PECVD工艺指导书模版

PECVD工艺操作规程车间:电池车间编制:审核:审定:批准:时间:202375-1-序言为更好地保证PECVD,稳定生产工艺,提高PECVD品质量,进一步保证电池产品性能,特制定本作业指导书,以使操作人员的工艺操作有章可循,标准统一,同时,为员工的上岗培训供给教材参考。-2-名目一、工艺目的二、使用范围三、责任四、设备及工具五、材料与工艺气体六、工艺描述1、工艺原理2、工艺条件3、工艺方案七、工艺预备1、工艺干净预备2、设备预备3、原材料预备4、工装工具预备八、工艺操作1、工艺循环2、装载3、卸载九、测试膜厚及折射率十、安全、标准操作十一、记录及转交1椭偏仪操作规程-3-PECVD工艺操作规程一、工艺目的：在硅片外表沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜二、适用范围PECVDOTB设备三、责任本工艺操作规程由工艺工程师负责四、设备及工具OTB设备、石墨舟、高温隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、不锈钢桌架、椭偏仪、机械手五、材料与工艺气体湿法刻蚀后合格的多晶硅片、硅烷、氨气\氩气、氮气、压缩空气。六、工艺描述1、工艺原理6.1〔SiH4)〔NH3〕将其激发为等离子体状态，SiN〔Si3N4〕薄膜，起到减反射和钝化的作用。反响如下：3SiH4+4NH3====Si3N4+12H2↑实际上生成物并不是完全的氮化硅〔Si34，其中还有确定比例的氢原子SixNyHz2、工艺条件5-74-640psi，-4-40psi400℃。PSI表示磅每平方英寸。七、工艺预备1、工艺干净治理操作时戴干净的手套、口罩，并且保证每班清理现场及设备卫生，以保证车间的干净度。2、设备预备确认设备正常运行：工艺温度、冷却水压力、特气压力及流量等。3、原材料预备不合格片包括崩边、缺角、裂纹、锯痕、斑点、尺寸不合格等。4、工装工具预备备齐用于工艺生产的石墨舟、隔热手套、PVC手套、口罩、镊子等。八、工艺操作1、工艺循环首先选择工艺方案，进展工艺循环，此过程为自动运行。数状况。2、装卸载自动转载、卸载操作及留意事项详见“OTB3、将合格硅片与随工单一起转下工序。常见不合格硅片有崩边、缺角、裂纹、碎片、变色、斑点、穿孔、颜色不均匀等。色、斑点、穿孔、颜色不均匀等。九、测试膜厚及折射率4绒面硅片经PECVD镀膜后减反射膜厚度目标平均值为92±2nm；外表折射率平均目标值为2.05±0.032.0-2.15，超出目标范围应当马上通知当班技术员进展调整处理。-5-85-97nm1.95-2.16应当对PECVD90120十、安全、标准操作、员工须经相关专业培训前方能上岗，且严格依据本工序设备安全操作规程和工艺指导书作业。、硅片的装卸应当在标准为三十万级的干净环境下进展，留意保持车间及操作台干净PVC3SE必需使用镊子，镊子要保持干净；4、SE后非镀膜面边缘有很明显的刻蚀痕迹，切勿将硅片放反，以免造成不合格电池，无法确认的作为外表挑出。5、PECVD装载区操作人员应时刻留意PECVD设备的运行状况，常常观看设备电脑界面下传硅片并通知印刷工序停顿印刷本设备已下传硅片，同时通知班组长与技术人员处理。6、PECVD卸载区操作人员留意将镀膜后外表不合格片及其他各种不合格挑出，当外表，上交二级库。十一、记录及转交工单并准时依据要求下传。-6-1椭偏仪操作规程一.目的使用椭偏仪测量经PECVD镀膜后的SiN膜的厚度(d)和折射率(n)。二.适用范围CENTECHSE400advanced型号的椭偏仪。三.设备主要性能及相关参数设备型号：SE400advanced设备构成：包括632.8nm、椭圆偏振光承受和分析器组成。此局部完成整个光学局部的测试。BPC四.运行前的检查主要检查设备光学仪器局部是否损坏和电脑是否可正常使用。五.设备操作启动软件器连续运转。SE400advancedC:\programfiles\SE400Adv\ApplicationFrame\SiAFrame.exe.使用资源治理器或者直接双击桌面的SE400advanced图标，启动软件。-7-Fig.错误！文档中没有指定样式的文字。-1:SE400advanced图标软件翻开时会自动进入上次退出时的登陆用户界面。Fig.错误！文档中没有指定样式的文字。-2:SE400advanced用户认证“Logon“，能够添加、更改或删除用户和用户权限。用户主窗口11342Fig.错误！文档中没有指定样式的文字。-3:SE400advanced主窗口-8-式。绿色。假设显示不为绿色，请检查椭偏仪和把握器之间的网络连接是否正常，并检查屏幕右下角的任务栏的网络状态。样品测试08Si3N4onsilicon100nm.2〕将样品平放于测试台，并定位3〕通过按来开头测量，测量完成后，结果被显示在主结果区〔3〕和protocol区〔4。测量选项在“Measurementoptions“页面中，能够依据测量的数值计算方法、数值极限和结果报告，对一些设定进展更改。此外，设定入射角度和对多角度测量所使用角度的选择，也能够在这里进展。Fig.错误！文档中没有指定样式的文字。-4:(测量)-9-测量任务Psi测量任务Psi，Delta椭偏角度的测量。Substratens，ksfreesurface.模型时，基底的复折射率。Thickness射率时，膜层的厚度；开头膜厚由用户给出或由CER测量给出。使用单层膜模型时，膜层的厚度和折射率(基底的Thickness+n复折射率作为固定值)。开头膜厚由用户给出或由CER测量给出。Thickness+n+absorption 数，使用“Thickness+n”模型，椭偏仪需要用多角度测量。Twolayers多角度测量状况下，双层膜的厚度。模型选项页面“Model“包含了全部对测量进展分析的参数。软件所使用的默认模型为在吸取基底上的三层吸取膜。SENTECH材料库，可通膜层名字右边的按钮使用材料库。-10-Fig.错误！文档中没有指定样式的文字。-5:模式选项(模型)Fig.错误！文档中没有指定样式的文字。-6:SE400advanced材料库模型参数的描述在下表给出：NsNs基底折射率Ks基底吸取系数Na四周环境的折射率(空气:n=1)Ka四周环境的吸取系数(空气:k=0)-11-PhiPhi入射角(垂直时入射角=0°)La激光波长(nm)Nu上层膜的折射率Ku上层膜的吸取系数(通常为负)Du上层膜的厚度Nm中间层膜的折射率Km中间层膜的吸取系数Dm中间层膜的厚度Nl底层膜的折射率Kl底层膜的吸取系数Dl底层膜的厚度

Tab.错误！文档中没有指定样式的文字。-1:三层膜模型的参数总结SENTECHSE400advanced程序。六.留意事项被测片放于测试台，测试时留意片子不要移动，以使测试准确。测试时假设参数有较大偏差〔n2.05-2.1，d84-92nPECVD工艺问题，再考虑椭偏仪本身是否测试准确。Degreeofpola