“模拟电路知识点复习总结”教案讲义课件

（Excellenthandouttrainingtemplate）模拟电路知识点复习总结（Excellenthandouttrainingte1湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第一章绪论湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第一章一、放大电路的表示方法

放大电路主要用于放大微弱的电信号，输出电压或电流在幅度上得到了放大。放大电路为双口网络，即一个信号输入口和一个信号输出口。1.2放大电路基本知识一、放大电路的表示方法放大电路主要用于放大微弱的电1.放大倍数(增益)——表征放大器的放大能力根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的要求，放大器可分为四种类型，所以有四种放大倍数的定义。1.3放大电路的主要技术性能指标1.放大倍数(增益)——表征放大器的放大能力根据放大电路输入（1）电压放大倍数定义为:AU=UO/UI（2）电流放大倍数定义为:AI=IO/II

（3）互阻增益定义为:Ar=UO/II（4）互导增益定义为:Ag=IO/UI（1）电压放大倍数定义为:AU=UO/UI2.输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的等效电阻，决定了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。输入电阻：Ri=ui/ii一般来说，Ri越大越好。（1）Ri越大，ii就越小，从信号源索取的电流越小。（2）当信号源有内阻时，Ri越大，ui就越接近uS。输入端iiuiRiuSRS信号源Au输出端2.输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的等效电阻，决定3.输出电阻Ro——从放大电路输出端看进去的等效电阻。决定了放大电路带负载的能力。输出端Rou’o输出端Au~uS3.输出电阻Ro——从放大电路输出端看进去的等效电阻

输出电阻是表明放大电路带负载的能力，Ro越小，放大电路带负载的能力越强，反之则差。

0,.o.ooSL==∞=URI’U’R

输出电阻的定义：输出电阻是表明放大电路带负载的能力，Ro越4.通频带通频带：fBW=fH–fL放大倍数随频率变化曲线——幅频特性曲线fAAm0.7AmfL下限截止频率fH上限截止频率

3dB带宽4.通频带通频带：fBW=fH–fL放大倍数随频率变化曲线湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第二章运算放大器湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第二章o+Uo(sat)-Uo(sat)实际特性理想特性u+-u-开环电压放大倍数高(104-107)；输入电阻高（约几百KΩ）；输出电阻低（约几百Ω）；漂移小、可靠性高、体积小、重量轻、价格低。电压传输特性Vo=Avo(vp-vN)o+Uo(sat)-Uo(sat)实际特性理想特性u+-3）开环输出电阻ro→02）差模输入电阻rid→∞4）共模抑制比KCMRR→∞理想运放及其分析依据

理想化条件：1）开环电压放大倍数Auo→∞理想运算放大器＋－＋－＋－＋－Avo(vp-vN)VpvNvo3）开环输出电阻ro→02）差模输入电阻rid→∞

理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性，这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为了保证线性运用，运放必须在闭环(负反馈）下工作。

理想运算放大器的特性

(1)虚短由于运放的电压放大倍数很大，而运放的输出电压是有限的，一般在10

V～14

V。因此运放的差模输入电压不足1

mV，两输入端近似等电位，相当于“短路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。

“虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，这一特性称为虚假短路，简称虚短。显然不能将两输入端真正短路。理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性，这两个特

(2)虚断

由于运放的差模输入电阻很大，一般都在1

M以上。因此流入运放输入端的电流往往不足1

A，远小于输入端外电路的电流。故通常可把运放的两输入端视为开路，且输入电阻越大，两输入端越接近开路。“虚断”是指在分析运放处于线性状态时，可以把两输入端视为等效开路，这一特性称为虚假开路，简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。下面举两个例子说明虚短和虚断的运用。(2)虚断由于运放的差模输入电阻很大，一般都几种常见的基本运算电路反相比例运算同相比例运算电压跟随器加法电路减法电路积分电路几种常见的基本运算电路反相比例运算3二极管及其基本电路3.1半导体的基本知识3.3半导体二极管3.4二极管基本电路及其分析方法3.5特殊二极管3.2PN结的形成及特性3二极管及其基本电路3.1半导体的基本知识3.3半3.1.4杂质半导体

在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。

P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。3.1.4杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量3.2.1载流子的漂移与扩散漂移运动：由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。扩散运动：由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。3.2.1载流子的漂移与扩散漂移运动：扩散运动：在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:因浓度差

空间电荷区形成内电场

内电场促使少子漂移

内电场阻止多子扩散

最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区3.2.2PN结形成在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型

PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。

由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。3.2.3

PN结的单向导电性PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散PN结V-I特性表达式其中PN结的伏安特性IS——反向饱和电流VT

——温度的电压当量且在常温下（T=300K）PN结V-I特性表达式其中PN结的伏安特性IS——反向饱当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。热击穿——不可逆雪崩击穿齐纳击穿电击穿——可逆3.2.4PN结的反向击穿当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速一、PN结的伏安方程反向饱和电流10-8---10-14A温度的电压当量电子电量玻尔兹曼常数1.38*10-23J/K当T=300(27C)：VT

=26mV

3.3.2二极管的伏安特性一、PN结的伏安方程温度的电子电量玻尔兹曼常数1.38*1二、二极管的伏安特性OuD/ViD/mA正向特性Vth死区电压iD

=0Vth=

0.5V

0.1V(硅管)(锗管)VVthiD急剧上升0V

Vth

VD(on)

=(0.60.8)V硅管

0.7V(0.20.4)V锗管

0.3V反向特性ISV(BR)反向击穿︱V(BR)

︱>︱V︱

>0

iD=IS<0.1A(硅)几十A

(锗)︱V︱>

︱U(BR)︱反向电流急剧增大(反向击穿)二、二极管的伏安特性OuD/ViD/mA正向特性Vth死3.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.二极管V-I特性的建模将指数模型分段线性化，得到二极管特性的等效模型。（1）理想模型（a）V-I特性（b）代表符号（c）正向偏置时的电路模型（d）反向偏置时的电路模型3.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.二极管V-I（2）恒压降模型（a）V-I特性（b）电路模型（3）折线模型（a）V-I特性（b）电路模型（2）恒压降模型（a）V-I特性（b）电路模型（3）折（4）小信号模型vs=0时,Q点称为静态工作点，反映直流时的工作状态。vs=Vmsint时（Vm<<VDD）,将Q点附近小范围内的V-I特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。（4）小信号模型vs=0时,Q点称为静态工作点，反映过Q点的切线可以等效成一个微变电阻即根据得Q点处的微变电导则常温下（T=300K）（a）V-I特性（b）电路模型过Q点的切线可以等效成一个微变电阻即根据得Q特别注意：小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT。

（a）V-I特性（b）电路模型特别注意：（a）V-I特性（b）电路模型(2)主要特点：(a)正向特性同普通二极管(b)反向特性较大的I较小的U工作在反向击穿状态。在一定范围内，反向击穿具有可逆性。（一）稳压二极管（3）主要参数稳定电压：Uz

最小稳定电流：Izmin最大稳定电流：Izmax(1)结构：面接触型硅二极管U/VIzminIzmaxI/mAUz0上一页下一页返回下一节上一节(a)图形符号(b)伏安特性303.5特殊二极管(2)主要特点：（一）稳压二极管（3）主要参数(1)结构湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第四章三极管及放大电路基础湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第四章三极半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。(a)NPN型管结构示意图(b)PNP型管结构示意图(c)NPN管的电路符号(d)PNP管的电路符号半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种“模拟电路知识点复习总结”教案讲义课件三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏集电结反偏4.1.2放大状态下BJT的工作原理1.内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子

（以NPN为例）

由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT(BipolarJunctionTransistor)。

IC=InC+ICBOIE=IB+IC放大状态下BJT中载流子的传输过程三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通2.电流分配关系根据传输过程可知IC=InC+ICBO通常IC>>ICBO

为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般

=0.90.99

。IE=IB+IC放大状态下BJT中载流子的传输过程2.电流分配关系根据传输过程可知IC=InC+ICB

是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般

>>1。根据IE=IB+ICIC=InC+ICBO且令ICEO=(1+)ICBO（穿透电流）2.电流分配关系是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子3.三极管的三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；BJT的三种组态3.三极管的三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用C三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，4.1.3BJT的V-I特性曲线

iB=f(vBE)

vCE=const(2)当vCE≥1V时，vCB=vCE

-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。1.输入特性曲线（以共射极放大电路为例）共射极连接4.1.3BJT的V-I特性曲线iB=f(vBE)饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。iC=f(vCE)

iB=const2.输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，vBE小于死区电压。放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。4.1.3BJT的V-I特性曲线饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0(1)集电极最大允许电流ICM(2)集电极最大允许功率损耗PCM

PCM=ICVCE

极限参数4.1.4BJT的主要参数(1)集电极最大允许电流ICM(2)集电极最大允许功

V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射在输出特性曲线上，作出直流负载线VCE=VCC－iCRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ和ICQ。在输入特性曲线上，作出直线

，两线的交点即是Q点，得到IBQ。4.3.1图解分析法1.静态工作点的图解分析在输出特性曲线上，作出直流负载线VCE=VCC－iC根据vs的波形，在BJT的输入特性曲线图上画出vBE、iB的波形2.动态工作情况的图解分析根据vs的波形，在BJT的输入特性曲线图上画出vBE、根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE的波形2.动态工作情况的图解分析根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE的3.静态工作点对波形失真的影响截止失真的波形3.静态工作点对波形失真的影响截止失真的波形饱和失真的波形3.静态工作点对波形失真的影响饱和失真的波形3.静态工作点对波形失真的影响4.3.2小信号模型分析法1.BJT的H参数及小信号模型建立小信号模型的意义建立小信号模型的思路当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。4.3.2小信号模型分析法1.BJT的H参数及小信号模BJT的H参数及小信号模型H参数的确定rbe=rbb’+(1+

)re其中对于低频小功率管rbb’≈200

则

而

(T=300K)

一般也用公式估算rbe

（忽略r’e）BJT的H参数及小信号模型H参数的确定rbe=rbb’重点掌握固定偏流射极电路和分压式射极电路4.4.2射极偏置电路重点掌握固定偏流射极电路和分压式射极电路4.4.2射极偏小信号模型等效电路法的步骤：1.首先利用图解法或近似估算法确定放大电路的静态工作点Q。2.求出静态工作点处的微变等效电路参数

和rbe。3.画出放大电路的微变等效电路。可先画出三极管的等效电路，然后画出放大电路其余部分的交流通路。4.列出电路方程并求解。小信号模型等效电路法的步骤：1.首先利用图解法或近似估三种组态的特点及用途共射极放大电路：电压和电流增益都大于1，输入电阻在三种组态中居中，输出电阻与集电极电阻有很大关系。适用于低频情况下，作多级放大电路的中间级。共集电极放大电路：只有电流放大作用，没有电压放大，有电压跟随作用。在三种组态中，输入电阻最高，输出电阻最小，频率特性好。可用于输入级、输出级或缓冲级。共基极放大电路：只有电压放大作用，没有电流放大，有电流跟随作用，输入电阻小，输出电阻与集电极电阻有关。高频特性较好，常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合，模拟集成电路中亦兼有电位移动的功能。三种组态的特点及用途共射极放大电路：

阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发射极旁路电容及三极管的结电容等，它们的容抗随频率变化，故当信号频率不同时，放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。频率特性幅频特性：电压放大倍数的模|Au|与频率f的关系相频特性：输出电压相对于输入电压的相位移与频率f的关系Au(f)—幅频特性(f)—相频特性4.6放大电路的频率响应阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发射极旁路电容通频带f|Au

|0.707|Auo|fLfH|Auo|幅频特性下限截止频率上限截止频率耦合、旁路电容造成。三极管结电容、

造成f–270°–180°–90°相频特性O通频带f|Au|0.707|Auo|fLfH|Auo4.7多级(组合)放大电路基本放大电路多级放大电路一级

级间耦合：级与级之间的连接耦合方式①直接耦合②阻容耦合③变压器耦合④光电耦合1.直接耦合

将前一级的输出端直接连接到后一级的输入端称为直接耦合。如图所示4.7.1级间耦合方式耦合方式有考点4.7多级(组合)放大电路基本放大电路多级二、直接耦合方式的优缺点优点：①低频特性好（可放大变化缓慢的信号）；②易于集成化。缺点：①Q点相互影响

②电平偏移

③存在零点漂移（简称零漂）现象不便于分析、设计和调试。适用场合：集成电路中。2.阻容耦合

将前级的输出端通过电容接到后级的输入端称为阻容耦合。二、直接耦合方式的优缺点优点：①低频特性好（可放大变化缓慢的缺点：①低频特性差（不能放大变化缓慢的低频信号）；

优点：Q点相互独立

适用场合：特殊需要的分立元件电路中。

便于分析、设计和调试。

②不便于集成化。缺点：①低频特性差（不能放大变化缓慢的低频信号）；3、变压器耦合

将前级的输出端通过变压器接到后级的输入端或负载电阻上称为变压器耦合。优点：①Q点相互独立便于分析、设计和调试；

②能实现阻抗变换。3、变压器耦合将前级的输出端通过变压器接到后级的输入4.7.2多级（组合）放大电路的动态分析

n级放大电路交流等效电路的方框图一、电压放大倍数

放大电路中，前一级的输出电压等于后一级的输入电压，即即注意必须将后级输入电阻作为前级的负载电阻。4.7.2多级（组合）放大电路的动态分析n

二、输入电阻Ri=Ri1

三、输出电阻Ro=Ron二、输入电阻Ri=Ri1三、第六章模拟集成电路湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第六章模拟集成电路湖南科技大学信息与电气工程学院主讲6.1.1BJT电流源电路1.镜像电流源T1、T2的参数全同即β1＝β2，ICEO1＝ICEO2

当BJT的β较大时，基极电流IB可以忽略

Io＝IC2≈IREF＝

代表符号6.1.1BJT电流源电路1.镜像电流源T1、T2的参6.1.1BJT电流源电路1.镜像电流源动态电阻一般ro在几百千欧以上6.1.1BJT电流源电路1.镜像电流源动态电阻一般6.2.1差分式放大电路的一般结构2.有关概念差模信号共模信号差模电压增益共模电压增益总输出电压其中——差模信号产生的输出——共模信号产生的输出共模抑制比反映抑制零漂能力的指标6.2.1差分式放大电路的一般结构2.有关概念差模信号6.2.1差分式放大电路的一般结构2.有关概念根据有共模信号相当于两个输入端信号中相同的部分差模信号相当于两个输入端信号中不同的部分两输入端中的共模信号大小相等，相位相同；差模信号大小相等，相位相反。6.2.1差分式放大电路的一般结构2.有关概念根据有3.差分放大电路四种接法双入双出单入单出单入双出单入单出3.差分放大电路四种接法双入双出1.差分放大电路的任意输入信号都可以分解为一对共模信号和一对差模信号组合，因此单端输入的差分电路仍可看作双端输入时的工作状态。2.差分放大电路的差模电压放大倍数只与输出方式有关，而于输入方式无关，即输入方式无论是单端输入还是双端输入，只要是双端输出，差动放大电路的差模电压放大倍数就等于单管放大电路的电压放大倍数；凡是单端输出，差动放大电路的差模电压放大倍数就只等于单管放大电路电压放大倍数的一半。1.差分放大电路的任意输入信号都可以分解为一对共模信号和一对湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第七章放大电路中的反馈湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第七章放大电路7.1.1什么是反馈将电子系统输出回路的电量（电压或电流），送回到输入回路的过程。hfeibicvceIbvbehrevcehiehoe内部反馈外部反馈7.1.1什么是反馈将电子系统输出回路的电量（电输出信号反馈放大电路的输入信号反馈信号基本放大电路的输入信号（净输入信号）7.1.1什么是反馈反馈放大电路组成框图反馈通路——信号反向传输的渠道开环——无反馈通路闭环——有反馈通路输出信号反馈放大电路的输入信号反馈信号基本放大电路的输入信号7.1.3正反馈与负反馈正反馈：输入量不变时，引入反馈后输出量变大了。负反馈：输入量不变时，引入反馈后输出量变小了。从输出端看从输入端看正反馈：引入反馈后，使净输入量变大了。负反馈：引入反馈后，使净输入量变小了。净输入量可以是电压，也可以是电流。7.1.3正反馈与负反馈正反馈：输入量不变时，引入反馈后7.1.3正反馈与负反馈判别方法：瞬时极性法。即在电路中，从输入端开始，沿着信号流向，标出某一时刻有关节点电压变化的斜率（正斜率或负斜率，用“+”、“-”号表示）。净输入量减小净输入量增大负反馈正反馈反馈通路反馈通路7.1.3正反馈与负反馈判别方法：瞬时极性法。即在电路中“模拟电路知识点复习总结”教案讲义课件7.1.5电压反馈与电流反馈电压反馈与电流反馈由反馈网络在放大电路输出端的取样对象决定电压反馈：反馈信号xf和输出电压成比例，即xf=Fvo电流反馈：反馈信号xf与输出电流成比例，即xf=Fio

并联结构串联结构7.1.5电压反馈与电流反馈电压反馈与电7.1.5电压反馈与电流反馈判断方法：负载短路法将负载短路，反馈量仍然存在——电流反馈。将负载短路（未接负载时输出对地短路），反馈量为零——电压反馈。电压反馈电流反馈反馈通路反馈通路7.1.5电压反馈与电流反馈判断方法：负载短路法7.2负反馈放大电路的四种组态7.2.2电压并联负反馈放大电路7.2.3电流串联负反馈放大电路7.2.4电流并联负反馈放大电路7.2.1电压串联负反馈放大电路反馈组态判断举例（交流）

信号源对反馈效果的影响7.2负反馈放大电路的四种组态7.2.2电压并联负反7.2.1电压串联负反馈放大电路输入以电压形式求和（KVL）：vid=vi-

vf

稳定输出电压特点：电压控制的电压源7.2.1电压串联负反馈放大电路输入以电压形式求和（K7.2.2电压并联负反馈放大电路输入以电流形式求和（KCL）：iid=ii-if稳定输出电压电流控制的电压源特点：7.2.2电压并联负反馈放大电路输入以电流形式求和（K7.2.3电流串联负反馈放大电路输入以电压形式求和（KVL）：vid=vi-

vf

稳定输出电流电压控制的电流源特点：7.2.3电流串联负反馈放大电路输入以电压形式求和（K7.2.4电流并联负反馈放大电路输入以电流形式求和（KCL）：iid=ii-if稳定输出电流电流控制的电流源特点：7.2.4电流并联负反馈放大电路输入以电流形式求和（K电压负反馈：稳定输出电压，具有恒压特性串联反馈：输入端电压求和（KVL）电流负反馈：稳定输出电流，具有恒流特性并联反馈：输入端电流求和（KCL）特点小结：电压负反馈：稳定输出电压，具有恒压特性串联反馈：输入端电压求7.3负反馈放大电路增益的一般表达式1.闭环增益的一般表达式2.反馈深度讨论3.环路增益7.3负反馈放大电路增益的一般表达式1.闭环增益的一般1.闭环增益的一般表达式开环增益反馈系数闭环增益因为所以已知闭环增益的一般表达式即7.3负反馈放大电路增益的一般表达式1.闭环增益的一般表达式开环增益反馈系数闭环增益因为所以已负反馈放大电路中各种信号量的含义7.3负反馈放大电路增益的一般表达式负反馈放大电路中各种信号量的含义7.3负反馈放大电路增益2.反馈深度讨论一般负反馈称为反馈深度深度负反馈正反馈自激振荡一般情况下，A和F都是频率的函数，当考虑信号频率的影响时，Af、A和F分别用、和表示。即end7.3负反馈放大电路增益的一般表达式2.反馈深度讨论一般负反馈称为反馈深度深度负反馈正反馈自激7.4负反馈对放大电路性能的影响7.4.2减小非线性失真7.4.3抑制反馈环内噪声7.4.4对输入电阻和输出电阻的影响7.4.1提高增益的稳定性7.4负反馈对放大电路性能的影响7.4.2减小非线性负反馈对放大电路性能的改善，是以牺牲增益为代价的，且仅对环内的性能产生影响。串联负反馈——并联负反馈——电压负反馈——电流负反馈——特别注意表7.4.1的内容增大输入电阻减小输入电阻减小输出电阻，稳定输出电压增大输出电阻，稳定输出电流7.4.4对输入电阻和输出电阻的影响end负反馈对放大电路性能的改善，是以牺牲增益为代价的，且“模拟电路知识点复习总结”教案讲义课件7.5深度负反馈条件下的近似计算1.深度负反馈的特点2.举例7.5深度负反馈条件下的近似计算1.深度负反馈的特点21.深度负反馈的特点即，深度负反馈条件下，闭环增益只与反馈网络有关由于则又因为代入上式得（也常写为xfxi）净输入量近似等于零由此可得深度负反馈条件下，基本放大电路“两虚”的概念输入量近似等于反馈量（xid0）1.深度负反馈的特点即，深度负反馈条件下，闭环增益只与反馈1.深度负反馈的特点串联负反馈，输入端电压求和深度负反馈条件下

xid=

xi-

xf

0

虚短虚断虚短虚断并联负反馈，输入端电流求和vid=

vi-

vf

0iid=

ii-

if

0vid=

iidri

01.深度负反馈的特点串联负反馈，输入端电压求和深度负反馈条“模拟电路知识点复习总结”教案讲义课件8.1功率放大电路的一般问题2.功率放大电路提高效率的主要途径1.功率放大电路的特点及主要研究对象8.1功率放大电路的一般问题2.功率放大电路提高效率的8.0功率放大电路概述能够向负载提供足够信号功率的放大电路称为功率放大电路，简称功放。功放既不是单纯追求输出高电压，也不是单纯追求输出大电流，而是追求在电源电压确定的情况下，输出尽可能大的功率。功放电路的要求：Pomax

大，三极管极限工作=Pomax/PV要高失真要小8.0功率放大电路概述能够向负载提供足够信号功率的放大电一、主要技术指标1.最大输出功率Pom功率放大电路提供给负载的信号功率称为输出功率。是交流功率，表达式为Po＝IoUo。最大输出功率是在电路参数确定的情况下，负载上可能获得的最大交流功率2.转换效率功率放大电路的最大输出功率与电源提供的直流功率之比。直流功率等于电源输出电流平均值及电压之积。3.最大输出电压Vom一、主要技术指标1.最大输出功率Pom功率放大电路提供给负载二、功率放大电路中的晶体管在功率放大电路中，为使输出功率尽可能大，要求晶体管工作在极限应用状态。选择功放管时，要注意极限参数的选择，还要注意其散热条件，使用时必须安装合适的散热片和各种保护措施。晶体管集电极电流最大时接近ICM（集电极最大允许电流）晶体管管压降最大时接近V（BR）CEO晶体管耗散功率最大时接近PCM（集电极最大允许耗散功率）三、功率放大电路的分析方法采用图解法二、功率放大电路中的晶体管在功率放大电路中，为使输出功率尽可四种工作状态根据正弦信号整个周期内三极管的导通情况划分乙类：导通角等于180°甲类：一个周期内均导通甲乙类：导通角大于180°丙类：导通角小于180°四种工作状态根据正弦信号整个周期内三极管的导通情况划分乙类：8.2射极输出器——甲类放大的实例简化电路带电流源详图的电路图特点：电压增益近似为1，电流增益很大，可获得较大的功率增益，输出电阻小，带负载能力强。8.2射极输出器——甲类放大的实例简化电路带电流源详图的8.3乙类双电源互补对称功率放大电路8.3.2分析计算8.3.1电路组成8.3.3功率BJT的选择8.3乙类双电源互补对称功率放大电路8.3.2分析计8.3.1乙类双电源互补对称功率放大电路1.电路组成由一对NPN、PNP特性相同的互补三极管组成，采用正、负双电源供电。这种电路也称为OCL(OutputCapacitorless)互补功率放大电路。2.工作原理两个三极管在信号正、负半周轮流导通，使负载得到一个完整的波形。8.3.1乙类双电源互补对称功率放大电路1.电路组成3.分析计算图解分析3.分析计算图解分析3.分析计算（1）最大不失真输出功率Pomax实际输出功率Po因电压增益近似为1，当输入信号足够大，VCES很小时,使Vim=VomVCC时，可获得最大功率输出。3.分析计算（1）最大不失真输出功率Pomax实际输出功3.分析计算单个管子在半个周期内的管耗（2）管耗PT两管管耗3.分析计算单个管子在半个周期内的管耗（2）管耗PT两管最大管耗与最大输出功率的关系：因为：令dPT1/dVom=0，则：即：当时，具有最大管子功耗。选管依据之一最大管耗与最大输出功率的关系：因为：令dPT1/dVom=03.分析计算（3）电源供给的功率PV当（4）效率当因为:PT3.分析计算（3）电源供给的功率PV当（4）效率当因为(3)通过BJT的最大集电极电流为VCC／RL，所选BJT的ICM一般不宜低于此值。5、功率BJT的选择：由上面的分析知，若想得到最大输出功率，BJT的参数必须满足下列条件：(1)每只BJT的最大允许管耗PCM必须大于PTlm0.2Pom；(2)考虑到当T2导通时，当-vCE2

0时，vCE1具有最大值，且等于2VCC。因此，应选用V(BR)CEO>2VCC的管子；(3)通过BJT的最大集电极电流为VCC／RL，所选BJT的8.4甲乙类互补对称功率放大电路8.4.2甲乙类单电源互补对称电路8.4.1甲乙类双电源互补对称电路8.4甲乙类互补对称功率放大电路8.4.2甲乙类单电8.4.1甲乙类双电源互补对称电路乙类互补对称电路存在的问题由于T1、T2管输入特性存在死区，所以输出波形在信号过零附近产生失真——交越失真。原因：假设T1、T2的死区电压都是0.6V，那么在输入信号电压|Ui|≤0.6V期间，T1和T2截止，输出电压为零，得到如图所示失真了的波形，交越失真波形uiuott008.4.1甲乙类双电源互补对称电路乙类互补对称电路存在的8.4.1甲乙类双电源互补对称电路1.静态偏置可克服交越失真2.动态工作情况二极管等效为恒压模型#

在输入信号的整个周期内，两二极管是否会出现反向偏置状态？理想二极管设T3已有合适的静态工作点8.4.1甲乙类双电源互补对称电路1.静态偏置可克服8.4.1甲乙类双电源互补对称电路VBE4可认为是定值(0.6~0.7V)R1、R2不变时，VCE4也是定值，可看作是一个直流电源。只要调节R1*、R2的比值，就可改变T1、T2的偏压。该方法在集成电路中常用到。8.4.1甲乙类双电源互补对称电路VBE4可认为是定值(8.4.2甲乙类单电源互补对称电路静态时，偏置电路使VK＝VC≈VCC/2（电容C充电达到稳态）。

end当有信号vi时负半周T1导通，有电流通过负载RL，同时向C充电正半周T2导通，则已充电的电容C通过负载RL放电。只要满足RLC>>T信，电容C就可充当原来的－VCC。计算Po、PT、PV和PTm的公式必须加以修正，以VCC/2代替原来公式中的VCC。8.4.2甲乙类单电源互补对称电路静态时，偏置电路使

e湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第九章信号处理与信号产生电路

湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第九章信号处9.1滤波电路的基本概念与分类1.基本概念滤波器：是一种能使有用频率信号通过而同时抑制或衰减无用频率信号的电子装置。有源滤波器：由有源器件构成的滤波器。滤波电路传递函数定义时，有其中——模，幅频响应——相位角，相频响应群时延响应9.1滤波电路的基本概念与分类1.基本概念滤波器：是一9.1滤波电路的基本概念与分类2.分类低通（LPF）高通（HPF）带通（BPF）带阻（BEF）全通（APF）end1)按电路功能分类9.1滤波电路的基本概念与分类2.分类低通（LPF）高9.1滤波电路的基本概念与分类9.1滤波电路的基本概念与分类“模拟电路知识点复习总结”教案讲义课件“模拟电路知识点复习总结”教案讲义课件9.5正弦波振荡电路的振荡条件正反馈放大电路框图（注意与负反馈方框图的差别）1.振荡条件若环路增益则去掉仍有稳定的输出。又所以振荡条件为振幅平衡条件相位平衡条件只有正反馈才能产生自激振荡9.5正弦波振荡电路的振荡条件正反馈放大电路框图1.振起振条件2.起振和稳幅

#振荡电路是单口网络，无须输入信号就能起振，起振的信号源来自何处？电路器件内部噪声以及电源接通扰动当输出信号幅值增加到一定程度时，就要限制它继续增加，否则波形将出现失真。噪声中，满足相位平衡条件的某一频率0的噪声信号被放大，成为振荡电路的输出信号。稳幅的作用就是，当输出信号幅值增加到一定程度时，使振幅平衡条件从回到选频：稳幅：---利用负反馈起振条件2.起振和稳幅#振荡电路是单口网络，end放大电路（包括负反馈放大电路）3.振荡电路基本组成部分反馈网络（构成正反馈的）选频网络（选择满足相位平衡条件的一个频率。经常与反馈网络合二为一。）稳幅环节end放大电路（包括负反馈放大电路）3.振荡电路基本组成部9.6RC正弦波振荡电路1.电路组成2.

RC串并联选频网络的选频特性3.振荡电路工作原理4.稳幅措施9.6RC正弦波振荡电路1.电路组成2.RC串并联选1.电路组成反馈网络兼做选频网络RC桥式振荡电路1.电路组成反馈网络兼做选频网络RC桥式振荡电路3.振荡电路工作原理此时若放大电路的电压增益为用瞬时极性法判断可知，电路满足相位平衡条件则振荡电路满足振幅平衡条件当时，电路可以输出频率为的正弦波RC正弦波振荡电路一般用于产生频率低于1MHz的正弦波3.振荡电路工作原理此时若放大电路的电压增益为用9.7LC正弦波振荡电路9.7.2变压器反馈式LC振荡电路9.7.3三点式LC振荡电路9.7.4石英晶体振荡电路9.7.1LC选频放大电路9.7LC正弦波振荡电路9.7.2变压器反馈式LC振9.7.3三点式LC振荡电路仍然由LC并联谐振电路构成选频网络A.若中间点交流接地，则首端与尾端相位相反。1.三点式LC并联电路中间端的瞬时电位一定在首、尾端电位之间。三点的相位关系B.若首端或尾端交流接地，则其他两端相位相同。9.7.3三点式LC振荡电路仍然由LC并联谐振电路构成选9.7.3三点式LC振荡电路2.电感三点式振荡电路LC并联谐振电路中的电感有首端、中间抽头和尾端三个端点，其交流通路分别与放大电路的集电极、发射极和基极相连，反馈信号取自电感L2上的电压。9.7.3三点式LC振荡电路2.电感三点式振荡电路LC9.7.3三点式LC振荡电路3.电容三点式振荡电路9.7.3三点式LC振荡电路3.电容三点式振荡电路9.8非正弦信号产生电路9.8.2方波产生电路9.8.3锯齿波产生电路9.8.1电压比较器单门限电压比较器迟滞比较器集成电压比较器9.8非正弦信号产生电路9.8.2方波产生电路9.8通过几种电压比较器的分析，可得出如下结论：（1）用于电压比较器的运放，通常工作在开环或正反馈状态和非线性区，其输出电压只有高电平VOH和低电VOL两种情况。（2）一般用电压传输特性来描述输出电压与输入电压的函数关系。（3）电压传输特性的关键要素

输出电压的高电平VOH和低电平VOL门限电压输出电压的跳变方向令vP＝vN所求出的vI就是门限电压vI等于门限电压时输出电压发生跳变跳变方向取决于是同相输入方式还是反相输入方式通过几种电压比较器的分析，可得出如下结论：（1）用于电压比较10.1小功率整流滤波电路10.2串联反馈式稳压电路10直流稳压电源10.0引言10.1小功率整流滤波电路10.2串联反馈式引言直流稳压电源的作用将交流电网电压转换为直流电压，为放大电路提供直流工作电源。组成各部分功能变压器：整流：滤波：稳压：end降压滤除脉动交流变脉动直流进一步消除纹波，提高电压的稳定性和带载能力引言直流稳压电源的作用将交流电网电压转换为直流电压，1.工作原理10.1.1

单相桥式整流电路利用二极管的单向导电性1.工作原理10.1.1单相桥式整流电路利用二极管的单向10.1.2滤波电路电容滤波电路RL未接入时，电容已经充满了电，电容C此时无放电回路，所以电容C的电压保持为RL接入后，有了放电回路放电时，二极管不导通；充电时二极管导通二极管导通角小于π10.1.2滤波电路电容滤波电路RL未接入时，电容已经充满演讲结速，谢谢观赏！Thankyou.演讲结速，谢谢观赏！Thankyou.（Excellenthandouttrainingtemplate）模拟电路知识点复习总结（Excellenthandouttrainingte135湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第一章绪论湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第一章一、放大电路的表示方法

放大电路主要用于放大微弱的电信号，输出电压或电流在幅度上得到了放大。放大电路为双口网络，即一个信号输入口和一个信号输出口。1.2放大电路基本知识一、放大电路的表示方法放大电路主要用于放大微弱的电1.放大倍数(增益)——表征放大器的放大能力根据放大电路输入信号的条件和对输出信号的要求，放大器可分为四种类型，所以有四种放大倍数的定义。1.3放大电路的主要技术性能指标1.放大倍数(增益)——表征放大器的放大能力根据放大电路输入（1）电压放大倍数定义为:AU=UO/UI（2）电流放大倍数定义为:AI=IO/II

（3）互阻增益定义为:Ar=UO/II（4）互导增益定义为:Ag=IO/UI（1）电压放大倍数定义为:AU=UO/UI2.输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的等效电阻，决定了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。输入电阻：Ri=ui/ii一般来说，Ri越大越好。（1）Ri越大，ii就越小，从信号源索取的电流越小。（2）当信号源有内阻时，Ri越大，ui就越接近uS。输入端iiuiRiuSRS信号源Au输出端2.输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的等效电阻，决定3.输出电阻Ro——从放大电路输出端看进去的等效电阻。决定了放大电路带负载的能力。输出端Rou’o输出端Au~uS3.输出电阻Ro——从放大电路输出端看进去的等效电阻

输出电阻是表明放大电路带负载的能力，Ro越小，放大电路带负载的能力越强，反之则差。

0,.o.ooSL==∞=URI’U’R

输出电阻的定义：输出电阻是表明放大电路带负载的能力，Ro越4.通频带通频带：fBW=fH–fL放大倍数随频率变化曲线——幅频特性曲线fAAm0.7AmfL下限截止频率fH上限截止频率

3dB带宽4.通频带通频带：fBW=fH–fL放大倍数随频率变化曲线湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第二章运算放大器湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第二章o+Uo(sat)-Uo(sat)实际特性理想特性u+-u-开环电压放大倍数高(104-107)；输入电阻高（约几百KΩ）；输出电阻低（约几百Ω）；漂移小、可靠性高、体积小、重量轻、价格低。电压传输特性Vo=Avo(vp-vN)o+Uo(sat)-Uo(sat)实际特性理想特性u+-3）开环输出电阻ro→02）差模输入电阻rid→∞4）共模抑制比KCMRR→∞理想运放及其分析依据

理想化条件：1）开环电压放大倍数Auo→∞理想运算放大器＋－＋－＋－＋－Avo(vp-vN)VpvNvo3）开环输出电阻ro→02）差模输入电阻rid→∞

理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性，这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为了保证线性运用，运放必须在闭环(负反馈）下工作。

理想运算放大器的特性

(1)虚短由于运放的电压放大倍数很大，而运放的输出电压是有限的，一般在10

V～14

V。因此运放的差模输入电压不足1

mV，两输入端近似等电位，相当于“短路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。

“虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，这一特性称为虚假短路，简称虚短。显然不能将两输入端真正短路。理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性，这两个特

(2)虚断

由于运放的差模输入电阻很大，一般都在1

M以上。因此流入运放输入端的电流往往不足1

A，远小于输入端外电路的电流。故通常可把运放的两输入端视为开路，且输入电阻越大，两输入端越接近开路。“虚断”是指在分析运放处于线性状态时，可以把两输入端视为等效开路，这一特性称为虚假开路，简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。下面举两个例子说明虚短和虚断的运用。(2)虚断由于运放的差模输入电阻很大，一般都几种常见的基本运算电路反相比例运算同相比例运算电压跟随器加法电路减法电路积分电路几种常见的基本运算电路反相比例运算3二极管及其基本电路3.1半导体的基本知识3.3半导体二极管3.4二极管基本电路及其分析方法3.5特殊二极管3.2PN结的形成及特性3二极管及其基本电路3.1半导体的基本知识3.3半3.1.4杂质半导体

在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。

P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。3.1.4杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量3.2.1载流子的漂移与扩散漂移运动：由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。扩散运动：由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。3.2.1载流子的漂移与扩散漂移运动：扩散运动：在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:因浓度差

空间电荷区形成内电场

内电场促使少子漂移

内电场阻止多子扩散

最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区3.2.2PN结形成在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型

PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。

由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。3.2.3

PN结的单向导电性PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散PN结V-I特性表达式其中PN结的伏安特性IS——反向饱和电流VT

——温度的电压当量且在常温下（T=300K）PN结V-I特性表达式其中PN结的伏安特性IS——反向饱当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。热击穿——不可逆雪崩击穿齐纳击穿电击穿——可逆3.2.4PN结的反向击穿当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速一、PN结的伏安方程反向饱和电流10-8---10-14A温度的电压当量电子电量玻尔兹曼常数1.38*10-23J/K当T=300(27C)：VT

=26mV

3.3.2二极管的伏安特性一、PN结的伏安方程温度的电子电量玻尔兹曼常数1.38*1二、二极管的伏安特性OuD/ViD/mA正向特性Vth死区电压iD

=0Vth=

0.5V

0.1V(硅管)(锗管)VVthiD急剧上升0V

Vth

VD(on)

=(0.60.8)V硅管

0.7V(0.20.4)V锗管

0.3V反向特性ISV(BR)反向击穿︱V(BR)

︱>︱V︱

>0

iD=IS<0.1A(硅)几十A

(锗)︱V︱>

︱U(BR)︱反向电流急剧增大(反向击穿)二、二极管的伏安特性OuD/ViD/mA正向特性Vth死3.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.二极管V-I特性的建模将指数模型分段线性化，得到二极管特性的等效模型。（1）理想模型（a）V-I特性（b）代表符号（c）正向偏置时的电路模型（d）反向偏置时的电路模型3.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.二极管V-I（2）恒压降模型（a）V-I特性（b）电路模型（3）折线模型（a）V-I特性（b）电路模型（2）恒压降模型（a）V-I特性（b）电路模型（3）折（4）小信号模型vs=0时,Q点称为静态工作点，反映直流时的工作状态。vs=Vmsint时（Vm<<VDD）,将Q点附近小范围内的V-I特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。（4）小信号模型vs=0时,Q点称为静态工作点，反映过Q点的切线可以等效成一个微变电阻即根据得Q点处的微变电导则常温下（T=300K）（a）V-I特性（b）电路模型过Q点的切线可以等效成一个微变电阻即根据得Q特别注意：小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT。

（a）V-I特性（b）电路模型特别注意：（a）V-I特性（b）电路模型(2)主要特点：(a)正向特性同普通二极管(b)反向特性较大的I较小的U工作在反向击穿状态。在一定范围内，反向击穿具有可逆性。（一）稳压二极管（3）主要参数稳定电压：Uz

最小稳定电流：Izmin最大稳定电流：Izmax(1)结构：面接触型硅二极管U/VIzminIzmaxI/mAUz0上一页下一页返回下一节上一节(a)图形符号(b)伏安特性1643.5特殊二极管(2)主要特点：（一）稳压二极管（3）主要参数(1)结构湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第四章三极管及放大电路基础湖南科技大学信息与电气工程学院主讲:胡仕刚第四章三极半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。(a)NPN型管结构示意图(b)PNP型管结构示意图(c)NPN管的电路符号(d)PNP管的电路符号半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种“模拟电路知识点复习总结”教案讲义课件三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏集电结反偏4.1.2放大状态下BJT的工作原理1.内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子

（以NPN为例）

由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT(BipolarJunctionTransistor)。

IC=InC+ICBOIE=IB+IC放大状态下BJT中载流子的传输过程三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通2.电流分配关系根据传输过程可知IC=InC+ICBO通常IC>>ICBO

为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般

=0.90.99

。IE=IB+IC放大状态下BJT中载流子的传输过程2.电流分配关系根据传输过程可知IC=InC+ICB

是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般

>>1。根据IE=IB+ICIC=InC+ICBO且令ICEO=(1+)ICBO（穿透电流）2.电流分配关系是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子3.三极管的三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；BJT的三种组态3.三极管的三种组态共集电极接法，集电极作为公共电极，用C三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，4.1.3BJT的V-I特性曲线

iB=f(vBE)

vCE=const(2)当vCE≥1V时，vCB=vCE

-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。1.输入特性曲线（以共射极放大电路为例）共射极连接4.1.3BJT的V-I特性曲线iB=f(vBE)饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。iC=f(vCE)

iB=const2.输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，vBE小于死区电压。放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。4.1.3BJT的V-I特性曲线饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0(1)集电极最大允许电流ICM(2)集电极最大允许功率损耗PCM

PCM=ICVCE

极限参数4.1.4BJT的主要参数(1)集电极最大允许电流ICM(2)集电极最大允许功

V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射在输出特性曲线上，作出直流负载线VCE=VCC－iCRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ和ICQ。在输入特性曲线上，作出直线

，两线的交点即是Q点，得到IBQ。4.3.1图解分析法1.静态工作点的图解分析在输出特性曲线上，作出直流负载线VCE=VCC－iC根据vs的波形，在BJT的输入特性曲线图上画出vBE、iB的波形2.动态工作情况的图解分析根据vs的波形，在BJT的输入特性曲线图上画出vBE、根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE的波形2.动态工作情况的图解分析根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE的3.静态工作点对波形失真的影响截止失真的波形3.静态工作点对波形失真的影响截止失真的波形饱和失真的波形3.静态工作点对波形失真的影响饱和失真的波形3.静态工作点对波形失真的影响4.3.2小信号模型分析法1.BJT的H参数及小信号模型建立小信号模型的意义建立小信号模型的思路当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。由于三极管是非线性器件，这样就使得放大电路的分析非常困难。建立小信号模型，就是将非线性器件做线性化处理，从而简化放大电路的分析和设计。4.3.2小信号模型分析法1.BJT的H参数及小信号模BJT的H参数及小信号模型H参数的确定rbe=rbb’+(1+