电力电子器件的驱动汇总课件

第九章

电力电子器件的驱动与保护第九章电力电子器件的9.1.1电力电子器件驱动电路概述驱动电路——主电路与控制电路之间的接口，是电力装置的重要环节，对整个装置的性能有很大的影响。使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。对器件或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。9.1.1电力电子器件驱动电路概述驱动电路——主电路与控制驱动电路的基本任务：将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。

对半控型器件只需提供开通控制信号。对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。单从原理上说，驱动电路主要起开关功率放大的作用，即脉冲放大器。但是电力电子器件的开关特性与驱动电路的性能密切相关。同样的器件，采用不同的驱动电路往往会得到不同的开关特性。驱动电路的基本任务：

驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。

光隔离一般采用光耦合器

磁隔离的元件通常是脉冲变压器光耦合器的类型及接法a)普通型b)高速型c)高传输比型驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱动型。驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分，9.1.2晶闸管的触发电路作用：产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。广义上讲，整个触发电路应包括相位控制电路和触发脉冲的放大及输出环节。今天我们先讨论放大、输出部分，相控部分后面讲述。9.1.2晶闸管的触发电路作用：产生符合要求的门极触发脉冲晶闸管触发电路应满足下列要求：触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通（结合擎住电流的概念）。一般：电阻性负载电路20~50μs

电感性负载电路1ms

三相电路宽脉冲、双窄脉冲（>=600）触发脉冲应有足够的幅度。为使并联的晶闸管能同时导通，要求能够产生强触发脉冲。强触发电流的幅值为一般触发电流的5倍左右。3）应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。晶闸管触发电路应满足下列要求：4）不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。5）各触发脉冲必须同步，移相范围符合要求。常见的晶闸管触发电路4）不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。常理想的晶闸管触发脉冲电流波形t1~t2脉冲前沿上升时间（<1s）t1~t3强脉宽度IM强脉冲幅值（3IGT~5IGT）t1~t4脉冲宽度I脉冲平顶幅值（1.5IGT~2IGT）V1、V2构成脉冲放大环节脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节

V1、V2导通时，通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。VD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设。理想的晶闸管触发脉冲电流波形V1、V2构成脉冲放大环节9.1.3典型全控型器件的驱动电路1.

电流驱动型器件的驱动电路1)GTOGTO的开通控制与普通晶闸管相似，但对脉冲前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整个导通期间施加正门极电流。使GTO关断需施加负门极电流，对其幅值和陡度的要求更高，关断后还应在门阴极施加约5V的负偏压以提高抗干扰能力。推荐的GTO门极电压电流波形9.1.3典型全控型器件的驱动电路1.电流驱动型器件的驱GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿，因此目前应用较广，但其功耗大，效率较低。GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电典型的直接耦合式GTO驱动电路：典型的直接耦合式GTO驱动电路典型的直接耦合式GTO驱动电路：典型的直接耦合式GTO驱动电

二极管VD1和电容C1提供+5V电压二极管VD1和电容C1提供+5V电压VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压VD4和电容C4提供-15V电压VD4和电容C4提供-15V电压V1开通时，输出正强脉冲

V2开通时输出正脉冲平顶部分

V2关断而V3开通时输出负脉冲

V3关断后R3和R4提供门极负偏压V1开通时，输出正强脉冲理想的GTR基极驱动电流波形2)GTR开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗，关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。理想的GTR基极驱动电流波形2)GTRGTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分GTR的一种驱动电路GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分GT

二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成贝克箝位电路，也即一种抗饱和电路，负载较轻时，如V5发射极电流全注入V，会使V过饱和。有了贝克箝位电路，当V过饱和使得集电极电位低于基极电位时，VD2会自动导通，使多余的驱动电流流入集电极，维持Ubc≈0。

C2为加速开通过程的电容。开通时，R5被C2短路。可实现驱动电流的过冲，并增加前沿的陡度，加快开通。二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成贝克箝位电路，也电压驱动型器件的驱动电路栅源间、栅射间有数千皮法的电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15~20V。关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5~-15V）有利于减小关断时间和关断损耗。在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小。电压驱动型器件的驱动电路1)电力MOSFET的一种驱动电路：

电气隔离和晶体管放大电路两部分电力MOSFET的一种驱动电路

无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压。当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压

。专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。1)电力MOSFET的一种驱动电路：电力MOSFET的2)IGBT的驱动

多采用专用的混合集成驱动器M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图

常用的有三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）内部具有退饱和检测和保护环节，当发生过电流时能快速响应但慢速关断IGBT，并向外部电路给出故障信号。

M57962L输出的正驱动电压均为+15V左右，负驱动电压为-10V。2)IGBT的驱动M57962L型IGBT驱动器的原理和相对于电机、继电器和接触器等控制电器而言，晶闸管承受过电压和过电流的能力较差，其击穿电压比较接近工作电压，所以短时间的过电压和过电流就会把器件损坏。若以暂时的过电压、过电流的数值确定参数，又会造成浪费，为了充分发挥器件应有的过载能力，保护措施就是提高电力电子装置可靠能力的重要环节。保护的目的有两个：①防止故障的发生②减小故障后的损失9.2.1过电压的产生及过电压保护相对于电机、继电器和接触器等控制电器而言，晶闸管承受过电压和电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因

(1)

操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起电容、电感中存储的能量的瞬间释放产生的过电压。

(2)

浪涌（雷击）过电压：由雷击等偶然原因引起的从电网侧进入变流装置的过电压，其幅值很高电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程

(1)换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断，因而有较大的反向电流流过，当恢复了阻断能力时，该反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压。

(2)关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。保护原则：将过电压的幅值抑制到安全的限度以内。内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程保护原则：将

图1-34过电压抑制措施及配置位置F避雷器D变压器静电屏蔽层C静电感应过电压抑制电容RC1阀侧浪涌过电压抑制用RC电路RC2阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路RV压敏电阻过电压抑制器RC3阀器件换相过电压抑制用RC电路RC4直流侧RC抑制电路RCD阀器件关断过电压抑制用RCD电路过电压保护措施图1-34供电网一侧称网侧（交流侧），电力电子电路一侧称阀侧（直流侧）保护中主要使用:非线性元件限制幅度;

用电阻消耗能量;

用储能元件吸收能量其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电路范畴电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种供电网一侧称网侧（交流侧），电力电子电路一侧称阀侧（直流侧）外因过电压抑制措施中，RC过电压抑制电路最为常见，典型联结方式见下图。RC过电压抑制电路联结方式a)单相b)三相

RC过电压抑制电路可接于供电变压器的两侧（供电网一侧称网侧，电力电子电路一侧称阀侧），或电力电子电路的直流侧。外因过电压抑制措施中，RC过电压抑制电路最为常见，典型联结方大容量电力电子装置可采用图所示的反向阻断式RC电路反向阻断式(三相整流式)过电压抑制用RC电路大容量电力电子装置可采用图所示的反向阻断式RC电路反向阻断式参数计算：

单相阻容保护时电阻、电容的计算

对阻容保护还不能吸收或抑制的过电压就要用非线性元件进行保护了。非线性元件包括：用雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转折二极管（BOD）等。i%:变压器激磁电流百分比UK%:变压器的短路电压百分比S:变压器容量U2:变压器二次侧二次侧相电压有效值参数计算：对阻容保护还不能吸收或抑制的过电压就要用非线性元过电流——当变流装置内部某一器件击穿，或者出现短路，触发电路发生故障，外部出现过载，直流侧短路，可逆系统产生换流或逆变失败，以及电源电压过高或过低，缺相等，均可能引起电流超过正常工作电流。

9.2.2过电流的保护过电流——当变流装置内部某一器件击穿，或者出现短路，触发电路

常用措施如下图过电流保护措施及配置位置常用措施如下图过电流保护措施及配置位置采用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。一般有三种接法。选择快熔时应考虑：(1)电压等级根据熔断后快熔实际承受的电压确定。(2)电流容量按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确定。(3)快熔的I2t值应小于被保护器件的允许I2t值。(4)为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性。采用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保快熔对器件的保护方式：全保护和短路保护两种全保护：过载、短路均由快熔进行保护，适用于小功率装置或器件裕度较大的场合。短路保护方式：快熔只在短路电流较大的区域起保护作用。对重要的且易发生短路的晶闸管设备，或全控型器件（很难用快熔保护），需采用电子电路进行过电流保护。常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，响应最快。快熔对器件的保护方式：全保护和短路保护两种9.2.3

缓冲电路缓冲电路又称为吸收电路，主要是用于抑制电力电子器件的内因过电压、过电流、du/dt、di/dt，减小器件的开关损耗。缓冲电路又可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路，分别抑制du/dt和di/dt。关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起使用时称为复合缓冲电路。若使用电阻吸收储能元件中的能量，则称为耗能式缓冲电路；若将储能元件中的能量回馈给负载或电源，则称其为馈能式缓冲电路。通常缓冲电路专指关断缓冲电路，而将开通缓冲电路称为di/dt抑制电路。9.2.3缓冲电路缓冲电路又称为吸收电路，主要是用于抑制缓冲电路作用分析无缓冲电路：V开通时电流迅速上升，di/dt很大。关断时du/dt很大，并出现很高的过电压。有缓冲电路：V开通时：Cs通过Rs向V放电，使iC先上一个台阶，以后因有Li，iC上升速度减慢。V关断时：负载电流通过VDs向Cs分流，减轻了V的负担，抑制了du/dt和过电压。di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a)电路b)波形缓冲电路作用分析di/dt抑制电路和关断时的负载曲线负载线ADC安全，且经过的都是小电流或小电压区域，关断损耗大大降低。无缓冲电路时：uCE迅速升，L感应电压使VD通，负载线从A移到B，之后iC才下降到漏电流的大小，负载线随之移到C。有缓冲电路时：Cs分流使iC在uCE开始上升时就下降，负载线经过D到达C。关断时的负载线关断时的负载曲线负载线ADC安全，且经过的都是小电流或小电压充放电型RCD缓冲电路，适用于中等容量的场合。

下图表示出另两种，其中RC缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件。另外两种常用的缓冲电路RC吸收电路放电阻止型RCD吸收电路充放电型RCD缓冲电路，适用于中等容量的场合。下图表示出缓冲电路中的元件选取及其他注意事项Cs和Rs的取值可实验确定或参考工程手册。VDs必须选用快恢复二极管，额定电流不小于主电路器件的1/10。尽量减小线路电感，且选用内部电感小的吸收电容。中小容量场合，若线路电感较小，可只在直流侧设一个du/dt抑制电路。

对IGBT甚至可以仅并联一个吸收电容。晶闸管在实用中一般只承受换相过电压，没有关断过电压，关断时也没有较大的du/dt，一般采用RC吸收电路即可。缓冲电路中的元件选取及其他注意事项9.3电力电子器件器件的串联和并联使用

9.3.1

晶闸管的串联

9.3.2

晶闸管的并联9.3.3

电力MOSFET和IGBT并联运行的特点9.3电力电子器件器件的串联和并联使用9.3.1

9.3.1

晶闸管的串联目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联。问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀。静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等。承受电压高的器件首先达到转折电压而导通，使另一个器件承担全部电压也导通，失去控制作用。反向时，可能使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿。9.3.1晶闸管的串联目的：当晶闸管额定电压小于要求时静态均压措施：选用参数和特性尽量一致的器件采用电阻均压，Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多。晶闸管的串联a)伏安特性差异b)串联均压措施静态均压措施：晶闸管的串联动态不均压——由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压。动态均压措施：选择动态参数和特性尽量一致的器件。用RC并联支路作动态均压。采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间上的差异。降低电压额定值使用。动态不均压——由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压。

9.3.2

晶闸管的并联目的：多个器件并联来承担较大的电流问题：会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀。9.3.2晶闸管的并联目的：多个器件并联来承担较大的电均流措施：挑选特性参数尽量一致的器件。强迫分流法动态均流（1）采用均流电抗器（2）采用均流互感器用门极强脉冲触发也有助于动态均流。当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接。均流措施：9.3.3电力MOSFET和IGBT并联运行的特点电力MOSFET并联运行的特点Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联。注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联。电路走线和布局应尽量对称。可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用。

IGBT并联运行的特点在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负的温度系数。在以上的区段则具有正温度系数。并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联。9.3.3电力MOSFET和IGBT并联运行的特点电力MO第九章

电力电子器件的驱动与保护第九章电力电子器件的9.1.1电力电子器件驱动电路概述驱动电路——主电路与控制电路之间的接口，是电力装置的重要环节，对整个装置的性能有很大的影响。使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。对器件或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。9.1.1电力电子器件驱动电路概述驱动电路——主电路与控制驱动电路的基本任务：将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。

对半控型器件只需提供开通控制信号。对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号。单从原理上说，驱动电路主要起开关功率放大的作用，即脉冲放大器。但是电力电子器件的开关特性与驱动电路的性能密切相关。同样的器件，采用不同的驱动电路往往会得到不同的开关特性。驱动电路的基本任务：

驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。

光隔离一般采用光耦合器

磁隔离的元件通常是脉冲变压器光耦合器的类型及接法a)普通型b)高速型c)高传输比型驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱动型。驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分，9.1.2晶闸管的触发电路作用：产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。广义上讲，整个触发电路应包括相位控制电路和触发脉冲的放大及输出环节。今天我们先讨论放大、输出部分，相控部分后面讲述。9.1.2晶闸管的触发电路作用：产生符合要求的门极触发脉冲晶闸管触发电路应满足下列要求：触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通（结合擎住电流的概念）。一般：电阻性负载电路20~50μs

电感性负载电路1ms

三相电路宽脉冲、双窄脉冲（>=600）触发脉冲应有足够的幅度。为使并联的晶闸管能同时导通，要求能够产生强触发脉冲。强触发电流的幅值为一般触发电流的5倍左右。3）应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。晶闸管触发电路应满足下列要求：4）不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。5）各触发脉冲必须同步，移相范围符合要求。常见的晶闸管触发电路4）不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。常理想的晶闸管触发脉冲电流波形t1~t2脉冲前沿上升时间（<1s）t1~t3强脉宽度IM强脉冲幅值（3IGT~5IGT）t1~t4脉冲宽度I脉冲平顶幅值（1.5IGT~2IGT）V1、V2构成脉冲放大环节脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节

V1、V2导通时，通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。VD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设。理想的晶闸管触发脉冲电流波形V1、V2构成脉冲放大环节9.1.3典型全控型器件的驱动电路1.

电流驱动型器件的驱动电路1)GTOGTO的开通控制与普通晶闸管相似，但对脉冲前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整个导通期间施加正门极电流。使GTO关断需施加负门极电流，对其幅值和陡度的要求更高，关断后还应在门阴极施加约5V的负偏压以提高抗干扰能力。推荐的GTO门极电压电流波形9.1.3典型全控型器件的驱动电路1.电流驱动型器件的驱GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿，因此目前应用较广，但其功耗大，效率较低。GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电典型的直接耦合式GTO驱动电路：典型的直接耦合式GTO驱动电路典型的直接耦合式GTO驱动电路：典型的直接耦合式GTO驱动电

二极管VD1和电容C1提供+5V电压二极管VD1和电容C1提供+5V电压VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压VD4和电容C4提供-15V电压VD4和电容C4提供-15V电压V1开通时，输出正强脉冲

V2开通时输出正脉冲平顶部分

V2关断而V3开通时输出负脉冲

V3关断后R3和R4提供门极负偏压V1开通时，输出正强脉冲理想的GTR基极驱动电流波形2)GTR开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗，关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。理想的GTR基极驱动电流波形2)GTRGTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分GTR的一种驱动电路GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分GT

二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成贝克箝位电路，也即一种抗饱和电路，负载较轻时，如V5发射极电流全注入V，会使V过饱和。有了贝克箝位电路，当V过饱和使得集电极电位低于基极电位时，VD2会自动导通，使多余的驱动电流流入集电极，维持Ubc≈0。

C2为加速开通过程的电容。开通时，R5被C2短路。可实现驱动电流的过冲，并增加前沿的陡度，加快开通。二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成贝克箝位电路，也电压驱动型器件的驱动电路栅源间、栅射间有数千皮法的电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15~20V。关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5~-15V）有利于减小关断时间和关断损耗。在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小。电压驱动型器件的驱动电路1)电力MOSFET的一种驱动电路：

电气隔离和晶体管放大电路两部分电力MOSFET的一种驱动电路

无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压。当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压

。专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。1)电力MOSFET的一种驱动电路：电力MOSFET的2)IGBT的驱动

多采用专用的混合集成驱动器M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图

常用的有三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）内部具有退饱和检测和保护环节，当发生过电流时能快速响应但慢速关断IGBT，并向外部电路给出故障信号。

M57962L输出的正驱动电压均为+15V左右，负驱动电压为-10V。2)IGBT的驱动M57962L型IGBT驱动器的原理和相对于电机、继电器和接触器等控制电器而言，晶闸管承受过电压和过电流的能力较差，其击穿电压比较接近工作电压，所以短时间的过电压和过电流就会把器件损坏。若以暂时的过电压、过电流的数值确定参数，又会造成浪费，为了充分发挥器件应有的过载能力，保护措施就是提高电力电子装置可靠能力的重要环节。保护的目的有两个：①防止故障的发生②减小故障后的损失9.2.1过电压的产生及过电压保护相对于电机、继电器和接触器等控制电器而言，晶闸管承受过电压和电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因

(1)

操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起电容、电感中存储的能量的瞬间释放产生的过电压。

(2)

浪涌（雷击）过电压：由雷击等偶然原因引起的从电网侧进入变流装置的过电压，其幅值很高电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程

(1)换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断，因而有较大的反向电流流过，当恢复了阻断能力时，该反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压。

(2)关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。保护原则：将过电压的幅值抑制到安全的限度以内。内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程保护原则：将

图1-34过电压抑制措施及配置位置F避雷器D变压器静电屏蔽层C静电感应过电压抑制电容RC1阀侧浪涌过电压抑制用RC电路RC2阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路RV压敏电阻过电压抑制器RC3阀器件换相过电压抑制用RC电路RC4直流侧RC抑制电路RCD阀器件关断过电压抑制用RCD电路过电压保护措施图1-34供电网一侧称网侧（交流侧），电力电子电路一侧称阀侧（直流侧）保护中主要使用:非线性元件限制幅度;

用电阻消耗能量;

用储能元件吸收能量其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电路范畴电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种供电网一侧称网侧（交流侧），电力电子电路一侧称阀侧（直流侧）外因过电压抑制措施中，RC过电压抑制电路最为常见，典型联结方式见下图。RC过电压抑制电路联结方式a)单相b)三相

RC过电压抑制电路可接于供电变压器的两侧（供电网一侧称网侧，电力电子电路一侧称阀侧），或电力电子电路的直流侧。外因过电压抑制措施中，RC过电压抑制电路最为常见，典型联结方大容量电力电子装置可采用图所示的反向阻断式RC电路反向阻断式(三相整流式)过电压抑制用RC电路大容量电力电子装置可采用图所示的反向阻断式RC电路反向阻断式参数计算：

单相阻容保护时电阻、电容的计算

对阻容保护还不能吸收或抑制的过电压就要用非线性元件进行保护了。非线性元件包括：用雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转折二极管（BOD）等。i%:变压器激磁电流百分比UK%:变压器的短路电压百分比S:变压器容量U2:变压器二次侧二次侧相电压有效值参数计算：对阻容保护还不能吸收或抑制的过电压就要用非线性元过电流——当变流装置内部某一器件击穿，或者出现短路，触发电路发生故障，外部出现过载，直流侧短路，可逆系统产生换流或逆变失败，以及电源电压过高或过低，缺相等，均可能引起电流超过正常工作电流。

9.2.2过电流的保护过电流——当变流装置内部某一器件击穿，或者出现短路，触发电路

常用措施如下图过电流保护措施及配置位置常用措施如下图过电流保护措施及配置位置采用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。一般有三种接法。选择快熔时应考虑：(1)电压等级根据熔断后快熔实际承受的电压确定。(2)电流容量按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确定。(3)快熔的I2t值应小于被保护器件的允许I2t值。(4)为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性。采用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保快熔对器件的保护方式：全保护和短路保护两种全保护：过载、短路均由快熔进行保护，适用于小功率装置或器件裕度较大的场合。短路保护方式：快熔只在短路电流较大的区域起保护作用。对重要的且易发生短路的晶闸管设备，或全控型器件（很难用快熔保护），需采用电子电路进行过电流保护。常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，响应最快。快熔对器件的保护方式：全保护和短路保护两种9.2.3

缓冲电路缓冲电路又称为吸收电路，主要是用于抑制电力电子器件的内因过电压、过电流、du/dt、di/dt，减小器件的开关损耗。缓冲电路又可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路，分别抑制du/dt和di/dt。关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起使用时称为复合缓冲电路。若使用电阻吸收储能元件中的能量，则称为耗能式缓冲电路；若将储能元件中的能量回馈给负载或电源，则称其为馈能式缓冲电路。通常缓冲电路专指关断缓冲电路，而将开通缓冲电路称为di/dt抑制电路。9.2.3缓冲电路缓冲电路又称为吸收电路，主要是用于抑制缓冲电路作用分析无缓冲电路：V开通时电流迅速上升，di/dt很大。关断时du/dt很大，并出现很高的过电压。有缓冲电路：V开通时：Cs通过Rs向V放电，使iC先上一个台阶，以后因有Li，iC上升速度减慢。V关断时：负载电流通过VDs向Cs分流，减轻了V的负担，抑制了du/dt和过电压。di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a)电路b)波形缓冲电路作用分析di/dt抑制电路和关断时的负载曲线负载线ADC安全，且经过的都是小电流或小电压区域，关断损耗大大降低。无缓冲电路时：uCE迅速升，L感应电压使VD通，负载线从A移到B，之后iC