三极管单元测试题

三极管单元测试题三极管单元测试题三极管单元测试题V:1.0精细整理，仅供参考三极管单元测试题日期：20xx年X月三极管单元测试题一、单选题(每题2分)1.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。A.B.C.D.2.某三极管的，则下列状态下三极管能正常工作的是（）。A.B.C.D.3.放大电路如图所示，已知硅三极管的，则该电路中三极管的工作状态为（）。A.截止B.饱和C.放大D.无法确定4.（）具有不同的低频小信号电路模型。A.NPN管和PNP管B.增强型场效应管和耗尽型场效应管C.N沟道场效应管和P沟道场效应管D.三极管和二极管5.（）情况下，可以用H参数小信号模型分析放大电路。A.正弦小信号B.低频大信号C.低频小信号D.高频小信号6.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压UCE=，则此时三极管工作于（）状态。A.饱和B.截止C.放大D.无法确定7.已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。A.增强型PMOSB.增强型NMOSC.耗尽型PMOSD.耗尽型NMOS8.下面的电路符号代表（）管。A.耗尽型PMOSB.耗尽型NMOSC.增强型PMOSD.增强型NMOS9.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（）。A.B.C.D.10.三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（）状态。A.放大B.截止C.饱和D.无法确定二、判断题(每题2分)1.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。2.双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。3.场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。4.三极管工作在放大区时，若iB为常数，则uCE增大时，iC几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。5.对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H参数小信号模型替代。6.三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C、E两个电极互换使用。7.开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。8.IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。9.三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。10.三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。三、填空题(每题2分)1.场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。2.双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别_______和3.当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为型场效应管。4.三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置。5.场效应管具有输入电阻很、抗干扰能力等特点。6.场效应管是利用效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。7.某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2=-6V，U3=，则电极为基极，为集电极，为发射极，为型管。8.三极管电流放大系数β反映了放大电路中极电流对极电流的控制能力。9._______通路常用以确定静态工作点；通路提供了信号传输的途径。10.反映态时集电极电流与基极电流之比；反映态时的电流放大特性。四、计算分析题(每题10分)1.图中三极管均为硅管，试求各电路中的IC、UCE及集电极对地电压UO。2.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中IB、IC、UCE的值，判断三极管