版图设计期末复习

第一章绪论1、什么是Scaling-down，它对集成电路的进展有什么重要作用？在器件按比例缩小过程中需要遵守哪些规章，，，这些规章的具体实现方式Scaling-down使集成Scaling-down是推动集成电路进展的重要理论。CE规章中，全部几何尺寸，包括横向和纵向尺寸，都缩小k倍；衬底掺杂浓度增大k倍；电源电压下降k倍。CV规章中，全部几何尺寸都缩小k倍；电源电压保持不变；衬底掺杂浓度增k2倍。在E规章中，器件尺寸kαk倍〕变化，衬底掺杂浓度增大αk倍218个月增加一倍。3幅员设计就是依据线路的要求和确定的工艺参数，设计出元件的图形并进展排列IC确定功能的电路构造；确定的工艺规章4、集成电路全定制和半定制设计的过程，及区分自动化技术：半定制，标准单元技术手工技术：全定制，一般用于高性能数字电路或者模拟电路其次章电路根底学问1、管子的串并联，电阻模型分析。串联：两个宽长比为W/L的管子串联，假设等价为一个管子，其宽长比为多少？并联：两个宽长比为W/L的管子并联，假设等价为一个管子，其宽长比为多少？2、管子的尺寸标注3、简洁规律门的功能分析〔写出规律表达式，或依据规律表达式，画出S电路图4传输门构造，原理MOS管〔一个P沟道，一个N沟道〕组成。1时，两个管子都夹断，传输门截止，不能传输数据。0时，传输门导通。双向传输门：数据可以从左边传输到右边，也可以从右边传输到左边，因此是一个双向传输门。5、CMOS电路中，NMOS和PMOSCMOSNMOS和PMOS管子的宽长比一样，则上升和下降时间之间有什么关系。第三章半导体制造工艺1、当掺杂的杂质浓度增高时，电阻率会随着浓度增高快速降低吗？著下降2图形转移工艺：包括光刻工艺和刻蚀工艺。掺杂工艺：包括集中工艺和离子注入工艺。3来再转移到晶圆做预备，这就是制版4〔正胶或负胶5、多晶硅的刻蚀需要哪几步？预刻蚀、主刻蚀、过刻蚀6、什么是光刻？什么是刻蚀？光刻：将图形转移到掩盖在半导体硅片外表的光刻胶刻蚀：将图形转移到光刻胶下面组成器件的各层薄膜上7、哪一种刻蚀方法简洁产生横向钻蚀？湿法刻蚀8、常用的掺杂工艺有哪两种？二者相比，优势工艺表达在哪些方面？主要的掺杂工艺：集中和离子注入集中：依据集中的原理，使杂质从高浓度处向低浓度处集中。两个要素：高温存浓度梯度，用于结较深，线条较粗的器件、掺杂种类广泛等优点，用于浅结与细线条图形9、什么是方块电阻？与电阻值的关系〔用公式表示〕？g用表示，称为方块电阻第四章幅员设计根底1、绘图层和研磨层之间存在什么关系？n:12MOS管幅员〔四端〕和尺寸标注3、接触孔和通孔的区分接触孔特指最低层金属孔，用于将最低层金属和多晶硅或者集中层连接起来。而通孔则是指允许更高层金属进展相互连接的孔4、什么是幅员设计规章？制定的目的是什么？物理效应的消灭带来的问题，尽可能地提高电路制备的成品率5、幅员设计规章包括哪两种？各自优缺点？设计规章或规整格式设计规章优点：幅员设计独立于工艺和实际尺寸间的最大套准偏差微米设计规章，又称自由格式规章优点：由于各尺寸可相对独立地选择，所以可把尺寸定得合理缺点：对于一个设计级别，就要有一整套数字，因而显得烦琐6、幅员设计规章，填表。7、分析芯片设计结果图，分析是由于违反了哪种设计规章。8、识幅员：依据幅员，给出规律表达式〔管子的串并联。9、幅员验证包括哪些？各个概念。DRCERCLVS第五章数字电路幅员设计1、驱动力气的设计原则在确保驱动的前提下，尽量选择小的器件2、在标准单元技术中，如何兼顾局部优化和全局优化？全局优化。3、标准单元库需要哪三方面的内容？分别在集成电路设计流程的哪一步使用？规律单元符号库与功能单元库；拓扑单元库；幅员单元库。4、幅员单元的特点有哪些？〔宽度，高度，电源、地线，输入/输出端〕各幅员单元可以有不同的宽度，但必需有一样的高度。单元的电源线和地线通常安排在单元的上下端，从单元的左右两侧同时出线，电源、地线两侧的位置要一样，线的宽度要全都，以便单元电源、地线的对接。单元的输入/输出端通常安排在电源和地线垂直的位置5、输入单元主要考虑〔保护〕功能，输出单元除了考虑其〔驱动〕力气之外，还要具有确定的〔功能。6、什么是〔cS集成电路要考虑D保护问题？由于薄栅氧化层的击穿电压较低，必需参与有效的在片ESD保护电路以箝位加到内部电路栅氧上的过冲电压7、承受漏端开路构造实现规律与。第六章模拟电路幅员设计1、与数字电路幅员设计相比，模拟电路幅员设计更留意〔性能。2、模拟电路幅员设计需要考虑的寄生效应包括哪些？寄生电容、寄生电阻、寄生电感3、削减寄生电容的设计方法包括哪些？让那一局部布线寄生参数小的导线尽量短，以削减重叠选择远离衬底的金属层走线在布线时最好绕过电路模块，而不是仅仅简洁的在它上面走线。应当让敏感的信号远离4、在幅员设计中，可以利用寄生参数吗？为什么