线性电子电路试题

线性电子电路试题线性电子电路试题线性电子电路试题xxx公司线性电子电路试题文件编号：文件日期：修订次数：第1.0次更改批准审核制定方案设计，管理制度浙江省2003年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每空1分，共20分)1.利用晶体二极管的___________和___________特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。2.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成___________电流，由外加电场引起载流子运动形成___________电流。3.已知某晶体三极管的VBE=,VCE=,则该管工作在区，由___________材料制造。4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是___________电容，集电结的结电容主要是___________电容。5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的___________沟道，其中由___________形成的沟道称为N沟道。6.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈___________关系，故又称该区为___________。7.在晶体管放大器中，即能放大电压也能放大电流的是___________组态放大电路；可以放大电压但不能放大电流的是___________组态放大电路。8.放大电路的失真分为___________和___________两大类。9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是___________，引入交流负反馈的目的是改善放大器的___________。10.深度负反馈条件是___________，此时反馈放大器的增益近似等于___________。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当PN结外加正向电压时，扩散电流(

)漂移电流。A.大于

B.小于

C.等于

D.近似等于2.当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域(

)A.阻挡层

B.耗尽层

C.空间电荷区

D.突变层3.有四个晶体三极管：已知它们的电流放大系数β及穿透电流ICEO的值，使用时选用哪个更合适(

)

A.β=200,ICEO=10μA

B.β=10,ICEO=μA

C.β=50,ICEO=μA

D.β=100,ICEO=10μA4.常温下，某晶体三极管在ICQ=1mA处，rbe=Ω，β=50,则等于(

)。

Ω

Ω

Ω

Ω5.某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是(

)。

沟道结型管

B.耗尽型PMOS管C.耗尽型NMOS管

D.增强型PMOS管6.场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的(

)。A.非饱和区

B.饱和区

C.截止区

D.击穿区7.具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降(

)。

8.集成运算放大器实质上是一种(

)。A.交流放大器

B.高电压增益的交流放大器C.高电压增益的直接耦合放大器

D.高增益的高频放大器9.多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是(

)。A.各级电路的参数很分散

B.回路增益||大C.闭环增益大

D.放大器的级数少10.负反馈可以改善放大器的性能，下述哪种说法不准确(

)A.减少放大器增益

B.改变输入电阻

C.改变输出电阻

D.改善噪声系数三、简答题(每小题5分，共15分)1.设二极管为理想，试判断图三(1)电路中，各二极管是否导通，并求VAO的值。2.设图三(2)所示电路中三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区3.在图三(3)所示电路中，已知MOS管的,VGs(th)=,试求IDQ,VGSQ,VDSQ的值。四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大器电路如图四(1)所示，已知场效应管的gm=2ms,rds忽略不计，所有电容对交流呈短路。求：(1)电压放大倍数Av；(2)输入电阻Ri和输出电阻Ro；(3)只考虑CD的影响，求低端转折频率fL的值。2.差动放大电路如图四(2)所示，已知IEE=1mA，所有管子特性相同，β=100,=0,|VA|=100V，求：(1)差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod；(2)差模电压放大倍数Aυd=υo/(υi1-υi2)；(3)由T3管构成的恒流源的等效内阻ro3.3.电路如图四(3)所示。(1)采用υ01输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路(2)采用υ02输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路(3)假设为深度负反馈，试求第2种情况下的电压增益Aυf=υo2/υi.4.运放电路如图四(4)所示，各运放均为理想，试求(1)υ03和υo(t)及υ02和υ03的关系；(2)写出υo(t)和υs(t)之间的关系式。5．电路如图四(5)所示，所有运放均为理想且最大输出电压为±12V，设υi1=υi2=0V时，υo=+12V(1)当υi1=-10V，υi2=0V时，经过多少时间，υo由+12V跳变为-12V?

(2)υo变成-12V后，υi2由0V变为+15V，求再经过多少时间，υo由-12V跳变为+12V?

(3)说明A1、A2各为什么单元电路。

浙江省2003年7月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题2分，共20分)1.杂质半导体中的多数载流子是由_______产生的，少数载流子是由_______产生的。2.一般而言，击穿电压在6V以下的属于_______击穿，6V以上的主要是_______击穿。3.三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是IC=_______IB，IE=_______IC.4.根据外加电压的不同，晶体三极管的输出特性曲线族可划分为放大区、区、饱和区和_______区。5.已知场效应管VGS(th)=4V，当VGS=6V时，ID=1mA，试写出饱和区转移特性的表达式ID=_______，当VGS=3V时，ID=_______。6.在JFET中，沟道的导电能力受VGS和VDS的控制与MOS管类似，不同的是这种控制是通过改变PN结_______中的_______来实现的。7.放大器中的线性失真可分为_______失真和_______失真两类。8.直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称为_______。采用电容耦合方式是否存在这种现象_______。9.若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用_______负反馈；若希望负载变化时输出电压稳定，则应引入_______负反馈。10.若引入反馈减弱了输入信号的作用，使放大倍数_______，这样的反馈称为_______。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当PN结反向工作时，其结电容主要是(

)。

A.势垒电容

B.扩散电容

C.平板电容

D.势垒和扩散电容并存2.温度升高时，晶体二极管的VD(on)将(

)。

A.增大

B.减小

C.不变

D.近似不变3.晶体管的混合π型等效电路模型在下列哪种情况下才能应用(

)

A.小信号，管子处在饱和区

B.大信号，管子处在放大区

C.小信号，管子处在放大区

D.大信号，管子处在饱和区4.某晶体三极管的iB从20μA变化到40μA时，对应的iC从2mA变化到5mA，则该管的β等于(

)。

沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是(

)。

>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)

>VGS(th),VDS<VGS-VGS(th)

<VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)

<VGS(th),VDS<VGS-VGS(th)6.当场效应管工作在(

)区且限制VDS为小值时，可作为阻值受VGS控制的线性电阻器。

A.饱和

B.截止

C.非饱和

D.击穿7.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的(

)。

A.和值

B.差值

C.迭加

D.平均值8.多级放大电路放大倍数的波特图是(

)。

A.各级波特图的叠加

B.各级波特图的乘积

C.各级波特图中通频带最窄者

D.各级波特图中通频带最宽者9.已知某一放大器的A=100，现要求引入反馈以后增益Af=10，问反馈系数kf应为多少(

)

三、简答题(每小题5分，共15分)1.如图三(1)所示电路中的二极管为理想，试画出电路的传输特性曲线(v0～vi的关系曲线)，并写出分析过程。2.设图三(2)所示电路中的三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区3.图三(3)所示电路中，设两管特性相同，T1管的(W/L)是T2管的5倍，=1000cm2/V·S，Cox=3×10-8F/cm2，(W/L)1=10,VGS(th)=2V，求ID2的值。四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大电路如图四(1)所示，已知晶体管的β=50,γbb′=0Ω，电容对交流短路，γb′e=Ω，γce忽略不计。试求：(1)放大电路的输入电阻Ri和输出电阻R0；(2)电压增益Av和源电压增益Avs.2.图四(2)是高输入阻抗型场效应管差分放大电路，用作高阻型集成运放的输入级。已知gm=2ms，RL=10kΩ，求：(1)差模电压增益Avd；(2)共模电压增益Avc，共模抑制比KCMR.3.反馈放大电路的交流通路如图四(3)所示，试：(1)判别级间反馈的类型；(2)设满足深度负反馈条件，计算源电压增益Avfs=v0/vs.4.理想运放电路如图四(4)所示，求v01、v02、v03的值。5.迟滞电压比较器电路如图四(5)所示，已知稳压管的VZ=，VD(on)=，运放的最大输出电压为±10V，VREF=3V，试：通过分析，画出比较特性(v0～vi)曲线。浙江省2004年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题2分，共20分)1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成______电流，由外电场引起载流子运动，形成______电流。结具有电容特性，正偏时以______电容为主，反偏时以______电容为主。3.晶体三极管的ICBO是指______极开路的情况下，______的电流。4.已知某三极管VBE=，VCE=，则该管工作在______区，是由______材料制造的。管作为开关应用时，其工作状态应在______和______之间转换。6.就VGS而言，增强型MOS管是______极性的，而耗尽型MOS管是______极性的。7.多级直接耦合放大电路的两个主要问题是______和______。8.放大器输入信号为单一频率正弦波，输出为非正弦波，这种失真称为______失真，这时输出信号中将产生______频率成份。9.反馈量来自放大电路的输出电压，而又以电流信号的形式迭加到放大电路的输入端，称此种类型的负反馈是______。这种反馈可以使放大电路的输入电阻______。10.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入______负反馈，若要稳定输出电流应引入______负反馈。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当半导体二极管的反向击穿电压小于6V，主要发生何种击穿现象(

)A.雪崩击穿

B.齐纳击穿C.热击穿

D.碰撞击穿2.一个硅二极管在正向电压VD=时，正向电流ID为10mA，若VD增大到(即增加10%)，则电流ID(

)。A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)C.约为100mA(增大到原先的10倍)D.仍为10mA(基本不变)3.如果将放大电路中的晶体三极管的基极和发射极短路，则(

)。A.管子深饱和

B.发射结反偏C.管子截止

D.集电结烧坏4.测得某放大电路中的三极管三个管脚对地电位分别是2V、、5V，则可判断该管的材料和类型是(

)。A.硅、NPN

B.硅、PNPC.锗、NPN

D.锗、PNP5.场效应管是一种(

)。A.电压控制器件

B.电流控制器件C.双极型器件

D.少子工作的器件6.若场效应管的偏置电压VGSQ=1V，则该管不可能是一个(

)。

沟道结型管

沟道结型管

沟道耗尽型MOS管

沟道增强型MOS管7.需设计一只单级晶体管放大器，要求输入电阻很大，输出电阻小，请选择(

)。A.共射放大

B.共基放大C.共集放大

D.共源放大8.电容耦合放大电路(

)。A.只能放大直流信号B.只能放大缓变信号C.只能放大交变信号D.既能放大直流信号又能放大交流信号9.要得到一个由电流控制的电压源，应选(

)负反馈形式。A.电压串联

B.电压并联C.电流串联

D.电流并联10.深度负反馈电路的放大器增益取决于反馈系数，与基本放大器的放大倍数无关，但基本放大器(

)。A.可以去掉

B.不能去掉C.不一定

D.并不重要三、简答题(每小题5分，共15分)1.已知晶体三极管的静态工作电流ICQ=1mA，｜VA｜=100V，β=100，=100Ω，试画出低频小信号混合π型等效电路，并求出gm，rb、rce的值。2.电路如图三(2)所示，设MOS管的Cox(w/l)=40μA/V2，VGS(th)=-1V，试求V0和ID的值。3.一电流源电路如图三(3)所示，设T1，T2管参数相同，β=100，VBE=。若要使IC2=1mA，VC2≤12V，且R1=R2，试确定电阻R1、R2的最大允许值。四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大电路如图四(1)所示，已知三极管的β=80,rbe=Ω，求(1)放大器的输入电阻Ri；(2)从射极输出时的Au2和R02；(3)从集电极输出时的Au1和R01。2.放大电路如图四(2)所示，设各管的β=100，VBE=，=200Ω。试(1)求T2管的静态工作点(ICQ2、VCQ2)；(2)估算放大器的电压增益Av；(3)求放大器输出电阻R0。3.放大电路如图四(3)所示，所有电容对交流视作短路，(1)判断级间反馈的类型和极性。(2)计算在深负反馈条件下，源电压增益Avfs=v0/vS的表达式。(3)若要求电路参数变化时，电压放大倍数基本不变，如何改接反馈电阻RF并予以说明。4.理想运放组成的电路如图四(4)所示，试求输出电压v0与输入电压vi的关系式，并说明A1、A2实现的功能。5.迟滞比较器电路如图四(5)所示，二极管为理想器件，(1)画出比较特性；(2)设vi=6sint(V)，画出输出波形。(画二个周期)浙江省2004年7月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题1分，共10分)1.半导体是依靠__________和空穴两种载流子导电的。结中的反向击穿现象按物理机制可分为__________和齐纳击穿两大类。3.当晶体三极管工作在发射结加__________、集电结加反偏的模式时，它呈现的主要特性是正向受控作用。4.若测得晶体管的三个电极电位分别是-5V，，-2V，则该管类型是__________。5.场效应管的饱和区又称放大区，它是沟道__________后所对应的工作区。管分为__________种类型。7.三种基本组态晶体管放大电路中，共集组态具有输入电阻高、输出电阻_________的特点。8.在直接耦合多级放大器中存在着需要解决的两个问题：一是级间电平的配合；二是克服_________的有害影响。9.放大电路中，要稳定输出电压，应引入__________负反馈。10.反馈放大器是一个由基本放大器和__________构成的闭合环路。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共30分)1.杂质半导体中多数载流子浓度(

)。A.与掺杂浓度和温度无关

B.只与掺杂浓度有关C.只与温度有关

D.与掺杂浓度和温度都有关2.半导体二极管是温度的敏感器件，当温度增加时，其参数IS和VD(on)都将发生变化，试选择正确答案。(

)。A.IS上升，VD(on)下降

B.IS上升，VD(on)上升C.IS下降，VD(on)下降

D.IS下降，VD(on)上升3.随着温度的升高，晶体三极管的(

)将变小。A.β

B.VBE(on)

C.ICBO

D.ICEO4.晶体管的输出特性曲线分为四个区，请选择哪个区具有基区宽度调制效应(

)A.饱和区

B.放大区

C.截止区

D.击穿区5.N沟道耗尽型MOS管工作在非饱和区的条件是(

)。A.VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)B.VGS>VGS(th),VDS<VGS-VGS(th)C.VGS<VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)D.VGS<VGS(th),VDS<VGS-VGS(th)6.以下场效应管中哪个的衬底必须接在电路中的最高电位上(

)A.P沟道JFET管

B.N沟道DMOS管

C.N沟道EMOS管

D.P沟道EMOS管7.设计一只单级放大器，要求输入阻抗小，输出阻抗大，请选择(

)。A.共射放大

B.共基放大

C.共集放大

D.共源放大8.差分放大器中，用恒流源替代射极电阻Re是为了(

)。A.提高Avd

B.提高Avc

C.提高KCMR

D.提高Rod9.交流负反馈是指(

)。A.只存在于电容耦合电路中的负反馈

B.交流通路中的负反馈

C.放大正弦波信号时才有的负反馈D.变压器耦合电路中的负反馈10.负反馈放大电路中，若满足深度负反馈条件，则反馈信号和输入信号之间应满足(

)。A.

f>i

B.

f≈i

C.

f<i

D.

f=1/i11.纯净半导体中加入+3价元素后，将形成(

)。A.电子型半导体

B.空穴型半导体

C.杂质半导体

D.本征半导体12.PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是(

)。A.VBE>0,VCB>0

B.VBE>0,VCB<0C.VBE<0,VCB>0

D.VBE<0,VCB<013.若已知MOS场效应晶体管的IDSS=10mA,VGS(th)=-4V，VGSQ=-2V。则IDQ为(

)。

A.

B.

C.

D.14.理想差分放大器由单端输出改为双端输出时，其共模抑制比应为(

)。A.无穷大

B.为单端输出时的一半C.为单端输出的2倍

D.零15.对于电压并联负反馈而言，下列哪个回答是正确的(

)。A.输入电阻变大，输出电阻变大B.输入电阻变大，输出电阻变小C.输入电阻变小，输出电阻变大D.输入电阻变小，输出电阻变小三、简答题(每小题5分，共15分)1．判断图三(1)电路中各二极管是否导通，并求VAO的值。设二极管正向导通压降为。

2.图三(2)所示为两级放大电路，若忽略管子的基极电流，β>>1,|VBE(on)|=,求Ic1,Vc1和Ic2的值。3.图三(3)所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值(图中iD的假定正向为流进漏极)四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大电路如图四(1)所示，已知ICQ=1mA,β=100,rbb′=0,|VA|=∞，电容对交流短路，试求：(1)输入电阻Ri和输出电阻Ro；(2)电压增益Av和源电压增益Avs。2.差分放大电路如图四(2)所示，已知T1,T2参数对称，β=100,rbb′=0Ω，I=2mA求：(1)T1的静态工作点(ICQ1、VCQ1)；(2)差模电压增益Avd的值；(3)共模抑制比KCMR的值。

3.反馈放大电路的交流通路如图四(3)所示，试：(1)判别级间反馈的类型；(2)设电路满足深度负反馈条件，计算电压增益Avf=vo/vi

4.电路如图四(4)所示，运放A是理想的，已知R2=5kΩ，R3=1kΩ，C1=47μF，R1=Ω(1)若输入为中频正弦交流信号，求中频增益Avi=vo/vi的值；(2)电路的下限截止频率fL=?

5.电路如图四(5)所示，图中二极管和运放均为理想，试通过分析，绘出vo～vi的关系曲线，要求写出分析过程。

浙江省2005年4月高等教育自学考试线性电子电路试题

课程代码：02340

一、填空题(每小题2分，共20分)

型半导体中多数载流子为__________，少数载流子为__________。结的反向击穿有__________和__________两种击穿。3.三极管工作在饱和状态时，其发射结__________，集电结__________。4.当某三极管VBE=，VCE=，则该管工作在__________区，集电极电流和基极电流关系是__________。5.场效应管的导电过程仅仅取决于__________载流子的运动；因而它又称做__________器件。6.在场效应管放大电路中，就VGS而言，__________型MOS管是单极性的，而__________型MOS管可以是双极性的。7.放大器的失真分为__________失真和__________失真两大类。8.在相同条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移__________，而直接耦合放大电路的零点漂移__________。9.共发射极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________，共基极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________。10.设计一个负反馈放大电路，要使输入电阻增大应引入__________型负反馈，若要稳定输出电压应引入__________型负反馈。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.杂质半导体中少数载流子浓度(

)。A.只与温度有关

B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关

D.与掺杂浓度和温度都无关2.判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量(

)。

3.若三极管的发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则集电极电流为(

)mA。

场效应管是(

)器件。A.电流控制电流

B.电流控制电压C.电压控制电流

D.电压控制电压5.在差动式放大电路中，共模输入信号等于两个输入端信号的(

)。A.和值

B.差值C.平均值

D.乘积值6.由PNP管组成的共射放大电路，若测得VCEQ=-VCC,-VCC为电源电压，则可判断该三极管处于(

)。A.放大状态

B.饱和状态C.截止状态

D.击穿状态7.希望放大器具有大的输入电阻和稳定的输出电流，应引入(

)负反馈。A.电压串联

B.电压并联C.电流串联

D.电流并联8.共集电极电路信号从(

)。A.基极输入，集电极输出

B.发射极输入，集电极输出C.基极输入，发射极输出

D.发射极输入，基极输出9.集成运算放大电路的输入级通常采用(

)电路。A.共集电极放大

B.共发射极放大C.差动放大

D.共基极放大三、简答题(每小题5分，共15分)1.试分析图三(1)所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

2.电路如图三(2)所示，已知MOS管的μnCox()=250μA/V2,VGs(th)=,试求ID,VGS,VDS的值。

3.图三(3)所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值(图中iD的假定正向为流进漏极)

四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.电路如图四(1)所示，晶体管的β＝80，rbe=1kΩ。（1）求出Q点；（2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的和Ri；（3）求出Ro。

2.放大电路如图四(2)所示，T1管和T2管的β均为40，rbe均为3kΩ。试问：若输入直流信号uI1=20mv，uI2=10mv，则电路的共模输入电压uIC=差模输入电压uId=输出动态电压△uo=?

3.放大电路如图四(3)。要求：（1）指出级间反馈支路，判断其反馈类型；（2）按深度负反馈估算其闭环放大倍数；（3）说明输入电阻和输出电阻的变化趋势。

4.电路如图四(4)所示，设图示电路中的运算放大器为理想的，电阻阻值在图中已标出。试写出Uo/Ui=?

浙江省2006年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。型半导体中多数载流子为___________________，少数载流子为___________________。结反偏，内电场增强，空间电荷区变宽，___________________运动减弱，___________________运动加强，PN结截止，电阻大。3.为保证三极管工作在放大状态UC、UB、UE之间的关系是：对NPN型：_______________；对PNP型：___________________。4.当某三极管VBE=，VCE=，则该管工作在______________区，是由__________材料制造的。5.场效应管从结构上分成___________________和___________________两种类型。6._________________沟道结型场效应管的夹断电压VGS（off）为正，_________________沟道结型场效应管的夹断电压VGS（off）为负。7.多级放大电路连接（耦合）的两个主要方式是________________连接和________________连接。8.共漏极放大电路具有输入电阻___________________输出电阻___________________的特点。9.集成运算放大器的两个输入端是___________________输入端和___________________输入端。10.为了减小