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文档简介

标准磁聚焦和电子荷质比的测量【实验目的】1、学习测量电子荷质比的一种方法。【实验原理】1、示波管的简单介绍:示波管结构如图1所示示波管包括有:(1)一个电子枪,它发射电子,把电子加速到一定速度,并聚焦成电子束;(2)一个由两对金属板组成的偏转系统;(3)一个在管子末端的荧光屏,用来显示电子束的轰击点。所有部件全都密封在一个抽成真空的玻璃外壳里,目的是为了避免电子与气体分子碰撞而引起电子束散射。接通电源后,灯丝发热,阴极发射电子。栅极加上相对于阴极的负电压,它有两个作用:①一方面调节栅极电压的大小控制阴极发射电子的强度,所以栅极也叫控制极;②另一方面栅极电压和第一阳极电压构成一定的空间电位分布,使得由阴极发射的电子束在栅极附近形成一个交叉点。第一阳极和第二阳极的作用一方面构成聚焦电场,使得经过第一交叉点又发散了的电子在聚焦场作用下又会聚起来;另一方面使电子加速,电子以高速打在荧光屏上,屏上的荧光物质在高速电子轰击下发出荧光,荧光屏上的发光亮度取决于到达荧光屏的电子数目和速度,改变栅压及加速电压的大小都可控制光点的亮度。水平偏转板和垂直偏转板是互相垂直的平行板,偏转板上加以不同的电压,用来控制荧光屏上亮点的位置。2、电子的加速和电偏转:为了描述电子的运动,我们选用了一个直角坐标系,其z轴沿示波管管轴,x轴是示波管正面所在平面上的水平线,y轴是示波管正面所在平面上的竖直线。文案从阴极发射出来通过电子枪各个小孔的一个电子,它在从阳极A2射出时在z方向上具有速度vZ;vZ的值取决于K和A2之间的电位差V2=VB+VC(图2)。电子从K移动到A2,位能降低了e•V2;因此,如果电子逸出阴极时的初始动能可TOC\o"1-5"\h\z以忽略不计,那么它从A,射出时的动能1m•v2就由下式确定:2 2z\o"CurrentDocument"m•v2=e•V (1)z 2此后,电子再通过偏转板之间的空间。如果偏转板之间没有电位差,那么电子将笔直地通过。最后打在荧光屏的中心(假定电子枪描准了中心)形成一个小亮点。但是,如果两个垂直偏转板(水平放置的一对)之间加有电位差丫膜使偏转板之间形成一个横向电场Ey,那么作用在电子上的电场力便使电子获得一个横向速度vy,但却不改变它的轴向速度分量vz,这样,电子在离开偏转板时运动的方向将与z轴成一个夹角6,而这个6角由下式决定:vtg6=一 (2)如图3所示。果知道了偏转电位差和偏转板的尺寸,那么以上各个量都能计算出来。设距离为d的两个偏转板之间的电位差Vd在其中产生一个横向电场Ey=Vd/d,从而对电子作用一个大小为Fy=eEy=eVd/d的横向力。在电子从偏转板之间通过的时间At内,这个力使电子得到一个横向动量mvy,而它等于力的冲量,即

(3)Atm•v=F•At=e•V•—(3)eVA于是: v=—•~d•At (4)md然而,这个时间间隔At,也就是电子以轴向速度v通过距离l(l等于偏转板的长度)所需要的时间,因此l=vzAt。由这个关系式解出Atz代入冲量一动量关系式zeVl结果得: v=一•中• (5)mdvz这样,偏转角6就由下式给出:ve•V•ltg6=y= d (6)vd•m•v2再把能量关系式(1)代入上式,最后得到:zltg6=—•—— (7)2d这个公式表明,偏转角随偏转电位差Vd的增加而增大,而且,偏转角也随偏转板长度l的增大而增大,偏转角与d成反比,对于给定的总电位差来说,两偏转板之间距离越近,偏转电场就越强。最后,降低加速电位差V2二Vb+Vc也能增大偏转,这是因为这样就减小了电子的轴向速度,延长了偏转电场对电子的作用时间。此外,对于相同的横向速度,轴向速度越小,得到的偏转角就越大。电子束离开偏转区域以后便又沿一条直线行进,这条直线是电子离开偏转区域那一点的电子轨迹的切线。这样,荧光屏上的亮点会偏移一个垂直距离D,而这个距离由关系式D=Ltg6确定;这里L是偏转板到荧光屏的距离(忽略荧光屏的微小的曲率),如果更详细地分析电子在两个偏转板之间的运动,我们会看到:这里的L应从偏转板的中心量到荧光屏。于是我们有:lD=L•—•—— (8)22d3、电聚焦原理:图4图4显示了电子枪各个电极的截面,加速场和聚焦场主要存在于各电极之间的区域。图5是A1和A2这个区域放大了的截面图,其中画出了一些等位面截线和一些电力线。从A1出来的横向速度分量为vr的具有离轴倾向的电子,在进入A1和A2之间的区域后,被电场的横向分量推向轴线。与此同时,电场E的轴向分量Ez使电子加速;当电子向A2运动,进入接近A2的区域时,那里的电场E的横向分量Er有把电子推离轴线的倾向。但是由于电子在这个区域比前一个区域运动得更快,向外的冲量比前面的向内的冲量要小,所以总的效果仍然是使电子靠拢轴线。4、电子的磁偏转原理:电力线---等位线在磁场中运动的一个电子会受到一个力加速,这个力的大小F与垂直于磁场方向的速度分量成正比,而方向总是既垂直于磁场B又垂直于瞬时速度v。从F与v电力线---等位线图5电子聚焦图6电子从电子枪发射出来时,其速度v由下面能量关系式决定:m•v2=e•V=e•(V+V)2 2 BC电子束进入长度为l的区域,这里有一个垂直于纸面向外的均匀磁场B,由此引起的磁场力的大小为F=e•v•B,而且它始终垂直于速度,此外,由于这个力所产生的加速度在每一瞬间都垂直于v,此力的作用只是改变v的方向而不改变它的大小,也就是说。粒子以恒定的速率运动。电子在磁场力的影响下作圆弧运动。因为圆周运动的向心加速为v2/R,而产生这个加速度的力(有时称为向心力)必定为m•v2/R,所以圆弧的半径很容易计算出来。向心力等于F=e•v•B,因而m•v2/R=e•v•B即R=mv/eB。电子离开磁场区域之后,重新沿一条直线运动,最后,电子束打在荧光屏上某一点,这一点相对于没有偏转的电子束的位置移动了一段距离。5、磁聚焦和电子荷质比的测量原理:

置于长直螺线管中的示波管,在不受任何偏转电压的情况下,示波管正常工作时,调节亮度和聚焦,可在荧光屏上得到一个小亮点。若第二加速阳极A2的电压为V2,则电子的轴向运动速度用Vz表示,则有v=:2e•V2 (9)zm当给其中一对偏转板加上交变电压时,电子将获得垂直于轴向的分速度(用v表示),r此时荧光屏上便出现一条直线,随后给长直螺线管通一直流电流I,于是螺线管内便产生磁场,其磁场感应强度用B表示。众所周知,运动电子在磁场中要受到罗伦磁力F=evrB的作用(vz方向受力为零),这个力使电子在垂直于磁场(也垂直于螺线管轴线)的平面内作园周运动,设其园周运动的半径为R,则有:m•v2 m•ve•v•B= -即R= rr R e•B圆周运动的周期为:2兀•R2兀•mT= = v e•B电子既在轴线方面作直线运动,又在垂直于轴线的平面内作园周运动。它的轨道是一条螺旋线,其螺距用h表示,则有:h=v•T=2"♦m•v (12)ze•Bz从(11)、(12)两式可以看出,电子运动的周期和螺距均与vr无关。虽然各个点电子的径向速度不同,但由于轴向速度相同,由一点出发的电子束,经过一个周期以后,它们又会在距离出发点相距一个螺距的地方重新相遇,这就是磁聚焦的基本原理,由(12)式可得(13)e/m=8兀2•V/h2•B2(13)长直螺线管的磁感应强度B,可以由下式计算:(14)B-丫N•1(14)<L2+D2(15)将(14)代入(13),可得电子荷质比为:(15)e/m=8兀2•V•(L2+D2)/口2•N2•h2•I2

2 0屋为真空中的磁导率日0-4兀*10-7亨利/米【实验仪器】DZS-D型电子束实验仪(仪器面板功能分布见下图)图中:1—阳极电压表2一实验仪面板 3—聚焦电压表4—Y轴偏转极板插座5-X轴偏转极板插座6—电偏转电压表7一励磁电流表8—电偏转电压输入插座9、11一励磁电流输出插座10—保险丝管座12一磁偏转与磁聚焦电流量程转换按钮13一磁偏转与磁聚焦电流调节旋钮14—电子束与示波器功能转换开关(K2) 15—电子束X偏转电压调节16一电子束X轴光点调零17一电子束Y偏转电压调节18一电子束Y轴光点调零19一电子束与示波器功能转换开关(K1) 20—阳极高压调节21一聚焦调节22—示波管亮度调节23一磁聚焦电流输入插座24—磁聚焦电流换向开关 25—磁聚焦螺线管26—磁偏转线圈 27一线圈安装面板28—示波管29—有机玻璃防护罩30—示波管安装座31—机箱32—磁偏转电流输入插座DZS-D型电子束实验仪主要参数如下:螺线管的长度:L=0.234m,螺线管的线圈匝数:N=526T,螺线管的直径:D=0.090m,螺距:(Y偏转板至荧光屏距离)h=0.145m,(X偏转板至荧光屏距离)hx=0.115m。【实验内容及步骤】(1)按图9所示接线(2)把主机“励磁电流输出”两插座与螺线管前面板“励磁电流输入”的两插座用导线连接,把“电流调节”旋钮逆时针旋到底。rm直,(rm直,(3)开启电子束测试仪电源开关,“电子束一荷质比”转换开关K1置于“荷质比”位K2置于“电子束”位置,此时荧光屏上出现一条直线,把阳极电压调到700V。(4)“释放电流转换”按钮,“0〜3.5A”档指示灯亮,顺时针转动“电流调节”旋图9磁聚焦和电子荷质比的测量接线图钮,逐渐加大电流使荧光屏上的直线一边旋转一边缩短,直到变成一个小光点。读取电流值,然后将电流值调为零。再将螺线管前面板上的电流换向开关扳到另一方,再从零开始增加电流使屏上的直线反方向旋转并缩短,直到再一次得到一个小光点,读取电流值并记录到表格4-1中。通过计算,求得电子荷质比e/m。(5)改变阳极电压为800V,重复步骤(4)。(6)实验结束,请先把励磁电流调节旋钮逆时针旋到底。【数据记录和处理】一一^_电压电流700(V)800(V)1正向⑹1.521.60【反向⑹1.421.561平均⑹1.471.58电子荷质比e/m(C/kg)1.750x10ii

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