集成电路版图基础知识练习

集成电路版图基础知识练习集成电路版图基础知识练习集成电路版图基础知识练习xxx公司集成电路版图基础知识练习文件编号：文件日期：修订次数：第1.0次更改批准审核制定方案设计，管理制度填空ls(填写参数)命令用于显示隐藏文件。（-a）进入当前目录的父目录的命令为(%cd..)查看当前工作目录的命令为：（%pwd）目录/home/www/uuu已建立，当前工作目录为/home/www，采用绝对路径进入/home/www/uuu的命令为：（%cd/home/www/uuu）假设对letter文件有操作权限，命令%chmoda+rwletter会产生什么结果：（对所有的用户增加读写权限。）显示当前时间的命令为：（%date）打开系统管理窗口的命令为：（%admintool）与IP地址为的主机建立FTP连接的命令为：（%ftpor%ftp%open）建立FTP连接后，接收单个文件的命令为：（%get）建立FTP连接后，发送多个文件的命令为：（%mput）有一种称为2P5MCMOS单井工艺,它的特征线宽为______，互连层共有_____层，其电路类型为_______。7CMOS请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序： a.生成多晶硅 b.确定井的位置和大小 c.定义扩散区，生成源漏区 d.确定有源区的位置和大小 e.确定过孔位置 正确的顺序为：____________________。bdace集成电路中的电阻主要有__________,____________,_____________三种。井电阻，扩散电阻，多晶电阻为方便版图绘制，通常将Contact独立做成一个单元，并以实例的方式调用。若该Contact单元称为P型Contact，由4个层次构成，则该四个层次分别为：_________，_________,_________,___________.active,P+diffusion,contact,metal.CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为___________________________________。报证PN结反偏，使MOS器件能够正常工作。版图验证主要包括三方面：________，__________，__________;完成该功能的Cadence工具主要有（列举出两个）：_________，_________。DRC,LVS,ERC,Diva,Dracula造成版图不匹配的因数主要来自两个方面：一是制造工艺引起的，另一个是__________;后者又可以进一步细分为两个方面：_______________，_____________。片上环境波动，温度波动，电压波动。DRC包括几种常见的类型，如最大面积（MaximumDimension），最小延伸（MinimumExtension），此外还有_________，_________，_________。最小间距，最小宽度，最小包围（MinimumEnclosure）。减少天线效应的三种方法有：____________，____________，__________。插入二极管，插入缓冲器，Jumper(或者，通过不同的金属层绕线)。由于EDA工具的不统一，出现了各种不同的文件格式，如LEF,DEF等，业界公认的Tapeout的文件格式为_______，它不可以通过文本编辑器查看，因为它是______（文件类型）。GDSII，流文件。根据的冯.诺依曼的“101页报告”，计算机的五大部件是：输入装置、_________、_________、_________、输出装置。逻辑部件、运算部件、存储器流水线中可能存在三种冲突，它们是：_________、_________、_________，从而造成流水线停顿，使流水线无法达到最高性能。资源冲突、数据冲突、控制冲突写出JK触发器的特性方程：__________________。（）随着1000M网卡等高速设备的出现，传统的PCI总线无法满足PC系统的数据传输需求，INTEL于2001年提出了第三代局部总线技术_________。3GIO或PCIExpressAMBA是为了设计高性能的嵌入式微控制器系统而推出的片上通信标准，它包括ASB、_________、_________等三套总线。AHB、APBSoC的设计基于IPCore的复用，IPCore包括三种：_________、_________、_________。软核、固核、硬核RISCCPU的三大特点是：_________、_________、_________。ALU的数据源自Register、只用LD/ST指令可以访问MEMORY、指令定长ARM处理器包含两种指令集：_________、_________。Arm指令、thumb指令MCS80C51是CISCCPU，属于哈佛结构，arm属于_________CPU。RISCArm7TDMI中，T代表_________、D代表_________、M代表_________、I代表_________。Thumbm、debug、multiplier、ise固体分为晶体和非晶体两大类。半导体材料中锗和硅属于金刚石结构，砷化镓属于闪锌矿结构。施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的n型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的p型半导体。晶体中电子的能量状态是量子化的。电子在各状态上的分布遵守费米分布规律。电子在热运动时不断受到晶格振动和杂质的散射作用，因而不断地改变运动方向。半导体中的主要散射机构是电离杂质散射和晶格振动散射。pn结有电容效应，分为势垒电容和扩散电容。在放大模式偏置下，双极型晶体管的EB结正向偏置，CB结反向偏置。CMOS的英文全称是ComplementaryMetalOxideSemiconductor。MOS场效应晶体管分为四种基本类型：N沟增强型、N沟耗尽型、P沟增强型、P沟耗尽型。衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为体效应。用Cadence软件设计集成电路版图的输出数据的格式是（GDSII格式）。在nwell上画pmos器件时需要在nwell上加（n+接触孔），并用金属线把这个（n+接触孔）与nwell内的（最高）电位相连接。在P型衬底上画nmos器件时需要在P型衬底上加（p+接触孔），并用金属线把这个（p+接触孔）与P型衬底内的（最低）电位相连接。建立一个新的layoutlibrary时需要(Compileanewtechfile)，或者(Attachedtoanexistingtechfile),或（Don’tneedatechfile）。在layout编辑命令中，Hierachy命令一栏下，有两个相反的操作命令他们分别是makecell和（flatten）。用DRACULA做layout的LVS检查时，首先要把schematic转成CDL的netlist,并对这个netlist做（LOGLVS）。用DRACULA做layout的DRC检查时，先要运行PDRACULA命令，然后再执行(文件。用DRACULA做layout的LVS检查时，先要运行PDRACULA命令，然后再执行(文件。用DRACULA做layout的DRC检查后，修改完所有错误的标志是用vi命令在后缀名为（sum）的文件里看到ERRORSWINDOWSIZE是（0）。用DRACULA做layout的LVS检查后，修改完所有错误的标志是用vi命令在名为（）的文件里看到unmatchingdevices是（0），以及没有（sizeerror）的描述。集成电路产业包括：IC设计、IC制造、IC封装、IC测试。现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺，即最基本的器件是由PMOS和NMOS组成。PMOS是在N阱上形成P型沟道的MOSFET晶体管。对于CMOS集成电路，通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式，如LOCOS（局部场氧隔离）或STI（浅沟道隔离）。集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、离子注入、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。集成电路制造中最为重要的工序是光刻。现在，主流的掺杂技术是离子注入。光刻的图形曝光方式有：接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光。集成电路金属薄膜的沉积通常采用溅射物理气相沉积。判断标准Solaris操作系统中，普通用户只能在自己的宿主目录下创建新的目录。√Solaris是SUN公司推出的在工作站上运行的操作系统。√Solaris系统只支持单用户。×Solaris是多进程、多任务的分时操作系统。√%ls–l命令是连续列出文件的名称。×%echo命令是将用户在该命令之后放置的任何命令行复制到屏幕上。√%id是显示用户正在使用的计算机名称。×hostnameFTP是本地或者远程主机之间传输文件的工具。√vi是文本编辑器。√vi命令方式下，字母I是打开新行命令。×过孔上往往有较大的寄生电阻，因此为了减少因此产生的IRDrop，单个过孔的面积应该尽可能的大。 ×Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。×对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。 ×尽管版图中各个层次大致对应于相应的工艺步骤，但划版图时，各个层次划的先后顺序是无关紧要的，它不会影响芯片最后的制造。√在采用标准单元镜像的布图中，绕线是通过绕线通道（RoutingChannel）进行的。×因为有逻辑综合的存在，所以数字设计才能够脱离底层的物理器件，用HDL来设计。√设计规则的出现实际上是为了寻求一种芯片良率和芯片面积的权衡。√并不是所有LVS的错误都会造成版图功能上的错误。 √通过各种匹配措施，在版图上能够精确的划出一个125欧的扩散电阻。×用保护环（GuardingRing）可以在一定程度上防止Latchup效应的出现，比如说，在P沟道的MOS管上用P+的环。×半导体内总的正电荷和总的负电荷必须相等，整个半导体是电中性的。（正确）pn结平衡时，势垒区(即空间电荷区)内电子(或空穴)的扩散和漂移相抵消，整个pn结出现统一的费米能级。（正确）pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。（错误）结型晶体管是电流放大型器件。（正确）齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。（错误）双极型晶体管的工作区域可分为：饱和区、正向工作区、反向工作区和截止区。（正确）改变氧化层厚度可以控制阈值电压。（正确）正向电压加到理想MOS二极管上时，能带向上弯曲，多数载流子积累。（错误）MOS器件工作在亚阈值区，对于漏电流起决定作用的是扩散而不是漂移。（正确）10、器件电容决定MOS晶体管的动态特性，门电容和源漏结电容是主要的确定因素。（正确）31.做DRC检查需要GDSII文件和DRC命令文件两个基本文件

对32．做LVS检查需要GDSII文件，网表文件（netlist）,和LVS命令文件这三个基本文件。对33、在Virtuosolayout的快捷键命令中，f是fit整个layout画面的意思，那么r是代表清除尺子的意思。错34、在Virtuosolayout的快捷键命令中，f是fit整个layout画面的意思，那么m是移动一个图形的意思。对35、在Virtuosolayout的快捷键命令中，f是fit整个layout画面的意思，那么k是是copy一个图形的意思。错36、在运行PDRACULA检查DRC时，软件告诉我要运行的STAGE的数字如果大于或不等于运行文件是得STAGE的数字，这说明我的错改少了。错37、在运行PDRACULA检查LVS时，软件告诉我要运行的STAGE的数字如果等于大于或不等于运行文件是得STAGE的数字，这说明我的错改少了。错38、建立一个新的layoutcellview时不一定需要重建一个新的library，有时只需要在一个已有的library中再开一个新的cellview就可以了。（对）39、在集成电路版图设计中，器件之间的联接是通过引线孔和金属层联接的，如有源区的引出，多晶硅电阻的联接。（对）40、用EDA软件(如Cadence)画集成电路版图，不需要建立层次和单元，只需用Createrectangle命令一个器件一器件的画，相同的器件用copy命令copy一下就可以了。（错）41、集成电路制造需要在告别净化环境下进行，而光刻区对净化级别要求最高，如普通制造环境为1000级，则光刻区的净化环境则为10000级。（错，光刻区数量级应小于普通环境，如获至宝100级）42、集成电路制造需要在告别净化环境下进行，通常净化室内气压应高于净化室外气压。（对）。43、PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。（对）44、NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。（错，应是P阱，N沟道）45、NMOS源漏城需进行N+型掺杂；（对）46、集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。（对）47、离子注入是集成电路制造中最为重要的工序。（错，应是光刻）48、在现代集成电路加工技术中，主流的掺杂技术是扩散掺杂。（错，应为离子注入）49、先进集成电路加工中，主要采用投影式光刻曝光技术。（对）50、通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。（错，相反）选择选择描述正确的语句：（A）A．UNIX是著名的多用户、多进程、多任务的分时操作系统。B．UNIX是著名的单用户、多进程、多任务的分时操作系统。C．UNIX是著名的多用户、单进程、多任务的分时操作系统。D．UNIX是著名的多用户、多进程、单任务的分时操作系统。当执行下列操作时，可以得到什么信息（A）％whoA．当前用户的登录标识。B．显示主计算机名称。C．显示用户的系统标识。D．显示当前目录。采用下列命令更改文件权限，更改后的文件权限为：(C)%chmod700file1A．rw-r--r--B．rwxr-----C．rwx------D．---rwxrwx帮助命令为：(A)A．manB．moreC．mvD．men以文件名形式查找文件的命令参数为：(A)A．-nameB．-sizeC．-atimeD．-mount通配符用于匹配多个字符，[12345]可以和下列那个选项匹配：(A)A．1B．12C．123D．12345退到根目录的命令为：(B)A．%cd.B．%cd/C．%cd~D．%cd..采用cp命令进行文件拷贝过程中，使用什么参数可以提示拷贝的目的目录有相同文件名的文件存在(B)A．-aB．-iC．-rD．-bSolaris操作系统中，普通用户能在创建新的目录。(D)A．别的用户的宿主目录下B．任何目录下C．同一组中所有用户的宿主目录下D．自己的宿主目录下假设对文件file有操作权限，使file对所有人开放写权限的命令为。(A)A．%chmoda+wfileB．%chmodu+wfileC．%chmoda+rfileD．%chmodu+rfile在一个一般的制程中，下列材料集成电阻，方块电阻（SheetResistance）最大的是(B.)A.扩散电阻B.井电阻 C.多晶硅电阻D.铝层连线电阻一个标准单元库可包括如下信息：（A、B、C、D）A.时序信息 B.逻辑功能信息C.功耗信息D.面积信息下列关于标准单元说法正确的是：（CD）A.标准单元只能采用单层金属连线，但该层可以是所给金属层次中的任意一层。B.标准单元的高度和宽度都是固定的。C.标准单元中必须包含电源线。D.标准单元中的输入输出引脚要放在网格上，以便于自动绕线。在ICFB中完成一个完整的集成电路版图绘制，下列哪些文件是必需的(ABCD)A.Technology文件B.DRC文件 C.LVS文件 D.Display文件标准单元中关于HalfGridSpacing的说法正确的有（ABC）A.它为了保证标准单元在构成芯片以后，其内部各引脚仍在芯片的网格上。B.它在不违反引脚网格约束的前提下，减少了无谓的面积损耗。C.它是指标准单元内部信号连线与单元边界（CellBoundary）的距离为半个网格间距。D.由于标准单元中的引脚应放在网格上，HalfGridSpacing违背了这一规定。一般地，在同一个制程中，下列集成电容，单位面积电容最小的是（A）A.Metal1-to-Metal2B.Metal1-to-Poly2C.Poly1-to-bulkDPoly2-to-Poly1在ICFB启动时，它会按一定的顺序搜索并加载文件，关于这一操作下列说法正确的是（BC）A.ICFB首先搜索其安装目录下面的文件，并始终加载该文件。B.ICFB首先搜索当前目录下的文件，若发现该文件存在，则加载该文件。C.ICFB首先搜索当前目录下的文件，若发现该文件不存在，则搜索用户目录，查看是否有该文件，若有则加载它。D.ICFB首先搜索当前目录下的文件，若发现该文件不存在，则加载安装目录下面的文件。下列由制程引起的版图不匹配有（ABC）A.扩散的不一致性B.注入的不一致性C.CMP引起的非理想平面D.温度梯度下列方法中，用于版图匹配的有（AB）A.器件相邻放置B.器件同方向放置C.在器件周围加金属线D.在器件周围加保护环下列关于DRC文件说明正确的是（BD）A.DRC文件是用来说明设计规则的文件。B.DRC文件中定义了各个层之间的逻辑操作，关系操作等。C.DRC的工作原理是统一的，因此一个DRC文件可以用于各种不同的DRC工具。D.DRC文件是使用来指导工具对版图进行设计规则检查的脚本文件。关于StickDiagram，下列说法正确的是（C）A.StickDiagram包括了所有版图的信息。B.StickDiagram的信息是不完整的，因此它对于版图没有任何帮助。C.StickDiagram是版图的抽象表示，它可以帮助高效的画出版图。D.StickDiagram没有层次的概念。关于LVS,下列说法正确的是（BC）A.LVS出现错误说明原先版图上必定有逻辑连接错误。B.可以通过一些开关控制某些LVS错误的出现和消除。C.和DRC一样，LVS对版图中的各个层进行操作，但它可以把其中的器件抽取出来。D.LVS永远把金属连线作为理想连线来对待，所以，LVS不可能辨认出用金属构建的电阻。关于CrossTalk,下列说法正确的是（BC）A.电路的输出端不能浮空，否则CrossTalk可能会引起电路的误操作。B.CrossTalk是由于连线之间存在耦合电容引起的。C.在两条敏感连线之间加入一条接地金属线，可以减少CrossTalk的影响。D.一般来说，连线上信号的频率越高，CrossTalk影响就越小。下列工具列表中，综合工具为（A），布局布线工具（F）ADesignCompilerB.AllegroC.VirtuosoD.DraculaF.SoCEncounter关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是(ABCD)A.高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C.高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。下列关于Latchup效应说法不正确的是（D）A.衬底耦合噪声是造成Latchup问题的原因之一。B.Latchup效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。C.Latchup效应与两个寄生三极管的放大系数有关。D.Latchup效应与井和衬底的参杂浓度无关。下列关于保护环说法正确的是（ABC）A.保护环的目的是给衬底或井提供均匀的偏置电压。B.保护环可以接在VDD或GND上。C.保护环可以减少衬底耦合噪声对敏感电路的影响。D.保护环无助于Latchup效应的避免。下列哪些属于ERC错误的有（ACD）A.浮动衬底BP衬底接到GND上井接到GND上D.电路短路关于集成电路中的无源器件说法正确的是（ABD）A.集成电路无法高效的实现高值无源器件。B.要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。C.由于制造工艺上的偏差，无源器件的比例容差（RatioTolerance）也必定很大。D.尽管存在制造工艺上的偏差，但是无源器件的比例容差（RatioTolerance）可以控制在很小的范围内。在一个DRC文件中有如下命令： (metal1=(geomOr“metal1”)) ......(ngate=(geomAndndiffpoly1).......(drc(metal1width<))则下列说法正确的是（AD）A.该DRC文件是为Diva写的层上，最小间距为标识某一个MOS管的栅极。D.如果某一条metal1金属线的宽度为，则DRC会报错在VLIW(VeryLongInstructionWord)结构的CPU中，最有效的软件优化方法是_________。B循环展开；软件流水；乱序执行；数据打包。下面是一段MIPS指令，完成内存中取数、相加、和存储的操作：F0,0(R1)(1)F00(R1)F4,F0,F2(2)F4F0+F2F4,0(R1)(3)F40(R1) 指令（1）和指令（3）之间存在_________；指令（1）与指令（2）之间可能会产生_________。C名字相关；写读冲突；名字相关；读写冲突；数据相关；写读冲突；数据相关；读写冲突。控制相关是程序中普遍存在的现象，单独由静态的软件方法不能很好的解决控制相关，_________能够为编译器提供很有效的硬件支持，将控制相关转换为数据相关。C路径调度；超级块调度；条件指令；全局指令调度。下列哪个处理器不属于VLIW结构_________。D A．TI公司的TMS320C6201； B．philips公司的TriMedia；C．equator公司的BSP-15；D．intel公司的pentium。1965年，GordonMoore提出了著名的摩尔定律，指出：每三年晶体管的集成数目就会翻_________番。B A．1； B．2；C．3；D．4。冯.诺依曼结构:也称_________结构，是一种将程序指令存储器和数据存储器_________的存储器结构。A A．普林斯顿，合并； B．普林斯顿，分离；C．哈佛，合并；D．哈佛，分离；下列存储器中，_________是NonVolatile（非易失）存储器。C A．SRAM； B．DRAM；C．FLASH；D．SBSRAM。DDR-SDRAM，SDR-SDRAM的主要区别是DDR-SDRAM_________。CA．上升沿触发； B．下降沿出发；C．双沿触发；D．低电平触发。PCI总线是_________。AA．同步并行总线； B．异步并行总线；C．同步串行总线；D．异步串行总线。为了满足高性能的应用，应当选择_________总线作为片上系统总线。BA．I2C； B．AHB；C．PCI；D．ASB。施主杂质和受主杂质之间有相互抵消作用，通常称为B。A、杂质电离 B、杂质补偿 C、载流子复合 D、载流子迁移通常把服从费米分布的半导体称为A。A、简并半导体 B、非简并半导体C、杂质半导体 D、化合物半导体pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向C。A、复合电流 B、漂移电流 C、扩散电流 D、漏电流双极型晶体管有A。二个pn结。B、一个pn结。C、三个pn结。D、没有pn结。耗尽型NMOS晶体管的阈值电压D。A、大于零 B、等于零。 C、大于 D、小于零当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压A。A、增大 B、减小 C、不变 D、先增大后减小在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流A。A、增大 B、减小 C、不变 D、先减小后增大当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于D状态。A、积累 B、耗尽 C、导通 D、夹断NMOS器件的衬底是B型半导体。A、N型 B、P型 C、本征型 D、耗尽型N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率C。A、相等 B、小 C、大 51.上图中淡黄色为contactlayer,淡紫色为poly1layer,蓝色为activelayer,淡蓝色为nimplantlayer,请问这是什么样的CMOS器件(A)A.是串联的nmos管B是并联的nmos管C.是串联的pmos管D.是并联的pmos管52．上图中淡黄色为contactlayer,淡紫色为poly1layer,蓝色为activelayer,淡蓝色为nimplantlayer,淡绿色为metal1layer请问这是什么样的CMOS器件(B)A.是串联的nmos管B是并联的nmos管C.是串联的pmos管D.是并联的pmos管DRACULA做layout的DRC检查后，应该用vi命令打开那个文件来看错误信息？（C）A后缀名为drc的文件。B后缀名为lvs的文件。C后缀名为sum的文件。D后缀名为com的文件。DRACULA做layout的LVS检查后，应该用vi命令打开那个文件来看错误信息。（B）A后缀名为drc的文件。B后缀名为lvs的文件。C后缀名为sum的文件。D后缀名为com的文件。55、在layout中给金属线加线名标注，即用lable按schematic的Pin的要求对所要标注的金属线进行说明，通常对metal1层加Pin的标注是用下列层次中的哪一层？（B）Ametel1layerBmt1txtlayerCmetal2layerDmt2txtlayer56、在layout中给金属线加线名标注，即用lable按schematic的Pin的要求对所要标注的金属线进行说明，通常对metal2层加Pin的标注是用下列层次中的哪一层？（D）Ametel1layerBmt1txtlayerCmetal2layerDmt2txtlayer57、在集成电路版图设计中，contact层通常是用来做第一层金属层和下列那些层次的通孔层的（

答案不止一个）（BC）Ametal2BactiveCpoly1Dnwell58、在集成电路版图设计中，via1层通常是用来做第一层金属层和下列那些层次的通孔层的？（A）Ametal2BactiveCpoly1Dnwell59、在集成电路版图设计中，CMOS器件中的gate这一层通常是通过contact和那一层金属联接的（B）Ametal1Bmetal260、在集成电路版图设计中，如果想插入一个器件或单元，请问用哪个快捷键？（C）AaBcCiDk61、在集成电路版图设计中，如果想把画过的尺子清除掉，请问用哪个快捷键？

（D）AaBkCiDshiftkCadenceVirtuoso中要用一个technologyfile建立一个新的layoutlibrary时，除了要给一个新的libraryname,还需要选择下列那些步骤？(A)ACompileanewtechfile。BAttachedtoanexistingtechfile。CDon’tneedatechfile。CadenceVirtuoso中要建立一个新的layoutlibrary，并把它附属于一个已经存在的library时，除了要给一个新的libraryname,还需要选择下列那些步骤？(B)ACompileanewtechfile。BAttachedtoanexistingtechfile。CDon’tneedatechfile。64、Cadence软件中可以对一个一个已经存在的library，进行哪些有关technologyfilen的操作(A,BC)A重新load一个techfile。B从这个library里dump出一个techfile。C把这个libraryattche到另外一个library上去。65、在设计Standardcell和6TSRAM的基本单元时，我们都要遵守HalfDesignRule,这个HalfDesignRule通常指什么？(A)AhalfspacingBhalfwidthChalfgrid66、在设计Standardcell和6TSRAM的基本单元时，我们通常都要用prboundrylayer或者markerlayer画一个矩形，覆盖上这个单元里的所有器件，这一层的物理作用是什么？(A)A没什么物理意义，它只是在做单元拼接的时候起一个标记作用。B做联接层。C可以当nwell层用。67、设计analoglayout时，要考虑的问题比作digitallayout多，它通常表现在下列那几个方面(B,C,D)A面积要小B寄生效应(parasitics)C对称（matching）D噪声问题（noiseissues）68、做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的（C）A整个多晶硅的长度B多晶硅中两个引线孔中心点的距离C多晶硅中两个引线孔内侧的距离D多晶硅中两个引线孔外侧的距离69、在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（C）A第一层多晶硅的面积B第二层多晶硅的面积C二层多晶硅重叠后的面积70、在做DRACULA检查（DRC或LVS）时，通常要用Vi编辑命令修改DRC命令文件或LVS命令文件，一般我们只修改那两行（B，C）Aoutdisk（错误输出信息的gds文件名）Bindisk(重新做过StreamOut的gds文件名)CPrimary（topcellname）71、在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为：（A）A、集成电路制造（晶圆加工）；B、集成电路封装；C、集成电路测试；D、集成电路设计72、NMOS是在阱形成的沟道的MOSFET晶体管。（B）A、P阱，P沟；B、P阱、N沟；C、N阱、N沟；D、N阱、P沟。73、NMOS源漏的掺杂类型分别为：（C）A、P+、P+；B、P+，N+；C、N+，N+；D、N+，P+74、在较先进的集成电路制造工艺中，通常采来实现掺杂。（B）A、刻蚀；B、离子注入；C、光刻；D、金属化。75、现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为：（D）A、扩散；B、化学机械抛光；C、刻蚀；D、离子注入。76、集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用：（A）A、溅射物理气相沉积；B、蒸发物理气相沉积；C、等离子增强化学气相沉积；D、低压化学气相沉积77、在集成电路多层布线中，通常采用钨插销连接各层布线的最主要原因：（C）A、钨的导电率比铝更低；B、钨的刻蚀比铝更容易；C、采用化学气相沉积法制备的钨具有更好的填孔能力；D、钨与硅的接触性能更好。78、在集成电路技术中，铜取代铝成为最主要的互连金属的主要原因是：（A）A、铜具有更高的导电率；B、铜具有更低的导电率；C、铜更容易刻蚀加工；D、铜具有更好热导率。79、在大马士革铜工艺中，铜薄膜通常采用（C）方式获得：A、物理气相沉积；B、化学气相沉积；C、电化学镀；D、热氧化。80、表面平垣化的方式有很多种，效果最好的方式是：（D