高电压技术习题

高电压技术习题1.原子吸收能量较小时，会发生（）现象_________________________________(答案：激发)2.原子吸收能量较大时，会发生（

）现象_________________________________(答案：游离)3.气体带电质点的来源包括：气体本身游离(正确答案)杂质金属表面游离(正确答案)放电4.空气在正常情况下（）很小，为良绝缘体。A、G(正确答案)B、CC、RD、X5.气体间隙上的（）过高时，气体会由绝缘状态装变为良导体，这种现象称为气体击穿。A、U(正确答案)B、IC、PD、Q6.气体放电方式包括：A、辉光(正确答案)B、电晕(正确答案)C、火花(正确答案)D、电弧(正确答案)7.气体分子本身发生游离的方式有：A、光游离(正确答案)B、碰撞游离(正确答案)C、热游离(正确答案)D、激发8.碰撞游离的碰撞主体是______和______。空1答案：电子空2答案：气体分子9.什么样的质点不容易发生碰撞？A、尺寸小(正确答案)B、尺寸大C、质量大D、质量小10.光子的来源包括：______、______、______。空1答案：外界空2答案：反激发空3答案：符合11.热游离是______和______的综合空1答案：碰撞游离空2答案：光游离12.气体的击穿击穿过程，分为几类？A、均匀电场、小δd(正确答案)B、均匀电场、δd较大(正确答案)C、不均匀电场、长间隙(正确答案)D、不均匀电场、短间隙(正确答案)13.均匀电场、小δd间隙的击穿，我们用汤逊理论解释，击穿过程主要发生了哪些现象？A、碰撞游离(正确答案)B、负极表面游离(正确答案)C、热游离D、电解14.什么是电子崩？_________________________________15.电子崩向前发展过程中，正离子可以看作A、静止不动(正确答案)B、匀速向前C、加速运动D、自由运动16.什么是放电？A、自由带电质点定向运动(正确答案)B、电流(正确答案)C、电压D、自由电荷定向运动(正确答案)17.均匀电场、小δd间隙的击穿理论中，δ代表______。空1答案：气体密度18.均匀电场、小δd间隙的击穿理论中，d代表______。空1答案：间隙距离19.巴申定律与汤逊理论的关系是什么？_________________________________20.汤逊理论适用范围是δdA、小于26mm(正确答案)B、大于26mmC、等于26mmD、不等于于26mm21.对于均匀电场、较大δd间隙的击穿，我们用______解释。空1答案：流注理论22.均匀电场、较大δd间隙，其被击穿的主要因素是______和______。空1答案：碰撞游离空2答案：空间光游离23.均匀电场中，放电一旦发生______，气体就会击穿。空1答案：自持24.流注理论中，电场为什么畸变？A、电子崩产生大量的空间电荷(正确答案)B、电场不均匀C、受到外界干扰D、先导25.流注理论中，崩头前方电场（）A、增强(正确答案)B、减小C、不变26.流注理论中，正负电荷交界处的电场（）A、增强B、减小(正确答案)C、不变27.流注理论中，崩尾前方电场（）A、增强(正确答案)B、减小C、不变28.气体间隙上的（）过高时，气体会由绝缘状态装变为良导体，这种现象称为气体击穿。A、U(正确答案)B、IC、PD、Q29.流注形成前，会出现A、主电子崩(正确答案)B、二次电子崩(正确答案)C、初始电子崩(正确答案)D、先导电子崩30.二次崩头部的电子进入主电子崩头部后，大多成为负离子，上述情形出现的原因是：A、E很大(正确答案)B、E很小C、E畸变(正确答案)D、电子运动速度快、自由行程长31.流注是A、等离子体(正确答案)B、电子崩的头部C、电子崩的尾部D、内部正负离子大致相等(正确答案)32.流注内部A、E很大B、G很大(正确答案)C、ε很大D、内部正负离子大致相等(正确答案)33.反激发和复合产生的光子，是否一定引起光游离？A、是B、否(正确答案)34.流注头部是A、二次崩留下的正电荷(正确答案)B、二次崩留下的负电荷C、二次崩留下的电子D、二次崩产生的全部电荷35.流注前方的电场被增强的原因是A、二次崩留下的正电荷(正确答案)B、电场畸变(正确答案)C、新的二次崩D、其他36.流注发展的主要因素是A、流注前方新的二次崩(正确答案)B、流注后方新的二次崩C、流注内部新的二次崩D、其他37.流注接近负极时，流注通道炽热，发生热游离，最终击穿时看到A、火花(正确答案)B、电弧(正确答案)C、电晕D、辉光38.从正极向负极发展的流注称为A、正流注(正确答案)B、负