层形成外延生长。“404专利”的内容“404专利”的内容由于惰性气体的影响，原料气体的流向向下变化原料气体(三甲基镣和NH3等)的流向量子阱(quantumwell)利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低，因此形成了势阱(量子阱)。在LED和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。重叠多层量子阱的构造被称为多重量子阱(MQW：multiquantumwell)。(a)MIS构造金属电极(a)MIS构造金属电极i型GaN'电极11型GaN蓝宝石底板(b)MQW构造p型电极p型GaNp型A!X3al-XNj「多里最子阱nSAlXGal-XN—-—•n型电极nSGaN蓝宝石底板GaN类蓝色发光二极管的构造变迁.为采用MIS(metal-insulator-semiconductor)构造的蓝色LEd为采用多重星子阱(MQW:multiquantumwell)构造的蓝色LED。GaN类蓝色发光二极管的构造变迁蓝色LED等是通过改良量子阱构造等GaN类结晶层的构造取得进展的。GaN类LED在成为MIS(metal-insulatorsemiconductor)构造，pn接合型双异质结构造，采用单一量子阱的双异质结构造以及采用多重量子阱的双异质结构造的过程中，其亮度和色纯度得到了提高。采用MIS构造的蓝色LED在还没