半导体温度计的设计和制作实验报告_第1页
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G1123TT4G1123TT4TT实验题目：半导体温度计的设计和制作实验目的：学用惠斯通电桥制作半导体温度计并用其测量温度。实验原理：电路原理图及所用公式：IG

RRTR23T2RR123R23T

CD(2)

2RRCD(I2RTT2

R)1T2R1T2

)实验步骤：1.根据(2)式算得R=4785.86Ω122.断开R，R接，调整R，R。123.根据地板图焊接电路。4.用电阻箱代替热敏电阻节R,使R为20℃对应阻值时电表示数为0；调R使使R为70℃对应阻值时电表满偏。5.开关置2档，调R，使电表满偏。6.从－T线(在下页)中读℃～70℃每隔℃对应阻值，读出R为上述阻值时微安表示数。把表盘可读改为温度刻度并画出曲线。6.用实际热敏电阻代替电阻箱并测出55.5水浴和34.5℃水浴对应电流值和温度。实验数据：R为不同温度(℃)对应阻值时微安表电流值uA)温度

20

22.52527.53032.53537.54042.545电流

0

2.97

10.112.516.819.121.824.528.230.5温度

45.55052.555

57.56062.56567.570电流

32.835.137.740.141.043.846.247.248.050.0

图表1:R-T曲线图表2:I-T曲线其线性拟

112341线性回归方程：T=17.31755＋0.97318I实验结果：在55.5℃水浴下测得电流值为μA与从图表2中读到对应温度电流值39.2相对误差为2.73%在35.4℃水浴下测得电流值为μA与从图表2中读到对应温度电流值19.5相对误差为2.5%误差分析：1.R，R,R,R难以调校准确，误差较大，有的电位器阻值自己会变，且在焊接和其它操作过程中阻值可能有变化。2.电池电力可能已经不足。3.测量温度可能在热敏电阻的非线性区间。4.实验室温度等其它因素可能对元件性能产生影响。思考题：为什么在测R，R时，需将开关置为1档，拔下E接线，断开微安表？答如果没有如上操作将会有其它

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