半导体器件模拟试题一课件

3．半导体的导电能力随温度升高而_______，金属导体的电阻率随温度升高而_______。A．降低／降低B．降低／升高C．升高／降低D．升高／升高1．PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是_____。A．具有放大特性B．具有改变电压特性C．具有单向导电性D．具有增强内电场特性C2．PN结呈现正向导通的条件是_______。A．P区电位低于N区电位B．N区电位低于P区电位C．P区电位等于N区电位D．N区电位高于P区电位BD4．半导体的载流子随温度升高而_______，也就是说半导体的导电性能随温度升高而_______。A．减小／增强B．减小／减弱C．增加／减弱D．增加／增强D3．半导体的导电能力随温度升高而_______，金属导体的电7．P型半导体中的多数载流于是_______。A．电子B．空穴C．电荷D．电流5．半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若_______导电能力会减弱A．掺杂非金属元素B．增大光照C．降低环境温度D．掺杂金属元素C6．在PN结的两端通过一块电流表短接，回路中无其它电源，当用光照射该半导体时，电流表的读数是_______。A．增大B．减小C．为零D．视光照强度而定B8．N型半导体中的多数载流于是_______。A．自由电子B．空穴C．电荷D．电流AC9．在晶体硅锗中，参于导电的是_______。A．离子B．自由电子C．空穴D．B和CD7．P型半导体中的多数载流于是_______。5．半导体的导12．半导体的导电方式的最大特点是_______。A．自由电子导电B．离子导电C．空穴导电D．A和C10．关于P型半导体的下列说法，错误的是_______。A．在二极管中，由P型半导体引出的线是二极管的阳极B．空穴是多数载流子C．在NPN型晶体管中，基区是P型半导体D．在纯净的硅晶体中掺入五价元素磷可形成P型半导体D11．关于N型半导体的下列说法，错误的是_______。A．自由电子是多数载流子B．在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C．在纯净的硅晶体中掺入三价元素硼，可形成N型半导体D．在PNP型晶体管中，基区是N型半导体DC12．半导体的导电方式的最大特点是_______。10．关于13．在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是____。A．自由电子电流B．空穴电流C．离子电流D．A和BD14．关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是_______。A．无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B．P型半导体中只有空穴导电C．N型半导体中只有自由电子参与导电D．在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电A15．N型半导体中，主要靠_______导电，_______是少数载流子。A．空穴／空穴B．空穴／自由电子C．自由电子／空穴D．自由电子／自由电子C13．在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是____16．P型半导体中，主要靠_______导电，_______是少数载流子A．空穴／空穴B．空穴／自由电子C．自由电子／空穴D．自由电子／自由电子B17．下列PN结两端的电位值，使PN结导通的是_______。A．P端接十5V，N端经电阻接十7VB．N端接十2V，P端经电阻接十7VC．P端接一3V，N端经电阻接十7VD．P端接十1V，N端经电阻接十6VB18．在半导体PN结两端加_______就可使其导通A．正向电子流B．正向电压C．反向电压D．反向电子流B19．用万用表测二极管时，正反方向电阻都很大，说明_

_。A．管子正常B．管于短路C．管于断路D．都不对C16．P型半导体中，主要靠_______导电，_______20．电路如图4—1所示，设二极管正向压降忽略不计，二极管处于_______状态，电流表的读数是_______。A．导通／1．8AB．导通／0．6AC．截止／0．6AD．截止／0A21．电路如图4—2所示，电压表的读数为_______，二极管处________状态。A．18V／导通B．6V／导通C．6V／截止D．0V／截止BC图4－1图4－220．电路如图4—1所示，设二极管正向压降忽略不计，二极管22．电路如图4—3所示，输出电压Uo等于_______。(设二极管的正向压降为0．7V)A．12VB．0VC．0．7VD．11．3VB23．电路如图4—4所示，设二极管正向压降为0．7V，则输出电压U0=

。A．12VB．0VC．0．7VD．11．3VD图4－3图4－422．电路如图4—3所示，输出电压Uo等于_______。(24．关于二极管的功能，下列说法错误的是_______。A．整流B．滤波C．钳位D．小范围稳压B25．二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一定范围时，二极管的反向电流是_______。A．随反向电压的增加而减少B．随反向电压的增加而增大C．随反向电压的增加而基本不变D．随反向电压的减小而减小C26．二极管的反向电流随着温度的_________而________。A．升高／减小B．降低／减小C．升高／不变D．升高／基本不变B24．关于二极管的功能，下列说法错误的是_______。27．对于晶体二极管来说，以下说法错误的是_______。A．正向电阻很小B．具有单向导电性C．正向电压越大，流过二极管的电流越大D．无论加多大反向电压都不会导通D28．关于二极管的反向电流，下列说法错误的是_______。A．反向电流随温度的上升而增长很快B．在反向电压不超过一定范围时，反向电流基本不变C．在反向电压不超过一定范围时，反向电流与反向电压的高低无关D．反向电流随反向电压的增加而增加D29．硅二极管导通时的正向压降为_______，死区电压在常温下为_______。A．0．5V／0．2VB．0．6—0．7V／0．2VC0．2—0．3V／0．2VD．0．6~0．7V／0．5VD27．对于晶体二极管来说，以下说法错误的是_______。31．如图4—6所示电路，设输入电压ui＝10sin314t，E＝5V，二极管正向压降忽略不计，则输出电压u0介于_______。A.0与10V之间B．一5V与10V之间C．十5V与十10V之间D．十10V与一5V之间5V30．如图4—5所示电路，设输入电压ui为正弦电压，ui=1sinoωtV，二极管的正向压降为0．6V，则输出电压u0介于_______。A．0与＋6V之间B．一0．6V与＋0．6V之间C．一0．6V与0之间D．0与1V之间BC图4－5图4－631．如图4—6所示电路，设输入电压ui＝10sin31432．对于晶体二极管来说，以下说法错误的是________。A．正向电阻很小B．反向电阻很大C．无论加多大的反向电压，都不会导通D．所加正向电压大于死区电压时，二极管才真正导通C33．用万用表欧姆挡测量二极管时，通常将量程选在______挡。A．R×1ΩB．R×10ΩC．R×100ΩD．R×lokΩC34．稳压管的稳压功能是利用_______特性实现的。A．PN结的单向导电B．PN结的反向击穿C．结电容使波形平滑D．PN结的正向导通B35．稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流幅度_______，而电压_______。A．变化很大／变化很小B．变化大／不变C．变化小／变化很大D．变化小／不变通A32．对于晶体二极管来说，以下说法错误的是________36．稳压管在电路中作稳压时接法应是_______。A．阳极接正，阴极接负B．阴极接正，阳极接负C．串接电阻后任意连接D．串电容后任意连接B37．稳压管作稳压工作时，其两端应加______。A．正向电压B．零电压C．反向电压D．A或BC38．晶体管有_______个PN结。A．1B．2C．3D．4B39．晶体三极管中的“β”参数是指_______。A．电压放大系数B．电流放大系数C．功率放大系数D．集电极最大功耗40．晶体管具有放大作用主要体现在_______。A．电压放大B．电流放大C．正向放大D．反向放大BB36．稳压管在电路中作稳压时接法应是_______。B3742．电路如固4—17所示，该输入电压ui＝12sin314tV．DZ为双向限幅稳压管，其稳定电压UZ＝6V，则输出电压U0在_______之间。A．一12V与+6VB．+6V与+12VC．—12V与+12VD．-6V与+6V41．图4—16所示电路中稳压管的稳定电压值UZ＝5V，硅二极管正向压降为0．7V，由图可知U0＝_________。A．20VB．10VC．5．7VD．1．4VCD图16图1742．电路如固4—17所示，该输入电压ui＝12sin3145．测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为0．4V、0．2V和1．5V可判断该管处于________工作状态。A．完全截止B．完全导通C．线性放大D．饱和导通43．已知一晶体管的E、B、C三个极的电位分别为0．5V、1．2V、5.6V，此管工作于_______状态，此管属_______型。A．饱和／NPNB．放大／NPNC．饱和／PNPD．放大／PNPB44．测得某PNP型晶体管三个极的电位分别为Vc＝0．4V、VB＝1.5V、VE＝1．2V，可判断该管工作于________状态。A．截止B．饱和导通C．线性放大D．非线性放大AA46．晶体管工作在什么状态，取决于________。A．负载大小B．电流放大系数的大小C．电压放大倍数的大小D．基极电流的大小D45．测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为049．晶体管处于饱和状态时，其集电结________偏，发射结________偏。A．正／反B．反／正C．正／正D．反／反47．晶体管具有电流放大能力，而放大能源来自于放大电路中的_______。A．晶体管本身B．信号源C．负载输入D．直流电源D48．晶体管具有放大作用时，它的集电结________偏，发射结________偏。A．正／反B．反／正C．正／正D．反／反BC50．晶体管处于截止状态时，其集电结________偏，发射结________偏。A.正／反B．反／正C．正／正D．反／反D49．晶体管处于饱和状态时，其集电结________偏，发射53．晶体管工作时，当温度升高其死区电压________，输入特性曲线________。A．减小／右移B．减小／左移C．增大／右移D．增大／左移51．NPN型三极管处于放大状态时，三个极的电位关系为________。A．VC＞VE＞VBB．VC＞VB＞VEC．VE＞VB＞VCD．VB＞VE＞VCB52．晶体管作为开关管使用时，工作在_______。A．放大区B．饱和区C．截止区D．B和CDB54．晶体管的特性曲线有________，它反映出晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。A．输入特性B．输出特性C．外特性D．A和BD53．晶体管工作时，当温度升高其死区电压________，输3．半导体的导电能力随温度升高而_______，金属导体的电阻率随温度升高而_______。A．降低／降低B．降低／升高C．升高／降低D．升高／升高1．PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是_____。A．具有放大特性B．具有改变电压特性C．具有单向导电性D．具有增强内电场特性C2．PN结呈现正向导通的条件是_______。A．P区电位低于N区电位B．N区电位低于P区电位C．P区电位等于N区电位D．N区电位高于P区电位BD4．半导体的载流子随温度升高而_______，也就是说半导体的导电性能随温度升高而_______。A．减小／增强B．减小／减弱C．增加／减弱D．增加／增强D3．半导体的导电能力随温度升高而_______，金属导体的电7．P型半导体中的多数载流于是_______。A．电子B．空穴C．电荷D．电流5．半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若_______导电能力会减弱A．掺杂非金属元素B．增大光照C．降低环境温度D．掺杂金属元素C6．在PN结的两端通过一块电流表短接，回路中无其它电源，当用光照射该半导体时，电流表的读数是_______。A．增大B．减小C．为零D．视光照强度而定B8．N型半导体中的多数载流于是_______。A．自由电子B．空穴C．电荷D．电流AC9．在晶体硅锗中，参于导电的是_______。A．离子B．自由电子C．空穴D．B和CD7．P型半导体中的多数载流于是_______。5．半导体的导12．半导体的导电方式的最大特点是_______。A．自由电子导电B．离子导电C．空穴导电D．A和C10．关于P型半导体的下列说法，错误的是_______。A．在二极管中，由P型半导体引出的线是二极管的阳极B．空穴是多数载流子C．在NPN型晶体管中，基区是P型半导体D．在纯净的硅晶体中掺入五价元素磷可形成P型半导体D11．关于N型半导体的下列说法，错误的是_______。A．自由电子是多数载流子B．在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C．在纯净的硅晶体中掺入三价元素硼，可形成N型半导体D．在PNP型晶体管中，基区是N型半导体DC12．半导体的导电方式的最大特点是_______。10．关于13．在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是____。A．自由电子电流B．空穴电流C．离子电流D．A和BD14．关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是_______。A．无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B．P型半导体中只有空穴导电C．N型半导体中只有自由电子参与导电D．在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电A15．N型半导体中，主要靠_______导电，_______是少数载流子。A．空穴／空穴B．空穴／自由电子C．自由电子／空穴D．自由电子／自由电子C13．在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是____16．P型半导体中，主要靠_______导电，_______是少数载流子A．空穴／空穴B．空穴／自由电子C．自由电子／空穴D．自由电子／自由电子B17．下列PN结两端的电位值，使PN结导通的是_______。A．P端接十5V，N端经电阻接十7VB．N端接十2V，P端经电阻接十7VC．P端接一3V，N端经电阻接十7VD．P端接十1V，N端经电阻接十6VB18．在半导体PN结两端加_______就可使其导通A．正向电子流B．正向电压C．反向电压D．反向电子流B19．用万用表测二极管时，正反方向电阻都很大，说明_

_。A．管子正常B．管于短路C．管于断路D．都不对C16．P型半导体中，主要靠_______导电，_______20．电路如图4—1所示，设二极管正向压降忽略不计，二极管处于_______状态，电流表的读数是_______。A．导通／1．8AB．导通／0．6AC．截止／0．6AD．截止／0A21．电路如图4—2所示，电压表的读数为_______，二极管处________状态。A．18V／导通B．6V／导通C．6V／截止D．0V／截止BC图4－1图4－220．电路如图4—1所示，设二极管正向压降忽略不计，二极管22．电路如图4—3所示，输出电压Uo等于_______。(设二极管的正向压降为0．7V)A．12VB．0VC．0．7VD．11．3VB23．电路如图4—4所示，设二极管正向压降为0．7V，则输出电压U0=

。A．12VB．0VC．0．7VD．11．3VD图4－3图4－422．电路如图4—3所示，输出电压Uo等于_______。(24．关于二极管的功能，下列说法错误的是_______。A．整流B．滤波C．钳位D．小范围稳压B25．二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一定范围时，二极管的反向电流是_______。A．随反向电压的增加而减少B．随反向电压的增加而增大C．随反向电压的增加而基本不变D．随反向电压的减小而减小C26．二极管的反向电流随着温度的_________而________。A．升高／减小B．降低／减小C．升高／不变D．升高／基本不变B24．关于二极管的功能，下列说法错误的是_______。27．对于晶体二极管来说，以下说法错误的是_______。A．正向电阻很小B．具有单向导电性C．正向电压越大，流过二极管的电流越大D．无论加多大反向电压都不会导通D28．关于二极管的反向电流，下列说法错误的是_______。A．反向电流随温度的上升而增长很快B．在反向电压不超过一定范围时，反向电流基本不变C．在反向电压不超过一定范围时，反向电流与反向电压的高低无关D．反向电流随反向电压的增加而增加D29．硅二极管导通时的正向压降为_______，死区电压在常温下为_______。A．0．5V／0．2VB．0．6—0．7V／0．2VC0．2—0．3V／0．2VD．0．6~0．7V／0．5VD27．对于晶体二极管来说，以下说法错误的是_______。31．如图4—6所示电路，设输入电压ui＝10sin314t，E＝5V，二极管正向压降忽略不计，则输出电压u0介于_______。A.0与10V之间B．一5V与10V之间C．十5V与十10V之间D．十10V与一5V之间5V30．如图4—5所示电路，设输入电压ui为正弦电压，ui=1sinoωtV，二极管的正向压降为0．6V，则输出电压u0介于_______。A．0与＋6V之间B．一0．6V与＋0．6V之间C．一0．6V与0之间D．0与1V之间BC图4－5图4－631．如图4—6所示电路，设输入电压ui＝10sin31432．对于晶体二极管来说，以下说法错误的是________。A．正向电阻很小B．反向电阻很大C．无论加多大的反向电压，都不会导通D．所加正向电压大于死区电压时，二极管才真正导通C33．用万用表欧姆挡测量二极管时，通常将量程选在______挡。A．R×1ΩB．R×10ΩC．R×100ΩD．R×lokΩC34．稳压管的稳压功能是利用_______特性实现的。A．PN结的单向导电B．PN结的反向击穿C．结电容使波形平滑D．PN结的正向导通B35．稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流幅度_______，而电压_______。A．变化很大／变化很小B．变化大／不变C．变化小／变化很大D．变化小／不变通A32．对于晶体二极管来说，以下说法错误的是________36．稳压管在电路中作稳压时接法应是_______。A．阳极接正，阴极接负B．阴极接正，阳极接负C．串接电阻后任意连接D．串电容后任意连接B37．稳压管作稳压工作时，其两端应加______。A．正向电压B．零电压C．反向电压D．A或BC38．晶体管有_______个PN结。A．1B．2C．3D．4B39．晶体三极管中的“β”参数是指_______。A．电压放大系数B．电流放大系数C．功率放大系数D．集电极最大功耗40．晶体管具有放大作用主要体现在_______。A．电压放大B．电流放大C．正向放大D．反向放大BB36．稳压管在电路中作稳压时接法应是_______。B3742．电路如固4—17所示，该输入电压ui＝12sin314tV．DZ为双向限幅稳压管，其稳定电压UZ＝6V，则输出电压U0在_______之间。A．一12V与+6VB．+6V与+12VC．—12V与+12VD．-6V与+6V41．图4—16所示电路中稳压管的稳定电压值UZ＝5V，硅二极管正向压降为0．7V，由图可知U0＝_________。A．20VB．10VC．5．7VD．1．4VCD图16图1742．电路如固4—17所示，该输入电压ui＝12sin3145．测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为0．4V、0．2V和1