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B一、选择题1、半径为R“无限长”均匀带电圆柱静电场中各点电场强度大小E与轴线距离r关系曲线为：(A)(B)(C)(D)第1页C2、如图所表示，一封闭导体球壳A内有两个导体B和C。A、C所带净电量为零，B点正电，则A、B、C三导体电势UA、UB、UC大小关系是：(A)(B)(C)(D)3、如图，一个电量为+q、质量为m质点，以速度V沿X轴射入磁感强度为B均匀磁场中，磁场方向垂直纸面向里，其范围从x=0延伸到无限远处，假如质点在x=0和y=0处进入磁场，则它将以速度-V从磁场中某一点出来，这点坐标是x=0和B第2页A4、顺磁物质磁导率：(A)比真空磁导率略小。(B)比真空磁导率略大。(C)远小于真空磁导率。(D)远大于真空磁导率。B5、如图，导体棒AB在均匀磁场中绕经过C点垂直于棒长且沿磁场方向轴OO’转动，BC长度为棒长1/3，则：(A)A点比B点电势高。(B)A点与B点电势相等。(C)A点比B点电势低。(D)有稳定电流从A点流向B点。第3页C6.如图,平行板电容器(忽略边缘效应)充电时,沿环路L1,L2磁场强度环流中,必有:7、某金属产生光电效应红线波长为λ0，今以波长为λ(λ<λ0)单色光照射该金属，金属释放出电子(质量为me）动量大小为：E第4页DA8、电子显微镜中电子从静止开始经过电势差为U静电场加速后，其德布罗意波长为0.4埃，则U约为：(A)150V(B)330V(C)630V(D)940V9、已知粒子在一维无限深势阱中运动,其波函数为:那么粒子在x=5a/6处出现概率密度为:第5页C10.下述说法中,正确是:(A)本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参加导电,而杂质半导体只有一个载流子参加导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.(B)n型半导体性能优于p型半导体,因n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.(C)n型半导体中杂质原子所形成局部能级靠近空带(导带)底部,使局部能级中多出电子轻易被激发跃迁到空带中去,大大提升了半导体导电性能.(D)p型半导体导电机构完全决定于满带中空穴运动.第6页垂直纸面向里3、无限长直导线在P处弯成半径为R圆，当通以电流I时，则在圆心O点磁感应强度大小等于方向为2、（5分）一平行板电容器，两极间充满各向同性均匀电介质，已知相对介电常数为εr，若极板上自由电荷面密度为σ，则介质中电位移大小D=.电场强度大小二、填空题1、（5分）真空中有一均匀电点球面，球半径为R，总带电量为Q(>0)，今在球面上挖去一很小面积dS（连同其上电荷），设其余部分电荷仍均匀分布，则挖去以后球心处电场强度为

球心处电势为（设无限远处电势为零）

。第7页HRroBRroR+d4、（5分）二分之一径为R圆柱形导体，筒壁很薄，可视为无限长，通以电流I，筒外有一层厚为d，磁导率为μ均匀顺磁性介质，介质外为真空，画出此磁场H-r图及B-r图第8页1.5mH22.6J/m^3(2),(3),(4),(5)8、（3分）在以下给出条件中，哪些是产生激光条件，将其标号列下：

.（1）自发辐射（2）受激辐射（3）粒子数反转（4）三能级系统（5）谐振腔7、依据量子力学理论,氢原子中电子动量矩在外磁场方向上投影为,当角量子数l=2时,Lz可能值为.

6、一个中空长直螺线管上每厘米饶有20匝导线，当通以电流I=3A时，管中磁场能量密度w=

.5、有两个线圈，自感系数分别为L1和L2。已知L1=3mH，L2=5mH，串联成一个线圈后测得自感系数L=11mH，则两线圈互感系数M=

.第9页xpao2ldxx2分4分4分三、计算题：1、电量q均匀分布在长为2l细棒上，求杆中垂线上与杆中心距离为aP点电势（设无穷远电势为零）第10页2、一真空二极管，其主要构件是一个半径R1=5×10-4m圆柱形阴极A和一个套在阴极外半径R2=4.5×10-3m同轴圆筒形阳极B,如图所表示，阳极电势比阴极高300V，忽略边缘效应求电子刚从阴极射出时所受电场力。（电子电量e=1.6×10-19C)第11页解：与阴极同轴作半径为r（R1＜r＜R2）单位长度圆柱形高斯面。设阴极上电荷线密度为λ，由高斯定理得：方向沿半径指向阴极。2分2分2分2分2分第12页3、半径为R

半圆线圈ACD通有电流I1

，置于电流为I2无限长直线电流磁场中，直线电流I1

恰过半圆直径，两导线相互绝缘。求半圆线圈受到长直线电流I1磁力。解：取坐标如图。长直线电流在半圆线圈处产生磁感应强度大小为：方向：半圆线圈上dl线电流所受磁力大小：方向如图。由对称性知：半圆线圈所受I

1磁力为：第13页4、如图，两条平行导线和一个矩形导线框共面，且导线框一个边与长导线平行，到两长导线距离分别为r1,r2,已知两导线中电流都为I＝I0sinωt,I0,ω为常数，导线框长为a宽为b求导线框中电动势。AdxBIIxr2r10bax解：对这类题目主要类型有①I不变，线圈以v运动；②I改变，线圈不动；③I改变，线圈运动，都应先求出B分布，然后求出Φ＝Φ（t),最终求出dΦ/dt.选顺时针方向为E正方向，取面元dS=adx第14页当cosωt>0时，E<0,E沿反时针方向；当cosωt<0时，E>0,E沿顺时针方向。AdxBIIxr2r10bax第15页2、如图所表示，两个同心均匀带电球面，内球面半径为R1、带有电荷Q1，,外球面半径为R2、带有电荷Q2，则在内球面里面、距离球心为r处P点场强大小E为：

(A)(B)

(C)

(D)0．级大学物理（下）期中部分试题(东营版)3、如图，在点电荷q电场中，选取以q为中心、R为半径球面上一点P处作电势零点，则与点电荷q距离为rP'点电势为(A)

(B)

(C)

(D)√√第16页4、如图，在一带有电荷为Q导体球外，同心地包有一各向同性均匀电介质球壳，相对介电常量为εr，壳外是真空．则在介质球壳中P点处(设)场强和电位移大小分别为

√(D)

7、载流圆形线圈(半径a1)与正方形线圈(边长a2)通有相同电流I．若两个线圈中心O1

、O2处磁感强度大小相同，则半径a1与边长a2之比a1∶a2为

(A)1∶1(B)(C)√第17页

5、C1和C2两空气电容器并联以后接电源充电．在电源保持联接情况下，在C1中插入一电介质板，如图所表示,则

(A)C1极板上电荷增加，C2极板上电荷降低．

(B)C1极板上电荷降低，C2极板上电荷增加．

(C)C1极板上电荷增加，C2极板上电荷不变．

(D)C1极板上电荷降低，C2极板上电荷不变．

6、用力F把电容器中电介质板拉出，在图(a)和图(b)两种情况下，电容器中储存静电能量将

(A)都增加．

(B)都降低．

(C)(a)增加，(b)降低．

(D)(a)降低，(b)增加．√√第18页8、磁场由沿空心长圆筒形导体均匀分布电流产生，圆筒半径为R，x坐标轴垂直圆筒轴线，原点在中心轴线上．图(A)～(E)哪一条曲线表示B－x关系？12、二分之一径为R绝缘实心球体，非均匀带电，电荷体密度为ρ＝ρ0

r(r为离球心距离，ρ0

为常量)．设无限远处为电势零点．则球外(r＞R)各点电势分布为U＝__________________．√第19页13、一均匀静电场，电场强度V·m-1，则点a(3,2)和点b(1,0)之间电势差Uab＝_____________．(点坐标x,y以米计)14、如图所表示，把一块原来不带电金属板B，移近一块已带有正电荷Q金属板A，平行放置．设两板面积都是S，板间距离是d，忽略边缘效应．当B板不接地时，两板间电势差UAB=___________________；B板接地时两板间电势差15、一平行板电容器充电后，将其中二分之一空间充以各向同性、均匀电介质，如图所表示．则图中Ⅰ、Ⅱ两部份电场强度_______________；两部份电位移矢量_______________；两部份所对应极板上自由电荷面密度________________．(填相等、不相等).相等不相等不相等－2×103V第20页17、二分之一径为a无限长直载流导线，沿轴向均匀地流有电流I．若作一个半径为R=5a、高为l柱形曲面，已知此柱形曲面轴与载流导线轴平行且相距3a(如图)．则在圆柱侧面S上积分

19、已知面积相等载流圆线圈与载流正方形线圈磁矩之比为2∶1，圆线圈在其中心处产生磁感强度为B0，那么正方形线圈(边长为a)在磁感强度为均匀外磁场中所受最大磁力矩为______________________．0

第21页22、一相对介电常量为er各向同性均匀电介质球，放在电场强度为均匀外电场中均匀极化，试求介质球中心O点处电场强度解：球心O点处电场强度为球面上束缚电荷产生场强和外电场强度叠加，设介质球极化强度为球半径为R，取坐标轴Ox与同方向，原点在球心，则球面上束缚电荷面密度为s'=Pcosq

在球面上任取电荷元，求出它在球心O点场强，并依据束缚电荷分布轴对称性可求